具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗

摘要

具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域，不同直径的基本圆环、连接圆环和填充圆环密接排列构成金属网栅并加载于光窗透明基片表面；基本圆环按二维正交排列并在排列方向上等间隔相离，连接单元由两连接圆环外切连通构成并按垂直交替二维正交排列，相邻基本圆环由连接单元连接，基本圆环与连接单元的空隙具有填充圆环；基本圆环、连接圆环和填充圆环通过外切连通组成金属网栅的基本结构；基本圆环内设有与其内切连通子圆环；在圆环相切连通的连接处，通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属，确保所有圆环相互导电。本发明的金属网栅可显著降低网栅高级次衍射造成的杂散光分布的不均匀性。

说明书

技术领域

本发明属于光学透明件电磁屏蔽领域，特别涉及一种具有两组外切圆环和子圆环的正交 圆环阵列电磁屏蔽光窗。

背景技术

随着电磁波应用频谱的展宽和强度的增加，对航天航空装备、先进光学仪器、通讯设备、 医疗诊断仪器和保密设施等领域应用的电磁屏蔽光窗的要求越来越高，主要是要求光窗具有 超强的宽波段电磁屏蔽能力的同时，还具有极高的透光率，对光学成像、观测、探测的影响 越小越好。比如，航天航空装备领域中飞行器的光窗，必须高品质的实现舱内外的电磁信号 隔离，一方面屏蔽外部电磁干扰和有害电磁信号，以免造成舱内电子设备失效，一方面防止 舱内电子设备工作时电磁信号透出光窗造成电磁泄漏，但光窗的透光性是其必备的功能，对 光窗进行电磁屏蔽应尽可能的减小对其透明性的影响，特别是尽可能的不影响光学探测或光 学成像功能；与此类似，先进光学仪器的光窗也要有尽可能高的透光率和尽可能低的成像质 量影响，以实现高品质的探测和测量，同时要防止电磁干扰对仪器内部光电探测器件的影响； 对于党政机关、军事指挥场所、重要科研单位的保密建筑设施，需要对其房屋的窗玻璃在保 证采光性的同时，进行电磁屏蔽设计，以防止室内电脑等电子设备工作时重要信息以电磁辐 射形式向窗外传播造成泄密；医疗用电磁隔离室光窗要保证室内的电磁波绝大部分被屏蔽而 防止室外操作人员长期被电磁波辐射而损害健康，等等。目前这类光窗的电磁屏蔽主要采用 透明导电薄膜、金属诱导透射型多层膜结构、带阻型频率选择表面和具有毫米亚毫米周期的 金属网栅等。

透明导电薄膜是一种以氧化铟锡为主要材料的透明金属氧化物薄膜，常应用于可见光波 段透明的场合，但是不能兼顾较宽的透光波段，虽具有较宽的微波屏蔽波段但屏蔽能力不强。 金属诱导透射型多层膜结构采用多层薄金属膜与介质膜复合结构来实现对电磁波的屏蔽，对 低频微波屏蔽能力较强，透光区域主要为可见光和紫外光，但透光率不高。频率选择表面采 用周期性谐振单元结构实现带通或带阻滤波器功能，由于其金属覆盖率较高，能够很好地反 射工作频带以外的干扰电磁波，但是光学透光率较低，降低了光学探测的成像质量，给光学 图像处理、模式识别、目标搜索和跟踪带来了困难。综上所述，同时满足光窗的宽波段高透 光率和宽频段电磁屏蔽两个要求，上述各技术方案均存在明显不足。相比而言，具有毫米亚 毫米周期的金属网栅，由于其周期比干扰电磁波长小得多，可以实现较强的低频宽波段电磁 屏蔽；而金属网栅周期又远大于光学波长，可以保证光学波段的透光率。因此，毫米亚毫米 周期的金属网栅具有良好的透明导电性能，可满足光窗对高透光率和宽频段电磁屏蔽的要求， 在光窗电磁屏蔽技术领域得到了广泛的应用：

1.专利03135313.5“一种电磁屏蔽观察窗”用单重或多重金属丝网以及类半导体量子阱 结构组合成电磁屏蔽结构，可实现10GHz以内超过50dB的屏蔽效率，该结构在可见光高透 射区域的透光率达到50％以上。

