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一种基于激光诱导等离子体改进中子产率的装置及方法

摘要

一种基于激光诱导等离子体改进中子产率的装置及方法,包括沿中子产生方向依次设置有激光器控制器、激光器、光学聚焦系统、氘气气室、加速管、氚靶、中子探测器;激光控制器控制激光器,激光器输出脉冲激光,脉冲激光经过光学聚焦系统后缩小了激光束直径,聚焦后的激光入射到了氘气气室介质中,使氘气产生等离子体,氘气等离子体在加速管中加速,加速后轰击氚靶,中子探测器用于测量中子的产量。本发明会显著提高氘等离子体产生过程中的受控性和等离子体密度,最终提高种子源的产率,同时消除了高压电脉冲带来的不利影响。

著录项

  • 公开/公告号CN111050457A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西京学院;

    申请/专利号CN201911376274.X

  • 发明设计人 党宏涛;马欲飞;郑小海;刘福华;

    申请日2019-12-27

  • 分类号

  • 代理机构西安智大知识产权代理事务所;

  • 代理人刘国智

  • 地址 710123 陕西省西安市长安区西京路1号

  • 入库时间 2023-12-17 08:17:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H1/24 申请日:20191227

    实质审查的生效

  • 2020-04-21

    公开

    公开

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