自然音效处理电路

摘要

自然音效处理电路包括第一集成运放、第二集成运放、第一输入耦合电容至第四输入耦合电容、第一高音补偿电容和第二高音补偿电容、第一滤波电容至第四滤波电容、第一输出耦合电容和第二输出耦合电容、第一电阻至第八电阻。上述发明可有效抑制高频噪声，同时，通过高音补偿和信号放大使得输出音频的泛音特性基本不受抑制高频噪声的影响，从而使得本处理电路所输出的音频品质高。另外，本电路选用一定物理特性的元件，可更优化本处理电路的音频品质。

说明书

 

技术领域

本发明涉及一种自然音效处理电路。

 

背景技术

    数字音频电路在数模转换过程中必然会携带非音频信号的高频噪声，现有的音频信号处理电路一般对高频噪声进行抑制处理，然而，同时也抑制了音频信号的泛音特性，使得音频信号失去自然界声音具有回响的泛音特性。

电子产品一般要求低功耗设计，音频信号处理电路一般采用3.3V或更低的电压供电，此种由低电压供电的音频信号处理电路目前仍然不能处理好音频信号的自然特性。

 

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的旨在于提供一种可解决上述技术问题自然音效处理电路。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种自然音效处理电路，其包括第一集成运放、第二集成运放、第一输入耦合电容至第四输入耦合电容、第一高音补偿电容和第二高音补偿电容、第一滤波电容至第四滤波电容、第一输出耦合电容和第二输出耦合电容、第一电阻至第八电阻；

该第一集成运放的同相端依次通过第一电阻和第一输入耦合电容连接音频左声道差分信号正输入端或音频左声道单信号端，对应地，该第一集成运放的反相端依次通过第二电阻和第二输入耦合电容连接音频左声道差分信号负输入端或接地端；第一高音补偿电容的一端连接第一集成运放的同相端，第一高音补偿电容的另一端连接第一集成运放的反相端，还通过第三电阻连接第一集成运放的输出端；第一集成运放的同相端还通过第一滤波电容接地，第一集成运放的反相端还通过第二滤波电容连接第一集成运放的输出端；该第一高音补偿电容的一端还通过第四电阻和第五电阻接地，第四电阻和第五电阻之间的节点通过第一电容接地，还连接第一电源，还通过第六电阻连接第一集成运放的电源端；

该第二集成运放的同相端依次通过第七电阻和第三输入耦合电容连接音频右声道差分信号正输入端或音频右声道单信号端，对应地，该第二集成运放的反相端依次通过第八电阻和第四输入耦合电容连接音频右声道差分信号负输入端或接地端；该第一集成运放的同相端还通过第三滤波电容接地，该第二集成运放的反相端还通过第四滤波电容连接第二集成运放的输出端；该第二高音补偿电容的一端连接该第二集成运放的同相端，还通过第九电阻连接第一电源，该第二高音补偿电容的另一端连接该第二集成运放的反相端，还通过第十电阻连接第二集成运放的输出端；

该第一集成运放和第二集成运放的输出端分别通过第一输出耦合电容和第二输出耦合电容连接输出端口。

进一步地，该自然音效处理电路还包括第十一电阻和第十二电阻，第十一电阻连接于该第一高音补偿电容的一端和该第一集成运放的同相端之间，该第十二电阻连接于该第一高音补偿电容的另一端和该第一集成运放的反相端之间。

进一步地，该自然音效处理电路还包括第十三电阻和第十四电阻，该第十三电阻连接于该第二高音补偿电容的一端和该第二集成运放的同相端之间，该第十四电阻连接于该第二高音补偿电容的另一端和该第二集成运放的反相端之间。

进一步地，该自然音效处理电路还包括第十五电阻至第十七电阻、第二电容至第五电容；第二电源连接第一集成运放的电源端，第二电容和第三电容相并联连接，第二电容的一端连接第二电源，第二电容的另一端接地，还通过第十五电阻接地，第十六电阻的一端连接于第一输出耦合电容和输出端口之间，第十六电阻的另一端接地，第十七电阻的一端连接于第二输出耦合电容和输出端口之间，第十七电阻的另一端接地；第四电容的一端连接第一输入耦合电容和第一电阻之间，第四电容的另一端连接第二输入耦合电容和第二电阻之间；第五电容的一端连接第三输入耦合电容和第七电阻之间，该第五电容的另一端连接第四输入耦合电容和第八电阻之间。