2.专利93242068.0“电磁屏蔽玻璃”在两层玻璃之间夹导电金属网，在玻璃外侧用导电透 明膜使之粘合在金属窗框上以构成电磁屏蔽结构，该结构有一定的采光性。

3.专利94231862.5“无莫尔条纹电磁屏蔽观察窗”采用由两层数目不同的金属网平行放 置，且它们经线或者纬线有一定的夹角，以达到克服莫尔条纹现象，实现更清晰的视野。

4.专利02157954.7“高屏效防信息泄漏玻璃”在金属丝网两侧各有一层聚碳酸脂胶片，胶 片外侧各贴附一层玻璃，最后热压而成电磁屏蔽结构，该结构在透光率达到60％的情况下， 具有较强的屏蔽效率。

5.专利200610084149.8“电磁波屏蔽薄膜及其制造方法”描述了一种由光刻工艺形成的 具有金属网状图案的高透明电磁屏蔽薄膜，该发明的主要目的在于减少金属耗用量和克服在 金属层和薄膜基材之间使用固化胶造成的环境污染。

6.美国专利US4871220“Short wavelength pass filter having a metal mesh on a  semiconducting substrate”描述了一种具有正方形结构的金属网栅，用于实现光窗的抗电磁干扰 性能。

7.专利201010239355.8“一种具有经纬形网栅结构的电磁屏蔽共形光学窗”描述了一种 通过金属网栅技术和共形光学窗技术实现的具有经纬形金属网栅结构的共形电磁屏蔽光学 窗，主要解决共形光学窗金属网栅的结构设计问题，提高共形光学窗的电磁屏蔽性能。

8.专利200610010066.4“具有圆环金属网栅结构的电磁屏蔽光学窗”描述了一种具有圆 环外形的金属网栅单元，用于实现光学窗的电磁屏蔽功能；相比单层方格金属网栅，透光率 和屏蔽能力得到了提高，高级次衍射造成的杂散光也得到了一定的均化。

9.专利200810063988.0“一种具有双层方格金属网栅结构的电磁屏蔽光学窗”描述了一 种由结构参数相同的方格金属网栅或金属丝网平行放置于光学窗或透明衬底两侧构成的电磁 屏蔽光学窗，在不降低透光率的同时，大幅度提高了电磁屏蔽效率。

10.专利200810063987.6“一种具有双层圆环金属网栅结构的电磁屏蔽光学窗”描述了一 种由两层圆环金属网栅加载于光学窗两侧构成的电磁屏蔽光学窗，解决高透光率和强电磁屏 蔽效率不能同时兼顾的问题。

11.美国Battelle研究院Jennifer I.Halman等人开发的基于圆环单元的毂-辐条型结构和多 圆环交叠结构的感性金属网栅(Jennifer I.Halman等，“Predicted and measured transmission and  diffraction by a metallic mesh coating”.Proc.SPIE，2009，7302：73020Y-1～73020Y-8)，并认 为，该结构可使得网栅高级次衍射分布均化，实现低旁瓣，对成像有利。

12.美国Exotic Electro-Optics公司的Ian B.Murray、美国亚利桑那大学的Victor  Densmore和Vaibhav Bora等人共同报道了对毂-辐条型结构和多圆环交叠结构的感性网栅引 入了参数随机分布设计后对衍射特性的影响(Ian B.Murray，Victor Densmore，Vaibhav Bora  等人，“Numerical comparision of grid pattern diffraction effects through measurement and  modeling with OptiScan software”，Proc.SPIE，2011，8016：80160U-1～80160U-15)，指出各 圆环间距和直径在一定范围内随机取值，有利于提高高级次衍射分布的均匀性。

