用于在没有检测点的情况下检测与插入式卡的接口通信的信号的系统和方法

摘要

本发明提供了一种用于测试芯片的电路系统。该电路系统包括与多个接地传输介质耦合的第一层。每一接地传输介质利于接地信号的传输。该电路系统包括与第一集成电路芯片耦合的第二层。该第二层与多个射频(RF)传输介质耦合。该RF传输介质利于RF信号的传输。该第一集成电路芯片经由该RF信号和该接地信号之一与第二集成电路芯片通信。该第一和第二层用于探测该RF信号和该接地信号。

说明书

技术领域

本发明涉及用于在缺少到检测点的入口时检测与主设备通信的信号或 在插入式卡的接口上传输的信号的系统和方法。

背景技术

诸如手机、数码相机和平板电脑的各种电子设备被用于个人和商务目 的。一些人享受着使用电子设备的乐趣，而另一些人将电子设备用作与工作 相关的目的。电子设备中使用集成电路。这种集成电路处理接收自和存储在 存储器芯片内的信息。存储器芯片用于存储各种信息，诸如图像、视频、动 画和文本。

控制器充当集成电路和存储器芯片之间的接口。例如，控制器将接收自 集成电路的信号转化为存储器芯片被设计来解读的形式，并且将接收自存储 器芯片的信号转化为集成电路被设计来解读的形式。重要的是控制器如预期 的那样起作用，并且集成电路和存储器芯片也是如此。

本发明的各种实施方式在这一背景下给出。

发明内容

本发明的实施方式提供用于在缺少到检测点的入口时检测与主设备通 信的信号或在插入式卡的接口上传输的信号的系统和方法。

在一实施方式中，检测电路与插入式卡以就像存在访问主设备的内部的 入口那样允许测量的方式集成。为了获得该测量，对该插入式卡增加用于检 测信号的额外的层，并且还对该插入式卡增加扩展部。所增加的该扩展部用 于设置一个或多个RF连接器。由于使用了额外的层和扩展部，可在不需要 打开该主设备并且不需要执行复杂的测量的情况下观测该主设备内的信号。

在一实施方式中，提供了一种用于测试芯片的电路系统。该电路系统包 括与多个接地传输介质耦合的第一层。每一接地传输介质利于接地信号的传 输。该电路系统包括与第一集成电路芯片耦合的第二层。该第二层与多个射 频(RF)传输介质耦合。该RF传输介质利于RF信号的传输。该第一集成 电路芯片经由RF信号和接地信号之一与第二集成电路芯片通信。该第一和 第二层用于探测该RF信号和该接地信号。

在另一实施方式中，提供了一种用于测试芯片的电路系统。该电路系统 包括与多个接地传输介质耦合的第一层和第二层。该第二层相对于该第一层 设置。此外，每一接地传输介质利于接地信号的传输。该电路系统还包括与 芯片耦合的第三层。该第三层与多个射频(RF)传输介质耦合。该RF传输 介质利于RF信号的传输。该第二和第三层用于探测该RF信号和该接地信 号。

在又一实施方式中，提供了一种用于测试芯片的电路系统。该电路系统 包括第一层、该第一层之上的第二层以及与多个接地传输介质耦合的第三 层。每一接地传输介质用于传输接地信号。该电路系统包括与芯片耦合的第 四层，并且该第四层与多个RF传输介质耦合。该RF传输介质利于RF信号 的传输。该第三层在该第二层之上，并且该第四层在该第三层之上。而且， 该第三和第四层用于探测该RF信号和该接地信号。

在多个实施方式中，各系统和方法为层结构提供两个或多个附加层。在 一实施方式中，该层结构包括一个或两个层，并且该附加层构成封装体。该 封装体包括控制器和受控芯片，例如存储器芯片。这两个附加层提供用于耦 合一个或多个射频(RF)连接器的空间，该RF连接器与示波器经由匹配 RF连接器耦合。该RF连接器与控制器经由传输介质耦合，该传输介质的一 部分嵌在顶部附加层内。此外，底部附加层提供传递接地信号的一个或多个 接地传输介质。

控制器和RF连接器之间的稳固耦合利于包括该层结构和该两个附加层 的电路子系统与运行中的主设备一起使用。该主设备例如为数码相机、平板 电脑或手机。在将该电路子系统的一部分插入该设备的插槽内的时候，可使 用示波器探测该电路子系统。当主设备处于运行中时，可使用电路子系统探 测控制器、受控芯片和主设备内的芯片之间的传输信号，并且可使用示波器 使代表该传输信号的波形可视。

