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电阻式存储单元、电阻式存储阵列及其形成方法

摘要

本发明公开一种具有可变电阻层的电阻式存储单元、电阻式存储阵列及其制作方法。可变电阻层包括至少一主要电阻层以及至少一辅助电阻层。主要电阻层以及辅助电阻层一起形成封闭的离子交换系统,被交换的离子于主要电阻层及辅助电阻层的每一者中具有等同的移动性,且主要电阻层的最大电阻值高于辅助电阻层的最大电阻值。

著录项

  • 公开/公告号CN103682093A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 财团法人工业技术研究院;

    申请/专利号CN201310418402.9

  • 申请日2013-09-13

  • 分类号H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陈小雯

  • 地址 中国台湾新竹县

  • 入库时间 2023-12-17 01:34:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L45/00 申请公布日:20140326 申请日:20130913

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-03-26

    公开

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