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等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法及用途

摘要

本发明公开一种等离子体射流对绝缘子进行表面改性处理方法及用途,该方法是将正硅酸四乙酯TEOS混合气体在等离子体射流管中电离出等离子体,喷射至直流盆式绝缘子表面,形成不同厚度的表面沉积,得到不同表面电导率的高压直流盆式绝缘子,具体步骤为:使用石英玻璃管作为射流管主体,使用实心或空心导体棒作为内部高压电极,并在外侧紧密套电极介质阻挡层,使用铜箔贴于射流管外侧末端;采用等离子体电源作为激励源;将装有前驱体TEOS液体的洗气瓶加热;将一路150‑250sccm氩气通入洗气瓶中,将前驱体TEOS分子带出至射流管中,与另一路5‑7slm氩气充分混合后,通入射流管中,电离形成等离子体,对改性对象进行等离子体处理。

著录项

  • 公开/公告号CN110828080A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201911126628.5

  • 申请日2019-11-18

  • 分类号H01B19/04(20060101);H01B17/50(20060101);H05H1/24(20060101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人程小艳

  • 地址 510663 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J3座1-2楼

  • 入库时间 2023-12-17 07:47:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B19/04 申请日:20191118

    实质审查的生效

  • 2020-02-21

    公开

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