外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗

摘要

外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域，三种不同直径金属圆环分别作为基本圆环、连接圆环、填充圆环且按等边三角形排列、正六边形共边排列、正六边形共顶点排列密接排布构成二维网栅并加载于光窗透明基片表面；相同直径的金属圆环均相离，每个基本圆环外侧均有6个等间隔分布的连接圆环和6个等间隔分布的填充圆环与之外切连通；基本圆环内部含有与其内切连通的子圆环。在各圆环相切连通的连接处，通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属，确保所有圆环相互导电。本发明的金属网栅结构可显著的降低网栅高级次衍射光强分布的不均匀性，使衍射造成的杂散光分布更加均匀，对成像影响更小。

说明书

技术领域

本发明属于光学透明件电磁屏蔽领域，特别涉及一种外切圆环连接具有子圆环的三角分 布圆环阵列电磁屏蔽光窗。

背景技术

随着电磁波应用频谱的展宽和强度的增加，对航天航空装备、先进光学仪器、通讯设备、 医疗诊断仪器和保密设施等领域应用的电磁屏蔽光窗的要求越来越高，主要是要求光窗具有 超强的宽波段电磁屏蔽能力的同时，还具有极高的透光率，对光学成像、观测、探测的影响 越小越好。比如，航天航空装备领域中飞行器的光窗，必须高品质的实现舱内外的电磁信号 隔离，一方面屏蔽外部电磁干扰和有害电磁信号，以免造成舱内电子设备失效，一方面防止 舱内电子设备工作时电磁信号透出光窗造成电磁泄漏，但光窗的透光性是其必备的功能，对 光窗进行电磁屏蔽应尽可能的减小对其透明性的影响，特别是尽可能的不影响光学探测或光 学成像功能；与此类似，先进光学仪器的光窗也要有尽可能高的透光率和尽可能低的成像质 量影响，以实现高品质的探测和测量，同时要防止电磁干扰对仪器内部光电探测器件的影响； 对于党政机关、军事指挥场所、重要科研单位的保密建筑设施，需要对其房屋的窗玻璃在保 证采光性的同时，进行电磁屏蔽设计，以防止室内电脑等电子设备工作时重要信息以电磁辐 射形式向窗外传播造成泄密；医疗用电磁隔离室光窗要保证室内的电磁波绝大部分被屏蔽而 防止室外操作人员长期被电磁波辐射而损害健康，等等。目前这类光窗的电磁屏蔽主要采用 透明导电薄膜、金属诱导透射型多层膜结构、带阻型频率选择表面和具有毫米亚毫米周期的 金属网栅等。

透明导电薄膜是一种以氧化铟锡为主要材料的透明金属氧化物薄膜，常应用于可见光波 段透明的场合，但是不能兼顾较宽的透光波段，虽具有较宽的微波屏蔽波段但屏蔽能力不强。 金属诱导透射型多层膜结构采用多层薄金属膜与介质膜复合结构来实现对电磁波的屏蔽，对 低频微波屏蔽能力较强，透光区域主要为可见光和紫外光，但透光率不高。频率选择表面采 用周期性谐振单元结构实现带通或带阻滤波器功能，由于其金属覆盖率较高，能够很好地反 射工作频带以外的干扰电磁波，但是光学透光率较低，降低了光学探测的成像质量，给光学 图像处理、模式识别、目标搜索和跟踪带来了困难。综上所述，同时满足光窗的宽波段高透 光率和宽频段电磁屏蔽两个要求，上述各技术方案均存在明显不足。相比而言，具有毫米亚 毫米周期的金属网栅，由于其周期比干扰电磁波长小得多，可以实现较强的低频宽波段电磁 屏蔽；而金属网栅周期又远大于光学波长，可以保证光学波段的透光率。因此，毫米亚毫米 周期的金属网栅具有良好的透明导电性能，可满足光窗对高透光率和宽频段电磁屏蔽的要求， 在光窗电磁屏蔽技术领域得到了广泛的应用。

1.专利03135313.5“一种电磁屏蔽观察窗”用单重或多重金属丝网以及类半导体量子阱 结构组合成电磁屏蔽结构，可实现10GHz以内超过50dB的屏蔽效率，该结构在可见光高透 射区域的透光率达到50％以上。

