一种采用FACT校正技术测定镍基高温合金中微量硅的ICP-OES分析方法

摘要

本发明提供一种采用FACT校正技术测定镍基高温合金中微量硅的ICP‑OES分析方法，包括：将镍基高温合金样品进行微波消解后获得的样品溶液，进行电感耦合等离子体发射光谱法检测，采用标准曲线法进行定量，根据FACT校正模型对标准曲线进行校正，获得样品溶液中硅元素的含量。本发明提供的一种采用FACT校正技术测定镍基高温合金中微量硅的ICP‑OES分析方法，能够解决微量硅的测定结果偏差较大这一技术难题，相比现有技术采用的IEC校正方法，避免了耗时而繁琐的干扰因子的计算，测定效率更高。