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等离子体刻蚀工艺中氟原子密度的光谱检测方法及系统

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本发明公开一种等离子体刻蚀工艺中氟原子密度的光谱检测方法及系统，具有不受电子温度影响，准确度高，可广泛地应用于多种刻蚀工艺条件等优点。该方法包括步骤：向含有氟原子的刻蚀反应腔中通入已知密度的氩气；检测激发阈能近似相等的、分别对应氟原子和氩原子的两条原子发射谱线强度；根据氟原子和氩原子的两条原子发射谱线强度计算氟原子密度n

著录项

公开/公告号CN104237205A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-24

原文格式PDF
申请/专利权人清华大学;韩国三星电子有限公司;
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申请/专利号CN201410489941.6
发明设计人陈文聪;尹凖晧;蒲以康;
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申请日2014-09-23
分类号
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张大威
地址 100084 北京市海淀区100084-82信箱
入库时间 2023-12-17 04:27:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-20

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N21/66 申请公布日:20141224 申请日:20140923

发明专利申请公布后的驳回
2015-01-14

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/66 申请日:20140923

实质审查的生效
2014-12-24

公开

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