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含有磺酸*盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物

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摘要

本发明的课题是提供抗蚀剂形状良好的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的手段，涉及一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含含有烃基的磺酸根离子与

1. 含有磺酸盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P] . 中国专利： CN112947000A . 2021-06-11
2. 含有添加剂的含硅极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P] . 中国专利： CN107966879B . 2021.06.01
3. Silicon-containing EUV resist underlayer film-forming composition containing onium sulfonate [P] . 美国专利： US10613440B2 . 2020-04-07

机译：包含磺酸鎓盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
4. Silicon-containing EUV resist underlayer film forming composition containing sulfonic acid onium salt [P] . 日本专利： JP6319580B2 . 2018-05-09

机译：包含磺酸鎓盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成组合物
5. Silicon-containing EUV resist underlayer film forming composition containing sulfonic acid onium salt [P] . 日本专利： JPWO2014021256A1 . 2016-07-21

机译：包含磺酸鎓盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成组合物