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一种镧系氟化物多孔纳米片填充的混合基质膜及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种镧系氟化物二维多孔纳米片填充的混合基质膜,包括如下质量分数的组分:镧系氟化物二维多孔纳米片0.5%~30%,以及聚氧乙烯基高分子70%~99.5%;镧系氟化物二维多孔纳米片为分散相,聚氧乙烯基高分子为连续相。其中,镧系氟化物二维多孔纳米片是一种新型的纳米材料,将镧系氟化物二维多孔纳米片作为填充剂制备高分子‑无机混合基质膜,能够改善高分子‑无机混合基质膜的实际使用性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111013409A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津工业大学;

    申请/专利号CN201911376528.8

  • 申请日2019-12-27

  • 分类号B01D71/52(20060101);B01D67/00(20060101);B01D53/22(20060101);

  • 代理机构11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王敏

  • 地址 300387 天津市西青区宾水西道399号天津工业大学

  • 入库时间 2023-12-17 07:30:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01D71/52 申请日:20191227

    实质审查的生效

  • 2020-04-17

    公开

    公开

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