2.专利93242068.0“电磁屏蔽玻璃”在两层玻璃之间夹导电金属网，在玻璃外侧用导电透 明膜使之粘合在金属窗框上以构成电磁屏蔽结构，该结构有一定的采光性。

3.专利94231862.5“无莫尔条纹电磁屏蔽观察窗”采用由两层数目不同的金属网平行放 置，且它们经线或者纬线有一定的夹角，以达到克服莫尔条纹现象，实现更清晰的视野。

4.专利02157954.7“高屏效防信息泄漏玻璃”在金属丝网两侧各有一层聚碳酸脂胶片，胶 片外侧各贴附一层玻璃，最后热压而成电磁屏蔽结构，该结构在透光率达到60％的情况下， 具有较强的屏蔽效率。

5.专利200610084149.8“电磁波屏蔽薄膜及其制造方法”描述了一种由光刻工艺形成的 具有金属网状图案的高透明电磁屏蔽薄膜，该发明的主要目的在于减少金属耗用量和克服在 金属层和薄膜基材之间使用固化胶造成的环境污染。

6.美国专利US4871220“Short wavelength pass filter having a metal mesh on a  semiconducting substrate”描述了一种具有正方形结构的金属网栅，用于实现光窗的抗电磁干扰 性能。

7.专利201010239355.8“一种具有经纬形网栅结构的电磁屏蔽共形光学窗”描述了一种 通过金属网栅技术和共形光学窗技术实现的具有经纬形金属网栅结构的共形电磁屏蔽光学 窗，主要解决共形光学窗金属网栅的结构设计问题，提高共形光学窗的电磁屏蔽性能。

8.专利200610010066.4“具有圆环金属网栅结构的电磁屏蔽光学窗”描述了一种具有圆 环外形的金属网栅单元，用于实现光学窗的电磁屏蔽功能；相比单层方格金属网栅，透光率 和屏蔽能力得到了提高，高级次衍射造成的杂散光也得到了一定的均化。

9.专利200810063988.0“一种具有双层方格金属网栅结构的电磁屏蔽光学窗”描述了一 种由结构参数相同的方格金属网栅或金属丝网平行放置于光学窗或透明衬底两侧构成的电磁 屏蔽光学窗，在不降低透光率的同时，大幅度提高了电磁屏蔽效率。

10.专利200810063987.6“一种具有双层圆环金属网栅结构的电磁屏蔽光学窗”描述了一 种由两层圆环金属网栅加载于光学窗两侧构成的电磁屏蔽光学窗，解决高透光率和强电磁屏 蔽效率不能同时兼顾的问题。

11.美国Battelle研究院Jennifer I.Halman等人开发的基于圆环单元的毂-辐条型结构和多 圆环交叠结构的感性金属网栅(Jennifer I.Halman等，“Predicted and measured transmission and  diffraction by a metallic mesh coating”.Proc.SPIE，2009，7302：73020Y-1～73020Y-8)，并认 为，使得网栅高级次衍射分布均化，实现低旁瓣，对成像有利。

12.美国Exotic Electro-Optics公司的Ian B.Murray、美国亚利桑那大学的Victor Densmore 和Vaibhav Bora等人共同报道了对毂-辐条型结构和多圆环交叠结构的感性网栅引入了参数随 机分布设计后对衍射特性的影响(Ian B.Murray，Victor Densmore，Vaibhav Bora等人， “Numerical comparision of grid pattern diffraction effects through measurement and modeling with  OptiScan software”，Proc.SPIE，2011，8016：80160U～1-80160U-15)，指出各圆环间距和直 径在一定范围内随机取值，有利于提高高级次衍射分布的均匀性。

上述各方案由于采用金属网栅(或金属丝网)作为屏蔽的核心器件，可以实现较好的电 磁屏蔽效果和一定的透光率。但采用金属网栅(或金属丝网)作为电磁屏蔽结构，就不可避 免的受到网栅在光学波段衍射的影响。由于金属网栅的周期在毫米或者亚毫米量级，为实现 较高的透光率，其金属线条宽度一般在微米和亚微米量级，这样的结构参数在光学波段具有 非常强的衍射效应。入射光绝大部分能量被金属网栅透射，透射部分包含零级衍射光和高级 次衍射光，通常，零级次衍射光是用于成像和观测的有用信息，高级次衍射光则构成杂散光， 对成像和探测产生干扰。因此，应尽可能的提高零级次衍射光所占的比重，同时，在高级次 衍射光不可避免出现的前提下，尽可能使高级次衍射光分布比较均匀，其形成的杂散光成为 比较均匀的背景或者噪声。

