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基于统一缓存架构的多流存储设备

摘要

本申请涉及存储技术,具体地,涉及基于统一缓存架构的多流存储设备。本申请采用的技术方案是:将具有第一流标识符的缓存单元关联到第一虚拟页;根据第一虚拟页提供的物理地址与缓存单元的索引,将从缓存单元获取的数据写入NVM芯片。由于现有技术的电子设备的多个部件具有缓存,这增加了缓存的用量,增加了电子设备的成本与功耗。因此希望统一管理多个部件使用的缓存,提高缓存的利用率,并降低缓存的成本,提高电子设备的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110968520A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京忆恒创源科技有限公司;

    申请/专利号CN201811203693.9

  • 发明设计人 刘玉进;孙清涛;

    申请日2018-10-16

  • 分类号

  • 代理机构北京卓特专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈变花

  • 地址 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼A302室

  • 入库时间 2023-12-17 07:08:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-07

    公开

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