本发明的其他方面将通过以下结合附图的详细描述而变得清楚，所述附 图以示例方式示出了本发明各实施方式的原理。

附图说明

通过参照以下结合随附附图的描述，本发明的不同实施方式可得到最佳 的理解。

图1是根据本发明一实施方式的一种用于测试在主设备内的集成电路和 芯片封装之间传输的信号以及在芯片封装内的各芯片之间传输的信号的系 统的实施方式的框图。

图2是根据本发明一实施方式的一种用于测试一个或多个芯片的测试系 统的框图。

图3A是根据本发明一实施方式的一种用于测试所述一个或多个芯片的 电路子系统的等轴视图。

图3B是根据本发明一实施方式的图3A中电路子系统的一部分的等轴 视图。

图4A是根据本发明一实施方式的该电路子系统的第一层的实施方式的 仰视图。

图4B是根据本发明一实施方式的该电路子系统的第二层的实施方式的 俯视图。

图4C是根据本发明一实施方式的该电路子系统的第三层的实施方式的 俯视图。

图4D是根据本发明一实施方式的该电路子系统的第四层的实施方式的 俯视图。

图5是根据本发明一实施方式的射频(RF)连接器、RF匹配连接器和 RF线缆的实施方式的等轴视图。

具体实施方式

应注意的是，本发明的各种实施方式可在缺少这些特定细节中的一些或 全部特定细节的情况下得以实现。在其他情况下，为了避免不必要地模糊本 发明的各种实施方式，并没有详细描述公知的处理操作。

图1是用于通过电路子系统187测试从主设备399内的集成电路接收的 信号的系统700的实施方式的框图。主设备的示例包括数码相机、平板电脑 和智能手机。该电路子系统399的一部分124插入该主设备399的插槽内。 不需要打开该主设备399来测试该主设备399。该电路子系统187的扩展部 122延伸出该主设备399。当该部分124插在该插槽内时，该主设备399可 操作以用于其预期目的。例如，当该部分124插在该主设备399的插槽内时， 该主设备399可操作以玩游戏、发送邮件、浏览网页或打电话。

当该主设备399是可操作的时，测试在该主设备399内的芯片792(图 2中示出)与存储器控制器芯片112(图2中示出)之间传输的RF信号。例 如，由示波器190的信道连接器192A从主设备399的芯片792接收RF信 号116B。在这一示例中，RF信号116B是经由传输介质384、过孔和与该传 输介质384耦合的传输介质的组合714、与该连接介质714耦合的电阻器 138B、与该电阻器138B耦合的微带传输线716、与该微带传输线716耦合 的RF连接器172F以及与该RF连接器172F耦合的RF线缆184F的RF匹 配连接器186F(图5中示出)接收的。在这一示例中，通过该信道连接器 192A经由传输介质386、过孔和传输介质的组合752、该微带传输线716的 接地传输介质、RF连接器172F以及该RF线缆184F从该主设备399内的 芯片792处接收接地信号108。

在一些实施方式中，RF信号是数据信号、控制信号或功率信号。控制 信号的示例包括指令信号、使能信号、时钟信号和地址信号。数据信号用于 传递数据。功率信号用于传递功率。接地信号用于提供参考电压给另一个信 号，另一个信号例如为：功率信号、数据信号或控制信号。在一实施方式中， 接地信号具有零电压或其他低电压，例如负电压。

示波器190在显示屏354上显示代表差分信号的波形352，该差分信号 代表RF信号116B和接地信号108之间的电压差。使用者研究该波形352 以确定该主设备399内的芯片是否如预期的那样起作用。类似地，在该示波 器190上显示与电路子系统187通信的其他信号，下面参照图2进行描述。

图2是一种用于测试在存储器芯片132和存储器控制器芯片112之间以 及在该存储器芯片控制器112和控制器104之间传输的RF信号的测试系统 100的实施方式的框图。在一些实施方式中，该存储器芯片控制器112和该 存储器芯片132被封装为安全数字(SD)卡或微SD封装体。该SD卡或微 SD封装体是该电路子系统187(图1)的一部分。在一个示例中，存储器控 制器芯片112包括存储器控制器320，其用于将接收自该控制器104的处理 器的指令信号转换为读信号或写信号。该读信号被发送给该存储器芯片132， 以读取存储在集成电路298内的数据，该集成电路298是存储器阵列。该写 信号被发送给该集成电路298，以将数据写入该存储器阵列。存储器阵列的 示例包括非易失性存储器、易失性存储器、闪存器、NAND型存储器、NOR 型存储器、随机存取存储器、只读存储器和电可擦可编程只读存储器 (EEPROM)。