进一步地，第一输入耦合电容至第四耦合电容均为钽电容或薄膜电容。

进一步地，第一输入耦合电容至第四耦合电容的电容值范围均为0.47微法~10微法。

进一步地，第一滤波电容至第四滤波电容的电容量范围均为5皮法至100皮法。

进一步地，第一集成运放和第二集成运放为FET结构的集成电路芯。

进一步地，第一输出耦合电容和第二输出耦合电容均为钽电容或薄膜电容或电解电容。

进一步地，第一输出耦合电容和第二输出耦合电容的电容量取值范围均为2.2微法至100微法。

本发明的有益效果如下：

上述发明可有效抑制高频噪声，同时，通过高音补偿和信号放大使得输出音频的泛音特性基本不受抑制高频噪声的影响，从而使得本处理电路所输出的音频品质高。另外，本电路选用一定物理特性的元件，可更优化本处理电路的音频品质。

 

附图说明

图1为本发明自然音效处理电路的较佳实施方式的电路图。

图2为本发明自然音效处理电路的另一较佳实施方式的电路图。

 

具体实施方式

下面将结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述：

请参见图1和图2，本发明涉及一种自然音效处理电路，即用于生成自然音效的音频信号处理电路，其较佳实施方式包括集成运放U1、集成运放U2、电阻R1至电阻R17和电容C1至电容C17。

该集成运放U1的同相端依次通过电阻R1、电阻R2和电容C1连接音频左声道差分信号正输入端SPK_LP或音频左声道单信号端SPK_LP0，对应地，该集成运放U1的反相端依次通过电阻R3、电阻R4和电容C2连接音频左声道差分信号负输入端SPK_LN或接地端GND。电容C14的一端连接电阻R2和电阻R1之间，电容C14的另一端连接电阻R4和电阻R3之间，还通过电阻R5连接集成运放U1的输出端。集成运放U1的同相端还通过电容C3接地，集成运放U1的反相端还通过电容C4连接集成运放U1的输出端。该电容C14的一端还通过电阻R6和电阻R7接地，电阻R6和电阻R7之间的节点通过电容C5接地，还连接电源VCOM。

该集成运放U2的同相端依次通过电阻R9、电阻R10和电容C6连接音频右声道差分信号正输入端SPK_RP或音频右声道单信号端SPK_RP0，对应地，该集成运放U2的反相端依次通过电阻R12、电阻R11和电容C7连接音频右声道差分信号负输入端SPK_RN或接地端GND。该集成运放U2的同相端还通过电容C8接地，该集成运放U2的反相端还通过电容C9连接集成运放U2的输出端。该电容C15的一端连接该电阻R10和电阻R9之间，还通过电阻R14连接电源VCOM，该电容C15的另一端连接该电阻R11和电阻R12之间，还通过电阻R13连接集成运放U2的输出端。该集成运放U1和集成运放U2的输出端分别通过电容C10和电容C11连接输出端口10，电阻R16的一端连接于电容C10和输出端口10之间，电阻R16的另一端接地，电阻R17的一端连接于电容C11和输出端口10之间，电阻R17的另一端接地。电源VDD连接集成运放U1的电源端，电阻R8连接于该电源VCOM和电源VDD之间，电容C12和电容C13相并联连接，电容C12的一端连接电源VDD，电容C12的另一端接地，还通过电阻R15接地。

上述电阻R7、电容C5和电阻R8构成的电路模块用于生成供给集成运放U1使用的参考电压。

电容C1、电容C2、电容C6和电容C7为输入耦合电容，为使得本电路的性能更好，本实施例中，电容C1、电容C2、电容C6和电容C7为钽电容或薄膜电容或电解电容，电容值范围为0.47微法~22微法。

电容C14和电容C15为高音补偿电容。

电容C3、电容C4、电容C8和电容C9为滤波电容，四者的电容量范围为10皮法至47皮法时，四者既可抑制高频噪声，对音频的泛音特性的影响也是最小的。

本实施例中，集成运放U1和集成运放U2为FET（Field Effect Transistor，场效应管）结构的集成电路芯片。

电容C10和电容C11为输出耦合电容，为使得本电路的性能更好，电容C10和电容C11为钽电容或薄膜电容或电解电容，三者的电容量取值范围均为2.2微法至100微法。

电阻R2、电阻R4和电阻R5用于控制集成运放U1的放大倍数；电阻R10、电阻R11和电阻R13用于控制集成运放U2的放大倍数。

本电路还包括电容C16和电容C17，电容C16的一端连接电容C6和电阻R10之间，电容C16的另一端连接电容C7和电阻R11之间。电容C17的一端连接电容C1和电阻R2之间，电容C17的另一端连接电容C2和电阻R4之间。

上述发明可有效抑制高频噪声，同时，通过高音补偿和信号放大使得输出音频的泛音特性基本不受抑制高频噪声的影响，从而使得本处理电路所输出的音频品质高。另外，本电路选用一定物理特性的元件，可更优化本处理电路的音频品质。

对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。