自镶嵌三维Cu2S纳米结构和场电子发射阴极材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种自镶嵌三维Cu2S纳米结构及其制备方法，以一次水热法合成的纳米片自组装Cu2S球状纳米结构为骨架，以二次水热法合成的Cu2S纳米薄片均匀分布在所述Cu2S球状纳米结构的纳米片表面与边缘，形成所述自镶嵌三维Cu2S纳米结构。本发明还提供了基于自镶嵌三维Cu2S纳米结构的场电子发射阴极材料及其制备方法。本发明制备方法具有成本低、制备条件简单、重复性高、杂质少等优点。本发明自镶嵌三维Cu2S纳米结构及场电子发射阴极材料结晶性高，结构稳定，比表面积大，边缘超薄，具有优良的场电子发射性能。