上述各方案由于采用金属网栅(或金属丝网)作为屏蔽的核心器件，可以实现较好的电 磁屏蔽效果和一定的透光率。但采用金属网栅(或金属丝网)作为电磁屏蔽结构，就不可避 免的受到网栅在光学波段衍射的影响。由于金属网栅的周期在毫米或者亚毫米量级，为实现 较高的透光率，其金属线条宽度一般在微米和亚微米量级，这样的结构参数在光学波段具有 非常强的衍射效应。入射光绝大部分能量被金属网栅透射，透射部分包含零级衍射光和高级 次衍射光，通常，零级次衍射光是用于成像和观测的有用信息，高级次衍射光则构成杂散光， 对成像和探测产生干扰。因此，应尽可能的提高零级次衍射光所占的比重，同时，在高级次 衍射光不可避免出现的前提下，尽可能使高级次衍射光分布比较均匀，其形成的杂散光成为 比较均匀的背景或者噪声。

目前金属网栅主要为传统方格网栅结构，如上述专利1-6所主要采用的结构(专利7的 结构由于加工在曲面之上，是一种类方格结构)，方格网栅结构透光能力与屏蔽能力存在固有 的矛盾，难以同时兼顾高透光率和强电磁屏蔽效率，特别是方格网栅的高级次衍射能量主要 集中在互相垂直的两轴上，对成像质量有一定的影响，甚至在高成像质量要求的场合难以应 用。改变网栅衍射特性一般需要改变其结构特征，上述专利200610010066.4“具有圆环金属网 栅结构的电磁屏蔽光学窗”提出用金属圆环构建成圆环金属网栅，改善了方格金属网栅高级次 衍射能量集中分布的缺点，并可以缓解其透光能力与屏蔽能力的矛盾。上述文献11和12中， Jennifer I.Halman等人和Ian B.Murray等人，也都提出了基于圆环单元的金属网栅结构来提 高高级次衍射分布的均匀性，但Jennifer I.Halman等人的研究也是单周期圆环排列结构，且 排列方向确定，其对调节高级次衍射的作用与专利200610010066.4提出的结构相当，而Ian B. Murray等人的研究虽然更进一步，提出随机交叠圆环结构，令圆环直径和间距在一定范围内 随机分布取值，实现进一步提高高级次衍射分布均匀性，但圆环直径和间距的随机分布改变 了网孔分布的均匀性，将损害电磁屏蔽效率。

随着电磁环境的日益复杂，对电磁屏蔽光窗的透光能力和电磁屏蔽能力的要求在不断提 高，尤其是在航空航天装备领域和先进光学仪器领域，已经要求光窗达到95％甚至更高的透 光率的同时，还具有极低的成像质量影响，在低于20GHz的微波频率范围实现30dB以上的 屏蔽效率，这使得现有的技术难以实现。专利200810063988.0和专利200810063987.6均采用 了双层金属网栅平行放置于光窗透明基片或衬底的两侧构成，两层金属网栅具有相同的单元 外形和结构参数，通过优化两层网栅的间距，实现不降低透光率的同时，大幅度提高了电磁 屏蔽效率。但这种双层网栅结构高级次衍射杂散光分布仍然与透光率相同的单层网栅相当， 不完全满足未来航空航天装备和先进光学仪器等领域对低成像质量影响的要求。

发明内容

本发明的目的在于克服上述已有的光窗电磁屏蔽技术方案的不足，特别是针对现有单层 方格金属网栅、单层圆环网栅、双层方格和圆环网栅存在高级次衍射造成的杂散光分布相对 集中的问题，研发一种具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，达到实现 高级次衍射的深度均化和极低的成像质量影响的目的。