在一实施方式中，在接收到指令信号后，该存储器控制器320还向该存 储器阵列发送其他信号，诸如时钟信号、读使能信号、存储器地址信号和写 使能信号。在发送读信号之前发送该读使能信号，以使能从该存储器阵列读 取数据，并且在发送写信号之前发送该写使能性信号，以使能对该存储器阵 列写入数据。存储器地址信号包括地址，诸如从其读取数据或对其写入数据 的该存储器阵列的存储器位置的行地址和列地址。

该主设备399包括电源284，其经由电源垫286和接地垫288对芯片132 和112供电。例如，为了给集成电路298供电，该电源284经由存储器芯片 132的电源垫290和输入/输出(I/O)300提供射频(RF)信号116B。此外， 在这一示例中，为了给集成电路298供电，电源284经由芯片132的接地垫 292和I/O300提供接地信号108。芯片132的每一电路组件，诸如集成电路 298或输入/输出(I/O)电路300，经由电源垫290接收RF信号116B，并且 经由该接地垫292接收接地信号108。在另一示例中，为了给存储器控制器 芯片112供电，该电源284经由电源垫294和I/O140给该存储器控制器320 提供RF信号116B，并且经由该存储器控制器芯片112的接地垫296和该 I/O140给该控制器320提供接地信号108。存储器控制器芯片112的每一电 路组件，诸如控制器320或I/O电路140，经由该电源垫294接收RF信号 116B，并且经由该接地垫296接收接地信号108。

在一些实施方式中，存储器芯片132具有其自己的电源，该电源位于包 括该存储器芯片132的芯片封装体内。在其他实施方式中，存储器控制器芯 片112具有其自己的电源，该电源位于包括该存储器控制器芯片112的芯片 封装体内。在一实施方式中，包括该存储器控制器芯片112和存储器芯片132 的芯片封装体具有其自己的电源，该电源位于该芯片封装体内。

I/O电路允许芯片和位于该芯片外的电路组件之间的接口连接。例如， 该I/O电路300利于集成电路298和存储器芯片132之间经由传输线路304 的传输。在一些实施方式中，I/O电路包括三态缓冲器。

在一实施方式中，I/O电路300与电路元件302经由垫396B、电路元件 308和垫310耦合。该垫396B附接于存储器芯片132。如在本文中使用的， 电路元件指的是一个或多个电阻器、一个或多个电感器和/或一个或多个电容 器。在一些实施方式中，电路元件彼此串联连接、并联连接或以其组合方式 连接。

类似地，该I/O电路140与电路元件(CE)302经由垫312、垫152A 和电路元件(CE)314耦合。该I/O电路140耦合至存储器控制器320。存 储器芯片132上的垫396B上的点394B利于存储器芯片132和例如存储器 控制器芯片112的另一芯片之间的RF信号的传输。

示波器190与垫152A上的点292B和垫152B上的点292C耦合。类似 地，该示波器190与点394B和垫396C上的另一点394C耦合。而且，该示 波器190与存储器控制器芯片112的连接点410和连接点422耦合。该示波 器190与点292B和292C的连接利于RF信号116A和接地信号108的开尔 文(Kelvin)探测。在一实施方式中，RF信号116A与例如存储器芯片132的 另一芯片通信。类似地，示波器190与点394B和394C的连接利于RF信号 796和接地信号108的Kelvin探测。该RF信号796在该存储器芯片132和 例如存储器控制器芯片112的另一芯片之间传输。此外，示波器190与连接 点410和422的连接利于RF信号116C和接地信号108的Kelvin探测。

这种Kelvin探测避免了因电路元件308、302和/或314产生的信号噪声。 例如，如果用示波器190探测到传输线路304上的一信号，从I/O300输出 的信号可能会被电路元件308干扰。因此，在这种情况下，示波器190显示 代表被干扰的信号的波形，这是不合需要的。应注意，在一些实施方式中， 探测、检测和测量在此可互换地使用。

