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一种HEMT低噪声放大器旁路结构

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摘要

本发明公开了一种HEMT低噪声放大器旁路结构，射频输入端通过所述隔直电容连接至所述第一晶体管的漏极，第一晶体管的源极连接至所述第二晶体管的漏极，第二晶体管的源极通过所述隔直电容C

1. 一种HEMT低噪声放大器旁路结构 [P] . 中国专利： CN110729973A . 2020-01-24
2. 包括HEMT结构、双向HEMT或双向HEMT结构的电子器件 [P] . 中国专利： CN205810818U . 2016.12.14
3. Low noise-low distortion HEMT low noise amplifier (LNA) with monolithic tunable HBT active feedback [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0785617A3 . 1999-12-15

机译：具有单片可调HBT有源反馈的低噪声低失真HEMT低噪声放大器（LNA）
4. Low noise-low distortion hemt low noise amplifier (LNA) with monolithic tunable HBT active feedback [P] . 美国专利： US5710523A . 1998-01-20

机译：具有单片可调HBT有源反馈的低噪声低失真Hemt低噪声放大器（LNA）
5. Low noise-low distortion HEMT low noise amplifier (LNA) with monolithic tunable HBT active feedback [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0785617A2 . 1997-07-23

机译：具有单片可调HBT有源反馈的低噪声低失真HEMT低噪声放大器（LNA）