目前，金属网栅主要为传统方格网栅结构，如上述专利1-6所主要采用的结构(专利7 的结构由于加工在曲面之上，是一种类方格结构)，方格网栅结构透光能力与屏蔽能力存在固 有的矛盾，难以同时兼顾高透光率和强电磁屏蔽效率，特别是方格网栅的高级次衍射能量主 要集中在互相垂直的两轴上，对成像质量有一定的影响，甚至在高成像质量要求的场合难以 应用。改变网栅衍射特性一般需要改变其结构特征，上述专利200610010066.4“具有圆环金属 网栅结构的电磁屏蔽光学窗”提出用金属圆环构建成圆环金属网栅，改善了方格金属网栅高级 次衍射能量集中分布的缺点，并可以缓解其透光能力与屏蔽能力的矛盾。上述文献11和12 中，Jennifer I.Halman等人和Ian B.Murray等人，也都提出了基于圆环单元的金属网栅结构 来提高高级次衍射分布的均匀性，但Jennifer I.Halman等人的研究也是单周期圆环排列结构， 且排列方向确定，其对调节高级次衍射的作用与专利200610010066.4提出的结构相当，而Ian  B.Murray等人的研究虽然更进一步，提出随机交叠圆环结构，令圆环直径和间距在一定范围 内随机分布取值，实现进一步提高高级次衍射分布均匀性，但圆环直径和间距的随机分布改 变了网孔分布的均匀性，将损害电磁屏蔽效率。

随着电磁环境的日益复杂，对电磁屏蔽光窗的透光能力和电磁屏蔽能力的要求在不断提 高，尤其是在航空航天装备领域和先进光学仪器领域，已经要求光窗达到95％甚至更高的透 光率的同时，还具有极低的成像质量影响，在低于20GHz的微波频率范围实现30dB以上的 屏蔽效率，这使得现有的技术难以实现。专利200810063988.0和专利200810063987.6均采用 了双层金属网栅平行放置于光窗透明基片或衬底的两侧构成，两层金属网栅具有相同的单元 外形和结构参数，通过优化两层网栅的间距，实现不降低透光率的同时，大幅度提高了电磁 屏蔽效率。但这种双层网栅结构高级次衍射杂散光分布仍然与透光率相同的单层网栅相当， 不完全满足未来航空航天装备和先进光学仪器等领域对低成像质量影响的要求。

发明内容

本发明的目的在于克服上述已有的光窗电磁屏蔽技术方案的不足，特别是针对现有单层 方格金属网栅、单层圆环网栅、双层方格和圆环网栅存在高级次衍射造成的杂散光分布相对 集中的问题，研发一种外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗，达到实 现高级次衍射的深度均化和极低的成像质量影响的目的。

本发明采用的技术方案是：外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗， 其特征在于：电磁屏蔽光窗中的金属网栅由三种不同直径金属圆环分别作为基本圆环、连接 圆环、填充圆环且分别按等边三角形排列、正六边形共边排列、正六边形共顶点排列密接排 布构成二维网栅并加载于光窗透明基片表面；相同直径的金属圆环均相离，每个基本圆环外 侧均有6个等间隔分布的连接圆环和6个等间隔分布的填充圆环与之外切连通；在每个基本 圆环内设有与其内切连通、金属的子圆环，所述的基本圆环与其内切连通的子圆环共同构成 二维网栅结构的基本单元；网栅中基本圆环、连接圆环、填充圆环、子圆环的直径为毫米和 亚毫米量级，基本圆环、连接圆环、填充圆环、子圆环的金属线条宽度为微米和亚微米量级； 所述的等边三角形排列是指三个两两相邻的基本圆环的圆心连线构成等边三角形；所述的正 六边形共边排列是指相邻两个基本圆环各自外侧6个连接圆环的圆心连线构成的两个正六边 形有一条边重合，这条边两个端点为圆心对应的两个连接圆环是这两个相邻基本圆环共用的； 所述的正六边形共顶点排列是指相邻两个基本圆环各自外侧6个填充圆环的圆心连线构成的 两个正六边形有一个顶点重合，该顶点作为圆心对应的填充圆环是这两个相邻基本圆环共用 的；所述的外切连通包括：①两圆环外切且外切切点处设置将两圆环连通的连接金属，②两 圆环在连接处线条呈无缝交叠结构，③两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构的同时，在交叠 处设置将两圆环连通的连接金属；所述的内切连通包括：①两圆环内切且内切切点处设置将 两圆环连通的连接金属，②两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构，③两圆环在连接处线条呈 无缝交叠结构的同时，在交叠处设置将两圆环连通的连接金属。