示波器190接收与不同垫耦合的多信道连接器192，以探测不同的信号。 例如，信道连接器192C与垫396B和396C耦合，以探测传输到或来自I/O300 的RF信号796和接地信号108，并且信道连接器192B与点292B和292C 耦合，以探测传输到或来自I/O140的RF信号116A和接地信号108。在另 一示例中，信道连接器192A与连接点410耦合，以探测传输到或来自I/O790 的RF信号116C，并且信道连接器192A与点410耦合，以探测传输到或来 自I/O790的接地信号108。在示波器190的显示屏354上显示代表探测到的 信号的波形352，该信号例如为RF信号116C、116B或RF信号116A。

应注意的是，在一些实施方式中，参考接地信号108来探测RF信号。 例如，经由RF线缆(如下描述)耦合至示波器190的RF连接器(也如下 描述)同时接收RF信号和该接地信号108，以探测该RF信号。

图3A是用于测试RF信号796、RF信号116A、RF信号116B和RF信 号116C的电路子系统187的实施方式的等轴视图。该电路子系统187的层 102是柔性层的硬质层，以下对其进一步描述。

多个传输介质382、384和386铺设在层102的下方。每一传输介质382、 384和386利于与控制器104(图1)的处理器的RF信号传输。层的传输介 质包括导电体，其由导电金属制成，诸如铜、银或金。在一些实施方式中， 传输介质是配线、金属指状物或金属导体迹线。层的该金属导体迹线的至少 一部分嵌在该层内。在各种实施方式中，传输介质为球形阵列或焊垫阵列。 在一实施方式中，使用沉积工艺将传输介质铺设在层之上，该沉积工艺诸如 为化学气相沉积或原子层沉积。在一些实施方式中，层的一部分被刻蚀移除， 以在被刻蚀的部分内沉积传输介质。

在各种实施方式中，传输介质是微带传输线的一部分，该微带传输线利 于RF信号的传输。该微带传输线还包括传递接地信号108的接地传输介质。 传输线具有恒定阻抗，例如，在45欧姆至55欧姆的范围内，以用于高频信 号。例如，传输线具有50欧姆的阻抗。

传输介质382传导RF信号116B，传输介质384传导RF信号116C，并 且传输介质386传导接地信号108。在各种实施方式中，在层102下方铺设 任意数量的传输介质。

层120被置于层102上，以便位于层102和层106之间。在一个示例中， 层120是硬质层。在另一个示例中，层120是柔性层。在一个示例中，层106 是硬质层或是柔性的。在一实施方式中，各种电路组件，诸如一个或多个存 储器、一个或多个存储器控制器、一个或多个处理器、一个或多个I/O和/ 或一个或多个RF振荡器，位于层120上并且经由层120的一个或多个传输 介质彼此电连接。在一些实施方式中，层120不包括电路组件。

层106与接地信号108耦合。在一实施方式中，层106包括传递接地信 号108的多个接地连接介质142(图4C下方所示)，并且层106不传递除该 接地信号108之外的任何其他信号。在各种实施方式中，每一接地传输介质 142A、142B、142C、142D、142E、142F、142G和142H是传导该接地信号 108的金属层。每一接地传输介质142铺设在层106顶之上，以使得每一接 地传输介质142的至少一部分嵌在层106内。在一些实施方式中，使用沉积 工艺铺设每一接地传输介质142。

层110被置于层106之上并且与存储器控制器芯片112耦合。层110是 硬质层或是柔性的。硬质层的示例包括衬底或印刷电路板(PCB)的衬底。 柔性层的示例包括柔性线缆。存储器芯片132位于层110之上并且附接于层 110。在一些实施方式中，芯片通过球栅阵列或其他导体阵列而附接至层。 在其他实施方式中，芯片经由嵌在层内的垫而附接于该层。

存储器控制器芯片112位于存储器芯片132之上并且附接于存储器芯片 132。在一些实施方式中，该存储器控制器芯片112不位于存储器芯片132 之上，而是位于存储器芯片132旁边并且在层110之上。在这些实施方式中， 存储器控制器芯片112附接于层110。在一实施方式中，使用受控制器控制 的芯片来取代存储器芯片132。

垫152A上的点292A利于存储器控制器芯片112与其他芯片之间的RF 信号116A的传输。垫152A附接于存储器控制器芯片112。在一些实施方式 中，将垫附接于芯片或层的表面是通过将该垫的材料沉积至该表面的沉积工 艺来完成的。引线154A与点292A耦合。该引线154A进一步与附接于层 110的垫283A耦合。该垫283A通过传输介质290A、连接点146以及过孔 144A耦合至层120。在一些实施方式中，连接点是垫。

