公开/公告号CN110707214A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-17
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司;
申请/专利号CN201910836534.0
发明设计人 吴永伟;
申请日2019-09-05
分类号H01L51/00(20060101);H01L51/46(20060101);H01L51/54(20060101);C08G73/08(20060101);
代理机构44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙);
代理人黄威
地址 518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
入库时间 2023-12-17 07:00:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/00 申请日:20190905
实质审查的生效
2020-01-17
公开
公开
机译: 钙钛矿型或双片钙钛矿型氧化物薄膜形成的源解,钙钛矿型或双片钙钛矿型氧化物薄膜的形成方法,钙钛矿型或双片钙钛矿型氧化物薄膜的成膜方法
机译: 钙钛矿模或Bi分层钙钛矿模氧化物薄膜形成的原料溶液,钙钛矿模或钙钛矿模或Bi复层钙钛矿模氧化物薄膜的形成方法,Bi分层钙钛矿模氧化物不存在
机译: 钙钛矿型氧化物薄膜的原料制备方法,钙钛矿型氧化物薄膜和钙钛矿型氧化物薄膜的制备方法