上述的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗，所述的每个基本单 元内子圆环个数大于或等于2个，且直径相同或不同，相邻子圆环的圆心和基本圆环圆心连 线所组成的夹角为任意角度，不同基本单元中的子圆环为等直径或非等直径圆环，个数相同 或不同。

上述的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗，所述的基本单元内 相邻子圆环可以外切连通或相交。

作为一种优选结构，上述的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的基本单元中子圆环的直径相同，相邻子圆环的圆心和基本圆环圆心连线所组成的夹角 相等。

作为一种优选结构，上述的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的不同基本单元中的子圆环个数相同，直径相等。

作为一种优选结构，上述的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的不同基本单元中的子圆环相对位置相同，并由一个基本单元复制后按等边三角形排列。

作为一种优选结构，上述的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的相邻基本单元中的子圆环相对位置不同，并在二维网栅阵列中由一个基本单元复制后 按等边三角形排列，其中任意一个基本单元相对于其相邻基本单元在二维平面内绕自身基本 圆环圆心旋转一定角度。

作为一种优选结构，上述的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的同一行中的任意基本单元相对相邻基本单元旋转的角度相同。

上述的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗，所述的基本圆环、 连接圆环、填充圆环、子圆环均由导电性能良好的合金构成，且合金厚度大于100nm。

上述的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗，所述的粘接层用铬 或者钛材料构成。

本发明的创新性和良好效果是：

本发明的创新性在于：电磁屏蔽光窗中的金属网栅由三种不同直径金属圆环分别作为基 本圆环、连接圆环、填充圆环且分别按等边三角形排列、正六边形共边排列、正六边形共顶 点排列密接排布构成二维网栅并加载于光窗透明基片表面；相同直径的金属圆环均相离，每 个基本圆环外侧均有6个等间隔分布的连接圆环和6个等间隔分布的填充圆环与之外切连通； 在每个基本圆环内设有与其内切连通、金属的子圆环，所述的基本圆环与其内切连通的子圆 环共同构成二维网栅结构的基本单元；网栅中基本圆环、连接圆环、填充圆环、子圆环的直 径为毫米和亚毫米量级，基本圆环、连接圆环、填充圆环、子圆环的金属线条宽度为微米和 亚微米量级；所述的等边三角形排列是指三个两两相邻的基本圆环的圆心连线构成等边三角 形；所述的正六边形共边排列是指相邻两个基本圆环各自外侧6个连接圆环的圆心连线构成 的两个正六边形有一条边重合，这条边两个端点为圆心对应的两个连接圆环是这两个相邻基 本圆环共用的；所述的正六边形共顶点排列是指相邻两个基本圆环各自外侧6个填充圆环的 圆心连线构成的两个正六边形有一个顶点重合，该顶点作为圆心对应的填充圆环是这两个相 邻基本圆环共用的；所述的外切连通包括：①两圆环外切且外切切点处设置将两圆环连通的 连接金属，②两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构，③两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构 的同时，在交叠处设置将两圆环连通的连接金属；所述的内切连通包括：①两圆环内切且内 切切点处设置将两圆环连通的连接金属，②两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构，③两圆环 在连接处线条呈无缝交叠结构的同时，在交叠处设置将两圆环连通的连接金属。本发明的创 新性产生的良好效果主要集中于均化金属网栅的高级次衍射能量分布，具体如下：

金属网栅中基本圆环以等边三角形排列为基本排列方式，连接圆环以正六边形共边排列 为基本排列方式、填充圆环以正六边形共顶点排列为基本排列方式，都可以克服传统方格金 属网栅存在的高级次衍射能量集中分布的缺点，具有良好的均化高级次衍射能量分布的特性， 而且使用基本圆环阵列、连接圆环阵列以及填充圆环阵列密接排布组成金属圆环阵列，在保 证透光率相同时，与仅有单一直径圆环阵列的结构相比，需要增加各圆环的直径，各圆环阵 列的高级次衍射能量均降低，从而可以有效对金属网栅结构的高级次衍射能量分布进行调节， 达到均化高级次衍射能量分布的目的，这是本发明金属网栅均化高级次衍射能量分布的原因 之一。