本发明采用的技术方案是：采用一种具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏 蔽光窗，电磁屏蔽光窗中的金属网栅由不同直径的金属圆环分别作为基本圆环、连接圆环和 填充圆环密接排列构成并加载于光窗透明基片表面；基本圆环按二维正交排列并在排列方向 上等间隔相离；由两个外切连通的连接圆环组成连接单元按垂直交替二维正交排列；相邻基 本圆环由连接单元连接，连接单元的二维正交排列方向与基本圆环的二维正交排列方向相同； 连接单元的阵列间隔与基本圆环阵列间隔相同，每个基本圆环均与四个相邻的连接单元的一 个连接圆环外切连通，每个连接单元的一个连接圆环与两个相邻的基本圆环外切连通；在连 接单元与基本圆环的空隙中具有一个填充圆环，该填充圆环与连接单元的两个连接圆环和两 个基本圆环均外切连通；在每个基本圆环内设有与其内切连通、金属的子圆环，所述的基本 圆环与其内切连通的子圆环共同构成二维金属网栅结构的基本单元；所述的基本圆环、连接 圆环、填充圆环与子圆环的直径为毫米和亚毫米量级，所述的基本圆环、连接圆环、填充圆 环与子圆环的金属线条宽度为微米和亚微米量级；所述的垂直交替二维正交排列是指连接单 元按二维正交排列，连接单元的两个连接圆环圆心连线方向与连接单元的二维正交排列方向 相同，且沿二维正交排列方向上相邻连接单元的两个连接圆环圆心连线方向互相垂直；所述 的外切连通包括：①两圆环外切且外切切点处设置将两圆环连通的连接金属，②两圆环在连 接处线条呈无缝交叠结构，③两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构的同时，在交叠处设置将 两圆环连通的连接金属；所述的内切连通包括：①两圆环内切且内切切点处设置将两圆环连 通的连接金属，②两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构，③两圆环在连接处线条呈无缝交叠 结构的同时，在交叠处设置将两圆环连通的连接金属。

上述的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，所述的每个基本单元 内子圆环个数大于或等于2个，且直径相同或不同，相邻子圆环的圆心和基本圆环圆心连线 所组成的夹角为任意角度，不同基本单元中的子圆环为等直径或非等直径圆环，个数相同或 不同。

上述的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，所述的基本单元内相 邻子圆环可以外切连通或相交。

作为一种优选结构，上述的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的基本单元中子圆环的直径相同，相邻子圆环的圆心和基本圆环圆心连线所组成的夹角 相等。

作为一种优选结构，上述的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的不同基本单元中的子圆环个数相同，直径相等。

作为一种优选结构，上述的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的不同基本单元中的子圆环相对位置相同，并由一个基本单元复制后按二维正交排布。

作为一种优选结构，上述的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的相邻基本单元中的子圆环相对位置不同，并并在二维网栅阵列中由一个基本单元复制 后按二维正交排列，其中任意一个基本单元相对于其相邻基本单元在二维平面内绕自身基本 圆环圆心旋转一定角度。

作为一种优选结构，上述的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗， 所述的同一行中的任意基本单元相对相邻基本单元旋转的角度相同。

上述的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，所述的基本圆环、连 接圆环、填充圆环、子圆环与连接金属均由导电性能良好的合金构成，且合金厚度大于100nm。

上述的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，所述的粘接层用铬或 者钛材料构成。

本发明的创新性和良好效果是：

本发明的创新性在于：电磁屏蔽光窗中的金属网栅由不同直径的金属圆环分别作为基本 圆环、连接圆环和填充圆环密接排列构成并加载于光窗透明基片表面；基本圆环按二维正交 排列并在排列方向上等间隔相离；由两个外切连通的连接圆环组成连接单元按垂直交替二维 正交排列；相邻基本圆环由连接单元连接，连接单元的二维正交排列方向与基本圆环的二维 正交排列方向相同；连接单元的阵列间隔与基本圆环阵列间隔相同，每个基本圆环均与四个 相邻的连接单元的一个连接圆环外切连通，每个连接单元的一个连接圆环与两个相邻的基本 圆环外切连通；在连接单元与其连接的两个基本圆环之间具有一个填充圆环，该填充圆环与 连接单元的两个连接圆环和两个基本圆环均外切连通；在每个基本圆环内设有与其内切连通、 金属的子圆环，所述的基本圆环与其内切连通的子圆环共同构成二维金属网栅结构的基本单 元；所述的基本圆环、连接圆环、填充圆环与子圆环的直径为毫米和亚毫米量级，所述的基 本圆环、连接圆环、填充圆环与子圆环的金属线条宽度为微米和亚微米量级；所述的垂直交 替二维正交排列是指连接单元按二维正交排列，连接单元的两个连接圆环圆心连线方向与连 接单元的二维正交排列方向相同，且沿二维正交排列方向上相邻连接单元的两个连接圆环圆 心连线方向互相垂直；所述的外切连通包括：①两圆环外切且外切切点处设置将两圆环连通 的连接金属，②两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构，③两圆环在连接处线条呈无缝交叠结 构的同时，在交叠处设置将两圆环连通的连接金属；所述的内切连通包括：①两圆环内切且 内切切点处设置将两圆环连通的连接金属，②两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构，③两圆 环在连接处线条呈无缝交叠结构的同时，在交叠处设置将两圆环连通的连接金属。本发明的 创新性产生的良好效果主要集中于均化金属网栅的高级次衍射能量分布，具体如下：