过孔144A延伸通过层110和106，以用层120上的连接点传输RF信号 116A。在一些实施方式中，过孔144A与层120内的一个或多个传输介质耦 合，并且该一个或多个传输介质与位于层120上的一个或多个电路组件耦合 以传输RF信号116A。

在一实施方式中，过孔144A与层120内的一个或多个传输介质耦合， 并且该一个或多个传输介质通过一个或多个过孔与该传输介质382、384和 386耦合。

在各种实施方式中，当存储器控制器芯片112位于层120上时，过孔144A 与连接至存储器控制器芯片112的传输介质耦合。该过孔144A与该传输介 质耦合以传导RF信号116A。当存储器控制器芯片112位于层120上时，该 存储器控制器芯片112位于层120和106之间。

此外，垫152A上的点292B利于存储器控制器芯片112和示波器190 (图1)之间的RF信号的传输。引线154B与点292B耦合。该引线154B 还与附接至层110的垫283B耦合。该垫283B与电阻器138A经由传输介质 290B耦合，该电阻器138A进一步与RF连接器172D经由传输介质136A 耦合，该RF连接器172D的至少一部分嵌在该层110内。在一实施方式中， 通过刻蚀层的一部分并且将RF连接器放置在该部分内，使该RF连接器的 至少一部分嵌在该层内。类似地，每一RF连接器172A、172B、172C、172D、 172E、172F、172G和172H的至少一部分嵌在层110内。

图4中所示的匹配RF连接器186D与RF连接器172D耦合。图5中所 示的RF连接器172D的边缘299D与接地传输介质142C耦合。此外，该匹 配RF连接器186D的边缘295D与该边缘299D耦合，以将接地信号108传 输给信道连接器192B(图1)。

类似地，每一RF匹配连接器186A、186B、186C、186E、186F、186G 和186H与RF连接器172A、172B、172C、172E、172F、172G和172H中 的一个对应连接器耦合。应注意的是，可使用任意数量的RF连接器172和 任意数量的RF匹配连接器172。

RF匹配连接器186D与信道连接器192B(图1)经由图5中下方所示 的线缆184D耦合。类似地，每一其余匹配RF连接器186A、186B、186C、 186E、186F、186G和186H经由各自的线缆184A、184B、184C、184E、184F、 184G和184H耦合至示波器190的各个信道连接器。

在一些实施方式中，并不嵌置每一RF连接器172的一部分，而是将RF 连接器172与扩展部的边缘401以及与对应的传输介质136耦合，并且RF 连接器172的边缘与对应的接地传输介质142耦合。

电路子系统187的扩展部122包括层102的一部分、层120的一部分、 层106的一部分以及层110的一部分。电路子系统187的其余部分124包括 层102的其余部分、层120的其余部分、层106的其余部分以及层110的其 余部分。

在一实施方式中，层106和110的该部分124、存储器芯片132以及存 储器控制器芯片112被封装为存储器芯片卡，诸如SD卡或微SD卡。在这 一实施方式中，扩展部122以及层106和110的部分124被添加至层106和 110的该部分124。例如，层102和120的扩展部122被焊接至层102和120 的该部分124。

图3B是图3A的电路子系统187的一部分602的实施方式的等轴视图。 引线602A与垫152B上的点292C耦合。该垫152B附接于存储器控制器芯 片112(图2A)。该引线602A还与附接于层110(图2A)的垫604A耦合。 该垫604A与传输介质606A耦合，该传输介质606A与过孔610A经由连接 点608A耦合。该过孔610A延伸通过层110(图2A)，以与接地传输介质 142C(图4C)耦合。

此外，引线602B与垫152B上的点292D耦合。该引线602B还与附接 于层110(图2A)的垫604B耦合。该垫604B与传输介质606B耦合，该传 输介质606B与过孔610B通过连接点608B耦合。过孔601A延伸通过层110 和106并延伸至层120，以与接收来自电源284(图1)的接地信号108的传 输介质耦合。

在存储器控制器芯片112位于层120之上的实施方式中，芯片经由嵌在 层120内的传输介质来接收来自电源284的接地信号108。该过孔601A与 嵌在层120内的传输介质耦合。