在基本圆环中加入子圆环组成基本单元，因为在每个基本单元中的子圆环个数、直径和 位置关系的不同，使其结构疏松，排布杂散，因此高级次衍射能量比较低，而且高级次衍射 分布较均匀，避免出现像传统方格金属网栅存在的高级次衍射能量集中分布的情况；同时， 在保证透光率相同时，需要进一步增加基本圆环、连接圆环、填充圆环的直径，从整体上降 低了各阵列的高级次衍射能量；又因为子圆环阵列结构产生的高级次衍射与基本圆环、连接 圆环、填充圆环阵列结构的高级次衍射发生叠加的概率很低；尤其进一步优化参数后，它们 能量较高的高级次衍射不发生叠加，从而均化了高级次衍射能量分布，这是本发明金属网栅 均化高级次衍射能量分布的原因之二。

每个基本单元都可以以其对应的基本圆环的圆心为中心旋转一定角度，不改变金属网栅 的孔径比进而不影响透光率，但可对高级次衍射级能量分布进一步进行调制，能够进一步均 化高级次衍射能量分布，这是本发明金属网栅均化高级次衍射能量分布的原因之三。

综上，本发明的金属网栅结构可实现网栅高级次衍射能量分布的深度均化，这是本发明 的最突出效果。另外，由基本圆环、连接圆环、填充圆环密接排布的金属圆环结构和子圆环 结构共同作用有效地改善了金属圆环网栅结构的均匀性，且基本单元以其基本单元对应的基 本圆环的圆心为中心旋转一定角度时，在对高级次衍射级能量分布进行有效调制的同时，基 本不影响电磁屏蔽效果，甚至在某些优选方案中可以提高电磁屏蔽效果。