金属网栅中基本圆环以二维正交排列为基本排列方式，以及连接圆环构成的连接单元的 垂直交替二维正交排列，都可以克服传统方格金属网栅存在的高级次衍射能量集中分布的缺 点，具有良好的均化高级次衍射能量分布的特性，基本圆环按二维正交排列和连接单元垂直 交替二维正交排列通过外切连接密接排布，共同组成金属网栅的基本结构，在保证透光率相 同时，与仅有单一直径圆环阵列的结构相比，需要增加各圆环的直径，各圆环阵列的高级次 衍射能量均降低；同时，各圆环阵列的圆环直径可以调节，可以有效对金属网栅阵列结构的 高级次衍射能量分布进行调节，达到均化高级次衍射能量分布的目的，这是本发明金属网栅 均化高级次衍射能量分布的原因之一。

在基本圆环按二维正交排列以及连接单元阵列密接排布组成金属网栅的基本结构基础 上，引入填充圆环，在保证透光率相同时，与仅有单一直径圆环阵列的结构相比，需要增加 各圆环的直径，各圆环阵列的高级次衍射能量均降低；填充圆环、基本圆环和连接圆环的直 径满足一定关系，可以通过各圆环直径的放大或缩小对高级次衍射的分布进行综合调节，达 到均化高级次衍射能量分布的目的，这是本发明金属网栅均化高级次衍射能量分布的原因之 二。

在基本圆环中加入子圆环组成基本单元，因为在每个基本单元中的子圆环个数、直径和 位置关系的不同，使其结构疏松，排布杂散，因此高级次衍射能量比较低，而且高级次衍射 分布较均匀，避免出现像传统方格金属网栅存在的高级次衍射能量集中分布的情况；同时， 在保证透光率相同时，需要进一步增加基本圆环、连接圆环的直径，从整体上降低了各阵列 的高级次衍射能量；又因为子圆环阵列结构产生的高级次衍射与基本圆环、连接圆环、填充 圆环阵列结构的高级次衍射发生叠加的概率很低；尤其进一步优化参数后，它们能量较高的 高级次衍射不发生叠加，从而均化了高级次衍射能量分布，这是本发明金属网栅均化高级次 衍射能量分布的原因之三。

每个基本单元都可以以其对应的基本圆环的圆心为中心旋转一定角度，不改变金属网栅 的孔径比进而不影响透光率，但可对高级次衍射级能量分布进一步进行调制，能够进一步均 化高级次衍射能量分布，这是本发明金属网栅均化高级次衍射能量分布的原因之四。

综上，本发明的金属网栅结构可实现网栅高级次衍射能量分布的深度均化，这是本发明 的最突出效果。另外，由基本圆环、连接圆环、填充圆环密接排布的金属圆环结构和子圆环 结构共同作用有效地改善了金属圆环网栅结构的均匀性，特别是填充圆环有效减小了基本圆 环与连接圆环之间的空隙，对提高电磁屏蔽效率有利，且基本单元以其对应的基本圆环的圆 心为中心旋转一定角度时，在对高级次衍射级能量分布进行有效调制的同时，基本不影响电 磁屏蔽效果，甚至在某些优选方案中可以提高电磁屏蔽效果。

