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一种用于N型单晶硅的大尺寸倒金字塔结构制绒方法

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摘要

本发明公开了一种用于N型单晶硅的大尺寸倒金字塔结构制绒方法,包括金属辅助挖孔‑第一次水洗‑绒面修正‑第二次水洗‑脱银清洗‑后处理，本发明在N型硅片表面织构出孔径2um左右的倒金字塔绒面，反射率低至7‑8％，无毛刺和纳米小结构，极大提高了HIT电池的转化效率。

著录项

公开/公告号CN110970531A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-07

原文格式PDF
申请/专利权人南京纳鑫新材料有限公司;
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申请/专利号CN201911398410.5
发明设计人彭晓晨;候成成;管自生;
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申请日2019-12-30
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0236(20060101);H01L31/04(20140101);
代理机构11265 北京挺立专利事务所(普通合伙);
代理人石磊
地址 211100 江苏省南京市江宁滨江开发区地秀路778号
入库时间 2023-12-17 07:17:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-22

著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/18 变更前: 变更后: 申请日:20191230

著录事项变更
2020-05-15

著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/18 变更前: 变更后: 申请日:20191230

著录事项变更
2020-05-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20191230

实质审查的生效
2020-04-07

公开

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