附图说明

图1是外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗的一种优选结构剖面 示意图。

图2是基本圆环按等边三角形排列示意图。

图3是连接圆环按正六边形共边排列示意图。

图4是填充圆环按正六边形共顶点排列示意图。

图5是由基本圆环、连接圆环、填充圆环密接排布组成的基本结构示意图。

图6是由基本圆环与子圆环组成的基本单元优选结构示意图。

图7是两圆环外切连通方式示意图。

图8是两圆环内切连通方式示意图。

图9是本发明的基本单元相对相邻基本单元一种旋转方式示意图。

图10是已有方格网栅结构示意图。

图11是已有方格网栅高级次衍射及其相对强度分布示意图。

图12是已有圆环网栅结构示意图。

图13是已有圆环网栅高级次衍射及其相对强度分布示意图。

图14是本发明中优选方案A的金属网栅结构示意图。

图15是本发明中优选方案A的金属网栅高级次衍射及其相对强度分布示意图。

图16是本发明中优选方案B的金属网栅结构示意图。

图17是本发明中优选方案B的金属网栅高级次衍射及其相对强度分布示意图。

图18是四种网栅结构高级次衍射最大相对强度对比图。

图中件号说明：1.粘接层2.保护层3.增透膜4.透明基片5.金属网栅6.基本圆环7.连接 圆环8.填充圆环9.子圆环10.连接金属

具体实施方式

下面参照附图和优选实施例对本发明进一步的描述：

外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗，其特征在于：电磁屏蔽光 窗中的金属网栅5由三种不同直径金属圆环分别作为基本圆环6、连接圆环7、填充圆环8且 分别按等边三角形排列、正六边形共边排列、正六边形共顶点排列密接排布构成二维网栅并 加载于光窗透明基片表面；相同直径的金属圆环均相离，每个基本圆环6外侧均有6个等间 隔分布的连接圆环7和6个等间隔分布的填充圆环8与之外切连通；在每个基本圆环6内设 有与其内切连通、金属的子圆环9，所述的基本圆环6与其内切连通的子圆环9共同构成二 维网栅结构的基本单元；网栅中基本圆环6、连接圆环7、填充圆环8、子圆环9的直径为毫 米和亚毫米量级，基本圆环6、连接圆环7、填充圆环8、子圆环9的金属线条宽度为微米和 亚微米量级；所述的等边三角形排列是指三个两两相邻的基本圆环6的圆心连线构成等边三 角形；所述的正六边形共边排列是指相邻两个基本圆环6各自外侧6个连接圆环7的圆心连 线构成的两个正六边形有一条边重合，这条边两个端点为圆心对应的两个连接圆环7是这两 个相邻基本圆环6共用的；所述的正六边形共顶点排列是指相邻两个基本圆环6各自外侧6 个填充圆环8的圆心连线构成的两个正六边形有一个顶点重合，该顶点作为圆心对应的填充 圆环8是这两个相邻基本圆环6共用的；所述的外切连通包括：①两圆环外切且外切切点处 设置将两圆环连通的连接金属10，②两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构，③两圆环在连接 处线条呈无缝交叠结构的同时，在交叠处设置将两圆环连通的连接金属10；所述的内切连通 包括：①两圆环内切且内切切点处设置将两圆环连通的连接金属10，②两圆环在连接处线条 呈无缝交叠结构，③两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构的同时，在交叠处设置将两圆环连 通的连接金属10。透明基片4可为任意透明材料，只要其能够作为满足使用场合要求的透明 光窗材料，同时能够将金属网栅5按一定的工艺流程加工于其上；根据工艺流程，金属网栅 5可通过粘接层1加载在透明基片4表面；单层或者多层增透膜3增强光窗的透光能力，单 层或者多层的保护层2，目的是防止金属部分长期暴露于空气中造成腐蚀和氧化，降低屏蔽 能力，同时也防止金属网栅5被划伤。

本发明的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗，电磁屏蔽光窗中 的金属网栅5由三种不同直径金属圆环分别作为基本圆环6、连接圆环7、填充圆环8且分别 按等边三角形排列、正六边形共边排列、正六边形共顶点排列密接排布构成二维网栅并加载 于光窗透明基片表面，相同直径的金属圆环均相离。基本圆环6按等边三角形排列如图2所 示，图中点A，B，C为三个两两相邻基本圆环6的圆心，△ABC为等边三角形，这样的排布方 式确保所有的基本圆环6在构成金属网栅5时是按照等边三角形排列的。每个基本圆环6外 侧均有6个等间隔分布的连接圆环7与之外切连通，连接圆环7按正六边形共边排列如图3 所示，图中点D，E，F，G，H，I为和同一个基本圆环6外切连通的六个连接圆环7的圆心，六边形 DEFGHI为正六边形，相邻两个基本圆环6各自外侧6个连接圆环7的圆心连线构成的两个 正六边形有一条边重合，这条边两个端点为圆心对应的两个连接圆环7是这两个相邻基本圆 环6共用的，这样的排布方式确保所有的连接圆环7在构成金属网栅5时是按照正六边形共 边排列的。每个基本圆环6外侧均有6个等间隔分布的填充圆环8与之外切连通，填充圆环 8按正六边形共顶点排列如图4，图中点J，K，L，M，N，O为和同一个基本圆环6外切连通的六个 填充圆环8的圆心，六边形JKLMNO为正六边形，相邻两个基本圆环6各自外侧6个填充圆 环8的圆心连线构成的两个正六边形有一个顶点重合，该顶点作为圆心对应的填充圆环8是 这两个相邻基本圆环6共用的，这样的排布方式确保所有的填充圆环8在构成金属网栅5时 是按照正六边形共顶点排列的。图5是由基本圆环、连接圆环、填充圆环密接排布组成的基 本结构示意图，图5中基本圆环6、连接圆环7、填充圆环8分别按上述等边三角形排列、正 六边形共边排列、正六边形共顶点排列密接排布构成二维网栅，相同直径的金属圆环均相离， 三种圆环因按上述方式排列，使他们之间的相对位置和直径满足确定的关系。

本发明的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗，金属网栅5中基 本圆环6、连接圆环7、填充圆环8、子圆环9的直径为毫米和亚毫米量级，基本圆环6、连 接圆环7、填充圆环8、子圆环9的金属线条宽度为微米和亚微米量级，以保证高透光率和良 好的电磁屏蔽效果。此外，基本圆环6、连接圆环7、填充圆环8、子圆环9均由导电性能良 好的金属构成，如金、银、铜、铝等纯金属及金属合金，且金属厚度大于100nm。