附图说明

图1是具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗的一种优选结构剖面示 意图。

图2是连接单元的垂直交替二维正交分布示意图。

图3是基本圆环、连接圆环与填充圆环密接排布构成金属网栅基本结构示意图。

图4是由基本圆环与子圆环组成的基本单元优选结构示意图。

图5是两圆环外切连通方式示意图。

图6是两圆环内切连通方式示意图。

图7是本发明的基本单元一种旋转方式示意图。

图8是已有方格网栅结构示意图。

图9是已有方格网栅高级次衍射及其相对强度分布示意图。

图10是已有圆环网栅结构示意图。

图11是已有圆环网栅高级次衍射及其相对强度分布示意图。

图12是本发明中优选方案A的金属网栅结构示意图。

图13是本发明中优选方案A的金属网栅高级次衍射及其相对强度分布示意图。

图14是本发明中优选方案B的金属网栅结构示意图。

图15是本发明中优选方案B的金属网栅高级次衍射及其相对强度分布示意图。

图16是四种网栅结构高级次衍射最大相对强度对比图。

图中件号说明：1.粘接层 2.保护层 3.增透膜 4.透明基片 5.金属网栅 6.基本圆环 7.连接 圆环 8.填充圆环 9.子圆环 10.连接金属

具体实施方式

下面参照附图和优选实施例对本发明进一步的描述：

具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，电磁屏蔽光窗中的金属网栅 5由不同直径的金属圆环分别作为基本圆环6、连接圆环7和填充圆环8密接排列构成并加载 于光窗透明基片表面；基本圆环6按二维正交排列并在排列方向上等间隔相离；由两个外切 连通的连接圆环7组成连接单元按垂直交替二维正交排列；相邻基本圆环6由连接单元连接， 连接单元的二维正交排列方向与基本圆环6的二维正交排列方向相同；连接单元的阵列间隔 与基本圆环阵列间隔相同，每个基本圆环6均与四个相邻的连接单元的一个连接圆环7外切 连通，每个连接单元的一个连接圆环7与两个相邻的基本圆环6外切连通；在连接单元与基 本圆环6的空隙中具有一个填充圆环8，该填充圆环8与连接单元的两个连接圆环7和两个 基本圆环6均外切连通；在每个基本圆环6内设有与其内切连通、金属的子圆环9，所述的 基本圆环6与其内切连通的子圆环9共同构成二维金属网栅结构的基本单元；所述的基本圆 环6、连接圆环7、填充圆环8与子圆环9的直径为毫米和亚毫米量级，所述的基本圆环6、 连接圆环7、填充圆环8与子圆环9的金属线条宽度为微米和亚微米量级；所述的垂直交替 二维正交排列是指连接单元按二维正交排列，连接单元的两个连接圆环7圆心连线方向与连 接单元的二维正交排列方向相同，且沿二维正交排列方向上相邻连接单元的两个连接圆环7 圆心连线方向互相垂直；所述的外切连通包括：①两圆环外切且外切切点处设置将两圆环连 通的连接金属10，②两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构，③两圆环在连接处线条呈无缝交 叠结构的同时，在交叠处设置将两圆环连通的连接金属10；所述的内切连通包括：①两圆环 内切且内切切点处设置将两圆环连通的连接金属10，②两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构， ③两圆环在连接处线条呈无缝交叠结构的同时，在交叠处设置将两圆环连通的连接金属10； 所述的透明基片4可为任意透明材料，只要其能够作为满足使用场合要求的透明光窗材料， 同时能够将金属网栅5按一定的工艺流程加工于其上；根据工艺流程，金属网栅5可通过粘 接层1加载在透明基片4表面；单层或者多层增透膜3增强光窗的透光能力，单层或者多层 的保护层2，目的是防止金属部分长期暴露于空气中造成腐蚀和氧化，降低屏蔽能力，同时 也防止金属网栅5被划伤。

本发明的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，由两个外切连通的 连接圆环7组成连接单元按垂直交替二维正交排列，所述的垂直交替二维正交排列是指连接 单元的两个连接圆环7圆心连线方向与连接单元的二维正交排列方向相同，且沿二维正交排 列方向上相邻连接单元的两个连接圆环7圆心连线方向互相垂直，连接单元的垂直交替二维 正交分布示意图如图2，图中点A，B，C，D为四个连接单元的对称中心，四边形ABCD为正方 形。

