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基于跨越晶片的参数变化的测量模型优化

摘要

基于跨越半导体晶片的参数变化的模型来确定优化测量模型。全局跨晶片模型依据所述晶片上的位置而表征结构参数。通过使用工艺变化的所述跨晶片模型约束测量模型而优化所述测量模型。在一些实例中,所述跨晶片模型本身为参数化模型。然而,所述跨晶片模型表征所述晶片上的任何位置处的结构参数的值,其中参数远少于在每个位置处将所述结构参数视为未知的测量模型。在一些实例中,所述跨晶片模型基于所述晶片上的位置在未知结构参数值之间产生约束。在一个实例中,所述跨晶片模型基于测量位点的群组在所述晶片上的位置而使与所述测量位点的群组相关联的结构参数值相关。

著录项

  • 公开/公告号CN104395997A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 科磊股份有限公司;

    申请/专利号CN201380033194.9

  • 发明设计人 史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫;

    申请日2013-05-07

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人张世俊

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 05:01:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/66 申请公布日:20150304 申请日:20130507

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-06-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20130507

    实质审查的生效

  • 2015-03-04

    公开

    公开

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