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一种以硅泥生产纳米金属硅粉的方法

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摘要

本发明公开了一种以硅泥生产纳米金属硅粉的方法，将原料硅泥通过预脱水或晾干处理，再经破碎和烘干，最后装袋制得纳米金属硅粉。所得纳米金属硅粉的颗粒细度在5.5‑10.5μm范围中占80%以上；含水1%以内；杂质SiO

1. 一种以硅泥生产纳米金属硅粉的方法 [P] . 中国专利： CN110745828A . 2020-02-04
2. 一种超纯超细金属硅粉的生产方法 [P] . 中国专利： CN104973601A . 2015-10-14
3. A method of producing a metal silicide-silicon structure and a metal silicide-silicon structure. [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0199939A2 . 1986-11-05

机译：一种生产金属硅化物-硅结构和金属硅化物-硅结构的方法。
4. Method to produce dual gates (one metal and one poly or metal silicide) for CMOS devices using sputtered metal deposition, metallic ion implantation, or silicon implantation, and laser annealing [P] . 美国专利： US6841441B2 . 2005-01-11

机译：使用溅射金属沉积，金属离子注入或硅注入以及激光退火为CMOS器件生产双栅极（一种金属和一种多晶硅或金属硅化物）的方法
5. Method to produce dual gates (one metal and one poly or metal silicide) for CMOS devices using sputtered metal deposition, metallic ion implantation, or silicon implantation, and laser annealing [P] . 美国专利： US2005101083A1 . 2005-05-12

机译：使用溅射金属沉积，金属离子注入或硅注入以及激光退火为CMOS器件生产双栅极（一种金属和一种多晶硅或金属硅化物）的方法