本发明的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，所述的基本圆环6、 连接圆环7、填充圆环8与子圆环9的直径为毫米和亚毫米量级，所述的基本圆环6、连接圆 环7、填充圆环8与子圆环9的金属线条宽度为微米和亚微米量级，以保证高透光率和良好 的电磁屏蔽效果。此外，基本圆环6、连接圆环7、填充圆环8、子圆环9与连接金属10均 由导电性能良好的金属构成，如金、银、铜、铝等纯金属及金属合金，且金属厚度大于100nm。

本发明的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，电磁屏蔽光窗中的 金属网栅5由不同直径的金属圆环分别作为基本圆环6、连接圆环7和填充圆环8密接排列 构成；如图3所示，基本圆环6按二维正交排列并在排列方向上等间隔相离，相邻基本圆环 6由连接单元连接，连接单元的二维正交排列方向与基本圆环6的二维正交排列方向相同， 连接单元的阵列间隔与基本圆环阵列间隔相同；每个基本圆环6均与四个相邻的连接单元的 一个连接圆环7外切连通，每个连接单元的一个连接圆环7与两个相邻的基本圆环6外切连 通，该连接单元的另一个连接圆环7与另两个相邻的基本圆环6外切连通；在连接单元与其 连接的两个基本圆环6之间的空隙处具有一个填充圆环8，该填充圆环8与连接单元的两个 连接圆环7和两个基本圆环6均外切连通。

本发明的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗，每个基本单元内子 圆环9的个数大于或等于2个，且直径相同或不同，相邻子圆环9的圆心和基本圆环6圆心 连线所组成的夹角为任意角度，不同基本单元中的子圆环9为等直径或非等直径圆环，个数 相同或不同；基本单元内相邻子圆环9外切连通或相交。图4表示由基本圆环6与子圆环9 组成的基本单元优选结构示意图。图4中，基本单元中子圆环9的直径相同，相邻子圆环9 的圆心和基本圆环6圆心连线所组成的夹角相等。图4(a)(b)为基本单元中相同直径的子圆环 9外切连通，图4(c)(d)为基本单元中相同直径的子圆环9相交连接。

图5，图6分别表示两圆环外切连通或内切连通，通过线条交叠或设置(如覆盖)保证 金属环切点间可靠电联接的金属，以确保相切的金属圆环之间密接连通导电。其中，图 5(a)(b)(c)分别表示在外切连通时两圆环呈无缝交叠结构示意图：图5(a)为两圆环无缝交叠的 一般情况，即两圆环的圆心距小于两圆环外切时的圆心距，且大于两圆环外切时的圆心距与 两圆环线条宽度之和的差值，图5(b)为无缝交叠的一种特殊情况，两圆环线条的内外轮廓相 互外切，图5(c)为无缝交叠的另一种特殊情况，两圆环的圆心距等于两圆环外切时的圆心距 与两圆环线条宽度之和的差值，即两圆环线条的内轮廓外切，而图5(d)中由于两圆环外切， 因此需要在切点处设置保证金属环切点间可靠电联接的金属。图6(a)(b)分别表示在内切连通 时两圆环呈无缝交叠结构示意图：图6(a)表示在内切连通时两圆环无缝交叠的一般情况，即 两圆环的圆心距大于两圆环内切时的圆心距，且小于两圆环内切时的圆心距与直径较大圆环 线条宽度的和，图6(b)表示在内切连通时两圆环无缝交叠的一种特殊情况，两圆环的圆心距 等于两圆环内切时的圆心距与直径较大圆环线条宽度的和，即两圆环线条的外轮廓内切，而 图6(c)表示直径较小圆环线条的外轮廓与直径较大圆环线条的内轮廓内切，此时需要在切点 处设置保证金属环切点间可靠电联接的金属。此外，如果两圆环无缝交叠时两金属圆环的交 叠面积较小，不足以确保两金属圆环之间有可靠的电联接，也需要在切点处设置保证金属圆 环切点间可靠电联接的金属，以确保实现金属环的外切连通或内切连通。而图5(d)和图6(c) 所示是一种优选的切点处金属连接方式，切点处覆盖的连接金属10为矩形，矩形的边长大于 金属环线条宽度，矩形覆盖切点连接处时要使矩形的一条边完全落在一个金属环线条内，而 其对边要完全落在相切的另一个金属环线条内。依据不同的加工方法和工艺水平，圆环切点 处也可以采用其它形式的连接金属，只要能够使相切的两金属环具有可靠的电联接即可。

