具有漏极有源区域的半导体装置

摘要

本发明涉及具有漏极有源区域的半导体装置。一种半导体装置包括晶体管的漏极区、直接处于漏极区下方的漏极有源区域、直接处于隔离结构下方的漂移区域以及直接处于晶体管的栅极结构下方的积聚区域。半导体装置包括第一导电类型的、第一浓度的第一选择性掺杂植入物区，第一选择性掺杂植入物区延伸到第一深度。第一选择性掺杂植入物区位于漂移区域、漏极有源区域和积聚区域中。半导体装置包括第一导电类型的、第二浓度的第二选择性掺杂植入物区，第二选择性掺杂植入物区延伸到小于第一深度的第二深度。第二浓度小于第一浓度。第二选择性掺杂植入物区位于漏极有源区域中，但不在积聚区域中。第二选择性掺杂植入物区占据第一掺杂区不占据的漏极有源区域的侧向部分。