通过探测RF信号116A和接地信号108来提供差分信号。通过过孔 610B、连接点608B、传输介质606B、垫604B、引线602B、垫152B、引线 602A、垫604A、传输介质606A、连接点608A、过孔610A、接地传输介质 142C、RF连接器172D的边缘299D、匹配RF连接器186D的边缘295D以 及线缆184D，将接地信号108从接地垫296(图1)传输至信道连接器192B (图1)。此外，参照图3A，通过过孔144A、连接点146、传输介质290A、 垫283A、引线154A、垫152A、引线154B、垫283B、传输介质290B、电 阻器138A、传输介质136、RF连接器172D、匹配RF连接器186D以及线 缆184D，将RF信号116A从层120传输至信道连接器192B(图1)。

过孔158延伸通过层102、120、106和110，以与层110之上的连接点 156耦合。连接点102与位于层110之上的电阻器138B经由传输介质404 耦合。该电阻器138B与RF连接器172F经由传输介质136B耦合。图4D 中所示的匹配RF连接器186F与RF连接器172F耦合。该匹配RF连接器 186F与信道连接器192D(图1)经由线缆184F耦合。

另一过孔166延伸通过层102、120、106和110，以与层110之上的连 接点422耦合。该连接点422与层110之上的连接点162经由传输介质420 耦合。该连接点162通过过孔160耦合至接地传输介质142F。图4D所示的 RF连接器172F与接地传输介质142E经由RF连接器172F的边缘299F(图 5)耦合，并且匹配RF连接器186F与边缘299F经由边缘295F耦合。该匹 配RF连接器186F与信道连接器192D(图1)经由线缆184F耦合。

此外，过孔408延伸通过层102、120、106和110，以与连接点410耦 合。该连接点410与传输介质412耦合，该传输介质412经由电阻器138C 耦合至另一传输介质136C。该传输介质136C耦合至RF连接器172E，该 RF连接器172E与图5中所示的匹配RF连接器186E耦合。该匹配RF连接 器186E经由线缆184E耦合至图1中所示的信道连接器192A。而且，该RF 连接器172E的边缘299E经由层110耦合至接地平面142F，并且该匹配RF 连接器186E的边缘295E与边缘299E耦合。

在一实施方式中，连接点156、410和422的数量等于传输介质382、384 和386的数量。在一些实施方式中，在层102下方铺设附加的传输介质，诸 如传输介质382、384和386，并且连接点(诸如连接点156、410和422) 的数量与层102下方的传输介质的数量相匹配。

通过接收并探测RF信号116C和接地信号108来提供差分信号。通过 连接点422、传输介质420、连接点162、过孔160、接地传输介质142F、 RF连接器172E的边缘299E、匹配RF连接器186E的边缘295E以及线缆 184E，将该接地信号108从过孔166传输至信道连接器192A(图1)。类似 地，将该RF信号116C从过孔408(图2A)、连接点410、传输介质412、 电阻器138C、传输介质136C、RF连接器172E、RF匹配连接器186E、线 缆184E传输至信道连接器192A(图1)。

此外，通过连接点156、传输介质404、电阻器138B、传输介质136B、 RF连接器172F、匹配RF连接器186F和线缆184F，将RF信号116B从过 孔158传输至信道连接器192D(图1)。

在各种实施方式中，RF信号116C不同于RF信号116B。例如，如果 RF信号116B是功率信号，则RF信号116C是控制信号或数据信号。

在一些实施方式中，在任意两个相邻层之间设置介电层。例如，在层102 和120之间设置一电介质，在层120和106之间设置另一电介质，并且在层 106和110之间设置又一电介质。

应注意的是，在一实施方式中，每一电阻器138A、138B、138C和138D 具有电阻，以降低经由该电阻器传输至示波器190的RF信号的电压。例如， 任意电阻器138具有在3K欧姆至7K欧姆范围内的电阻。在另一示例中， 任意电阻器138具有千欧姆的电阻。为了避免使诸如点292B(图3A)、连 接点156和连接点410的检测点过载，将多个电阻器138附接在每一传输介 质136A、136B和136C的一端处。电阻器138的使用利于高阻抗连接并且 同时衰减测量信号，例如RF信号116。

此外，应注意的是，每一传输介质290A(图3)、606A、606B和420 (图3A)充当具有寄生电感的迹线，其可衰减相应信号116A、108和116C 的高频部分并且通常长度较短。例如，传输介质290A、606A和606B的长 度短于传输介质136A的长度。而且，传输介质420的长度短于传输介质136B 和404(图2A)的组合的长度，并且短于传输介质136C和412(图2A)的 组合的长度。

