公开/公告号CN111004403A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-14
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;珠海复旦创新研究院;
申请/专利号CN201911068103.0
申请日2019-11-05
分类号
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2023-12-17 06:55:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-08
实质审查的生效 IPC(主分类):C08J5/18 申请日:20191105
实质审查的生效
2020-04-14
公开
公开
机译: 通过间接电弧等离子体加热碳化硅晶粒表面上类似金刚石和石墨的复合涂层的原位生长,从碳化硅晶粒表面进行高温分解和去除硅
机译: 通过间接电弧等离子体加热碳化硅晶粒表面上类似金刚石和石墨的复合涂层的原位生长,从碳化硅晶粒表面进行高温分解和去除硅
机译: 提供一种方法的方法是,在至少一个已证明的表面上,通过将氧化硅或银与半导电表面上的氧化硅或银结合在铅框架或布线基板的表面上,以将氧化硅或银结合在一个半导体元件的表面上