本发明的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗，每个基本单元内 子圆环个数大于或等于2个，且直径相同或不同，相邻子圆环的圆心和基本圆环圆心连线所 组成的夹角为任意角度，不同基本单元中的子圆环为等直径或非等直径圆环，个数相同或不 同；基本单元内相邻子圆环外切连通或相交。图6表示由基本圆环与子圆环组成的基本单元 优选结构示意图，图中，基本单元中子圆环的直径相同，相邻子圆环的圆心和基本圆环圆心 连线所组成的夹角相等，图6(a)(b)为基本单元中相同直径的子圆环9外切连通，图6(c)(d)为 基本单元中相同直径的子圆环9相交连接。

图7，图8分别表示两圆环外切连通和内切连通，通过线条交叠或设置(如覆盖)保证金 属环切点间可靠电联接的金属，以确保相切的金属圆环之间密接连通导电。其中，图7(a)(b)(c) 分别表示在外切连通时两圆环呈无缝交叠结构示意图：图7(a)为两圆环无缝交叠的一般情况， 即两圆环的圆心距小于两圆环外切时的圆心距，且大于或等于两圆环外切时的圆心距与两圆 环线条宽度之和的差值，图7(b)为无缝交叠的一种特殊情况，两圆环线条的内外轮廓相互外 切，图7(c)为无缝交叠的另一种特殊情况，两圆环的圆心距等于两圆环外切时的圆心距与两 圆环线条宽度之和的差值，即两圆环线条的内轮廓外切，而图7(d)中由于两圆环外切，因此 需要在切点处设置保证金属环切点间可靠电联接的金属。图8(a)(b)分别表示在内切连通时两 圆环呈无缝交叠结构示意图：图8(a)表示在内切连通时两圆环无缝交叠的一般情况，即两圆 环的圆心距大于两圆环内切时的圆心距，且小于两圆环内切时的圆心距与直径较大圆环线条 宽度的和，图8(b)表示在内切连通时两圆环无缝交叠的一种特殊情况，两圆环的圆心距等于 两圆环内切时的圆心距与直径较大圆环线条宽度的和，即两圆环线条的外轮廓内切，而图8(c) 表示直径较小圆环线条的外轮廓与直径较大圆环线条的内轮廓内切，此时需要在切点处设置 保证金属环切点间可靠电联接的金属。此外，如果两圆环无缝交叠时两金属圆环的交叠面积 较小，不足以确保两金属圆环之间有可靠的电联接，也需要在切点处设置保证金属圆环切点 间可靠电联接的金属，以确保实现金属环的外切连通或内切连通。而图7(d)和图8(c)所示是 一种优选的切点处金属连接方式，切点处覆盖的连接金属10为矩形，矩形的边长大于金属环 线条宽度，矩形设置切点连接处时要使矩形的一条边完全落在一个金属环线条内，而其对边 要完全落在相切的另一个金属环线条内。依据不同的加工方法和工艺水平，圆环切点处也可 以采用其它形式的连接金属，只要能够使相切的两金属环具有可靠的电联接即可。

本发明中，不同基本单元中的子圆环9为等直径或非等直径圆环，个数相同或不同，以 达到均化高级次衍射造成的杂散光的目的。作为一种优选方案，基本单元中子圆环9的直径 相同，相邻子圆环9的圆心和基本圆环6圆心连线所组成的夹角相等；在此基础上，不同基 本单元中的子圆环9个数相同，直径相等。作为这种优选方案的一个特例，不同基本单元中 的子圆环9相对位置相同，并由一个基本单元复制后按等边三角形排列。为了实现良好的均 化高级次衍射造成的杂散光效果，作为这种优选方案的另一个特例，本发明中金属网栅5中 的相邻基本单元中的子圆环9相对位置不同，并由一个基本单元复制后按等边三角形排列， 其中任意一个基本单元相对于其相邻基本单元在二维平面内绕自身基本圆环6圆心旋转一定 角度，同一行中的任意基本单元相对相邻基本单元旋转的角度可以相同。例如，图9是本发 明的基本单元相对相邻基本单元一种旋转方式示意图，其中金属网栅5的基本单元选用图6 (a)的结构，同一行中每个基本单元相对相邻基本单元依次旋转了22.5°角。

