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存储器中基于设定裕量的刷新

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摘要

本发明包含与存储器中的刷新有关的设备及方法。实例设备可响应于阵列中的存储器单元的一部分具有大于参考电压的阈值电压而刷新存储器单元阵列。

1. 存储器中基于设定裕量的刷新 [P] . 中国专利： CN110770835A . 2020-02-07
2. 基于电阻的存储器电路的信号裕量平衡 [P] . 中国专利： CN102257570A . 2011-11-23
3. Variable delay circuit, memory control circuit, delay amount setting device, delay amount setting method, and delay amount setting program [P] . 日本专利： JP5369430B2 . 2013-12-18

机译：可变延迟电路，存储器控制电路，延迟量设定装置，延迟量设定方法以及延迟量设定程序
4. Variable delay circuit, memory control circuit, delay amount setting apparatus, delay amount setting method and computer-readable recording medium in which delay amount setting program is recorded [P] . 美国专利： US7957210B2 . 2011-06-07

机译：可变延迟电路，存储器控制电路，延迟量设定装置，延迟量设定方法以及记录了延迟量设定程序的计算机可读记录介质
5. Variable delay circuit, memory control circuit, delay amount setting apparatus, delay amount setting method and delay amount setting program [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2065894B1 . 2010-11-17

机译：可变延迟电路，存储器控制电路，延迟量设定装置，延迟量设定方法及延迟量设定程序