首页> 中国专利> ZnO基溅射靶和具有使用该溅射靶沉积的钝化层的光伏电池

ZnO基溅射靶和具有使用该溅射靶沉积的钝化层的光伏电池

页面导航

摘要

本申请公开了适用于DC溅射的氧化锌(ZnO)基溅射靶以及具有使用该溅射靶沉积的钝化层的光伏电池。该ZnO基溅射靶包括由ZnO制造的烧结体和背板，该ZnO掺杂有10wt％至60wt％的氧化镓，该背板结合于该烧结体的后表面以支撑该烧结体。上述钝化层可防止光吸收层的组成变化降低效率。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-01-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/34 申请公布日:20141217 申请日:20140528

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-01-07

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20140528

实质审查的生效
2014-12-17

公开

公开

1. ZnO基溅射靶和具有使用该溅射靶沉积的钝化层的光伏电池 [P] . 中国专利： CN104213084A . 2014-12-17
2. 一种溅射靶材及用该溅射靶材制作的CIGS基薄膜太阳能电池 [P] . 中国专利： CN105355681B . 2017.09.08
3. ZNO-BASED SPUTTERING TARGET AND PHOTOVOLTAIC CELL HAVING PASSIVATION LAYER DEPOSITED USING SAME [P] . 韩国专利： KR20140140187A . 2014-12-09

机译：基于ZNO的溅射靶标和具有使用相同沉积层钝化层的光伏电池
4. ZnO-BASED SPUTTERING TARGET AND PHOTOVOLTAIC CELL HAVING PASSIVATION LAYER DEPOSITED USING THE SAME [P] . 美国专利： US2014352786A1 . 2014-12-04

机译：基于ZnO的溅射靶和具有相同沉积层的钝化层的光伏电池
5. ZnO BASED SPUTTERING TARGET AND PHOTOVOLTAIC CELL HAVING PASSIVATION LAYER DEPOSITED BY THE SAME [P] . 韩国专利： KR101571652B1 . 2015-11-25

机译：基于ZnO的溅射靶和具有钝化层的光伏电池