还应注意的是，在其他实施方式中，可以与探测该存储器控制器芯片112 类似的方式探测任意其他芯片。例如，以与探测该存储器控制器芯片112类 似的方式探测该存储器芯片132。

此外，尽管在上述实施方式中层102、120、106和110被描述为按顺序 设置，但在一些实施方式中，层102、120、106和110可以与图3A中所示 不同的顺序设置。例如，层110位于层106下方。此外，层106位于层120 之上，层120位于层102之上。在一些实施方式中，过孔158、408和166 延伸通过层110、120和102。此外，过孔144A延伸通过层110，以与层120 耦合。而且，过孔610A和160延伸通过层106，以通过上述方式与对应的 接地传输介质142耦合。过孔610B延伸通过层110，以耦合至层120的传 输介质。

在另一实施方式中，电路子系统187不包括层102和120。在这一实施 方式中，存储器控制器芯片112通过过孔144A以及一个或多个传输介质与 层106的电路组件耦合。在这一实施方式中，层106传输接地信号108和其 他经由该一个或多个传输介质传输的RF信号，例如RF信号116A。

在又一实施方式中，除了不包括层102和120而包括存储器控制器芯片 112与层106的电子组件之间的耦合之外，传输介质382、384和386铺设在 层106下方，并且过孔158、408和166延伸至层106。此外，在这一实施方 式中，该传输介质382、384和396用于以与上述类似的方式传输信号。

在另一实施方式中，电路子系统187不包括层102和120。此外，存储 器控制器芯片112和/或存储器芯片132不与层110耦合。而且，传输介质 382、384和386铺设在层106下方，并且过孔158、408和166延伸至层106。

在电路子系统187不包括层102和120的实施方式中，扩展部112包括 层110和106的部分，并且部分124包括层110和106的其余部分。

在又一实施方式中，电路子系统187不包括层102以及过孔158、408 和166。

在另一实施方式中，电路子系统187不包括层102，并且传输介质382、 384和386铺设在层120下方。此外，在这一实施方式中，过孔158、408 和166延伸至层120。

在电路子系统187不包括层102的实施方式中，扩展部122包括层120、 106和110的一部分，并且部分124包括层120、106和110的其余部分。

图4A是层102的实施方式的仰视图。在该仰视图中可见传输介质382、 384和386。

图4B是层120的实施方式的俯视图。

图4C是层106的实施方式的俯视图。接地传输介质142铺设在层106 之上，以传输接地信号108。

图4D是层110的实施方式的俯视图。如所示，层110容纳RF连接器 172，该RF连接器172接收RF匹配连接器186。

图5是RF连接器172、RF匹配连接器186和线缆184的实施方式的 等轴视图。每一RF连接器包括与接地信号108耦合的边缘。例如，RF连接 器172A包括边缘299A，RF连接器172B包括边缘299B，RF连接器172C 包括边缘299C，RF连接器172D包括边缘299D，RF连接器172E包括边缘 299E，RF连接器172F包括边缘299F，RF连接器172G包括边缘299G，以 及RF连接器172H包括边缘299H。

每一RF匹配连接器包括与对应的RF连接器耦合的边缘。例如，RF匹 配连接器186A包括与边缘299A耦合的边缘295A，RF匹配连接器186B包 括与边缘299B耦合的边缘295B，RF匹配连接器186C包括与边缘299C耦 合的边缘295C，RF匹配连接器186D包括与边缘299D耦合的边缘295D， RF匹配连接器186E包括与边缘299E耦合的边缘295E，RF匹配连接器186F 包括与边缘299F耦合的边缘295F，RF匹配连接器186G包括与边缘299G 耦合的边缘295G，并且RF匹配连接器186H包括与边缘299H耦合的边缘 295H。

应理解的是，上述实施方式可应用于任何具有用于信号测量的I/O接口 的用户识别模块(SIM)卡。

虽然为了清楚理解起见而对前述发明以某些细节进行了描述，但是，显 然，可以在所附权利要求的范围内实行某些改变和修改。因此，本发明的实 施方式应认为是示例性的而非限制性的，并且这些实施方式不受限于本文描 述的细节，而是可以在随附权利要求书的范围和等同物内进行修改。