公开/公告号CN103928347A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201410172389.8
发明设计人 温振平;
申请日2014-04-25
分类号H01L21/336;
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2023-12-17 00:35:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-16
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20140716 申请日:20140425
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-08-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20140425
实质审查的生效
2014-07-16
公开
公开
机译: 在鳍隔离结构上具有绝缘结构的鳍场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法
机译: 在鳍隔离结构上具有绝缘结构的鳍场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法
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