图10和图11分别为美国专利US4871220已有的方格网栅结构示意图和其高级次衍射及 其相对强度分布示意图，图12和图13分别为专利200610010066.4已有的圆环网栅结构示意 图和其高级次衍射及其相对强度分布示意图；图14和图15分别为本发明中优选方案A的金 属网栅5结构示意图和其高级次衍射及其相对强度分布示意图，优选方案A的金属网栅5结 构选择基本圆环、连接圆环、填充圆环分别按等边三角形排列、正六边形共边排列、正六边 形共顶点排列密接排布构成二维网栅，其中基本圆环中加入4个子圆环组成基本单元如图6 (a)的结构并且各基本单元之间没有相对旋转。图16和图17分别为本发明中优选方案B的 金属网栅5结构示意图和其高级次衍射及其相对强度分布示意图，与优选方案A不同的是优 选方案B的相邻基本单元按照图9所示的旋转方式进行了旋转，且旋转角度为22.5°。

为了说明本发明在均化高级次衍射能量分布作用中的优越性，基于标量衍射理论，对上 述四种结构的高级次衍射能量分布情况以及高级次衍射最大相对强度进行理论计算，计算时 使各结构的透光率相同(均为95.4％)，其零级相对强度均为91％，即成像有用信息比例相同。 本发明的金属网栅结构与方格、圆环网栅相比，高级次衍射最大相对强度明显降低，且在相 同考察区间内高级次衍射斑的个数明显增加，因而避免了高级次衍射能量集中在少数衍射级 次上的问题，使高级次衍射能量分布更加均匀；图18是上述四种结构的高级次衍射最大相对 强度的具体数值，可见，方格金属网栅结构的高级次衍射最大相对强度相对于其他结构明显 偏高，本发明的方案A所对应的金属网栅结构的高级次衍射最大相对强度已经明显降低，从 0.0259％(已有的圆环网栅结构的高级次衍射最大相对强度)下降到0.0112％，降低了57％， 高级次衍射的均化效果明显；优选方案B与方案A相比，金属网栅结构的高级次衍射最大相 对强度进一步降低，从0.0112％(优选方案A的高级次衍射最大相对强度)下降到0.0046％， 降低了59％，完成了对高级次衍射的进一步均化，从而证明本发明的金属网栅在优化各参数 后对高级次衍射的均化具有显著效果，不仅优于美国专利US4871220已有的方格金属网栅结 构，也优于专利200610010066.4已有的圆环金属网栅结构。

本发明的组成方式，使得网孔相对比较平均，尤其是优选方案中给出的金属网栅结构， 在深度均化高级次衍射能量分布的同时，仍具有较好的透光性和屏蔽性能，当用于构造双层 金属网栅结构时，可改善透光率和屏蔽效率的矛盾问题，与此同时，由于本发明单层结构深 度均化高级次衍射能量分布，又可以解决已有双层金属网栅结构中由于单层网栅结构的限制 而不能进一步均化高级次衍射能量分布的问题。

本发明的外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列电磁屏蔽光窗中的金属网栅5可 以采用如下的加工方法加工制作：由电子束直写等方式制作掩模，光窗透明基片4进行清洗 后镀铬或者钛作为粘接层1，其上镀金属薄膜，然后涂覆光刻胶，利用已加工好的掩模进行 光刻，最后进行干法或者湿法刻蚀，去胶后得到网栅图案。也可以省去掩模制作环节，而直 接采用激光直写的办法来制作外切圆环连接具有子圆环的三角分布圆环阵列的金属网栅图 案。其它的微电子加工工艺流程或二元光学元件制作流程等也可以用来制作本发明的金属网 栅结构。

本发明所涉及的透明基片4由实际应用场合决定，可以是普通玻璃、石英玻璃、红外材 料、透明树脂材料等。本发明的基本圆环6、连接圆环7、填充圆环8和子圆环9金属结构要 根据透明基片4采取合适的加工工艺流程使之完全覆盖于透明基片4之上，并且能够和窗框 等实现可靠的电联接或密封以保证优良的电磁屏蔽功能。实际应用中，附有本发明网栅结构 的透明基片4表面可以镀增透膜来增加透光能力，也可以在网栅层表面镀保护层以防止金属 结构长期放置于空气中遭到腐蚀或氧化而降低屏蔽能力，也防止网栅层遭到划伤、磨损或其 它破坏。