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高熵陶瓷粉体及其制备方法和高熵陶瓷块体

摘要

本发明涉及高性能陶瓷技术领域,尤其涉及一种高熵陶瓷粉体及其制备方法和高熵陶瓷块体。本发明采用共沉淀法制备高熵陶瓷粉体和块体,所需实验设备简单,操作容易,便于规模生产,同时能够显著降低高熵陶瓷的烧结温度,在1000~1400℃温度范围内实现陶瓷的快速烧结,获得具有钙钛矿结构的高熵陶瓷。

著录项

  • 公开/公告号CN110845237A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 太原理工大学;

    申请/专利号CN201911190418.2

  • 发明设计人 苗洋;杨文静;郭猛;张丰年;高峰;

    申请日2019-11-28

  • 分类号

  • 代理机构北京高沃律师事务所;

  • 代理人王术娜

  • 地址 030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号

  • 入库时间 2023-12-17 05:56:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/50 申请日:20191128

    实质审查的生效

  • 2020-02-28

    公开

    公开

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