本发明中，为达到均化高级次衍射造成的杂散光的目的，作为一种优选方案，基本单元 中子圆环9的直径相同，相邻子圆环9的圆心和基本圆环6圆心连线所组成的夹角相等；在 此基础上，不同基本单元中的子圆环9个数相同，直径相等。作为这种优选方案的一个特例， 不同基本单元中的子圆环9相对位置相同，并由一个基本单元复制后按二维正交排列与连接 单元和填充圆环一起构成金属网栅。为了实现良好的均化高级次衍射造成的杂散光效果，作 为这种优选方案的另一个特例，本发明中金属网栅5阵列中的相邻基本单元中的子圆环9相 对位置不同，并在二维金属网栅中由一个基本单元复制后按等二维正交排列，其中任意一个 基本单元相对于其相邻基本单元在二维平面内绕自身基本圆环6圆心旋转一定角度，同一行 中的任意基本单元相对相邻基本单元旋转的角度可以相同；例如，图7是本发明的基本单元 相对相邻基本单元一种旋转方式示意图，其中金属网栅5的基本单元中选择6个相同直径的 子圆环9外切连通，且相邻子圆环9的圆心和基本圆环6圆心连线所组成的夹角相等，同一 行中每个基本单元相对相邻基本单元依次旋转了15°角。

图8和图9分别为美国专利US4871220已有的方格网栅结构示意图和其高级次衍射及其 相对强度分布示意图，图10和图11分别为专利200610010066.4已有的圆环网栅结构示意图 和其高级次衍射及其相对强度分布示意图；图12和图13分别为本发明中优选方案A的金属 网栅5结构示意图和其高级次衍射及其相对强度分布示意图，优选方案A的金属网栅结构选 择图3所示的基本结构并在基本圆环中加入6个子圆环组成基本单元，并且各基本单元之间 没有相对旋转。图14和图15分别为本发明中优选方案B的金属网栅结构示意图和其高级次 衍射及其相对强度分布示意图，与优选方案A不同的是优选方案B的相邻基本单元按照图7 所示的旋转方式进行了旋转，且旋转角度为15°。

为了说明本发明在均化高级次衍射能量分布作用中的优越性，基于标量衍射理论，对上 述四种结构的高级次衍射能量分布情况以及高级次衍射最大相对强度进行理论计算，计算时 使各结构的透光率相同(均为95.4％)，其零级相对强度均为91％，即成像有用信息比例相同。 本发明的金属网栅结构与方格、圆环网栅相比，高级次衍射最大相对强度明显降低，且在相 同考察区间内高级次衍射斑的个数明显增加，因而避免了高级次衍射能量集中在少数衍射级 次上的问题，使高级次衍射能量分布更加均匀；图16是上述四种结构的高级次衍射最大相对 强度的具体数值，可见，方格金属网栅结构的高级次衍射最大相对强度相对于其他结构明显 偏高，本发明的方案A所对应的金属网栅结构的高级次衍射最大相对强度已经明显降低，从 0.0259％(已有的圆环网栅结构的高级次衍射最大相对强度)下降到0.00109％，降低了58％， 高级次衍射的均化效果明显；优选方案B与方案A相比，金属网栅结构的高级次衍射最大相 对强度进一步降低，从0.0109％(优选方案A网栅结构的高级次衍射最大相对强度)下降到 0.0041％，降低了62％，完成了对高级次衍射的进一步均化，从而证明优化各参数后对高级 次衍射的均化具有显著效果，不仅优于美国专利US4871220已有的方格金属网栅结构，也优 于专利200610010066.4已有的圆环金属网栅结构。

本发明的组成方式，在深度均化高级次衍射能量分布的同时，仍具有较好的透光性，当 用于构造双层金属网栅结构时，可改善透光率和屏蔽效率的矛盾问题，与此同时，由于本发 明单层结构深度均化高级次衍射能量分布，又可以解决已有双层金属网栅结构中由于单层网 栅结构的限制而不能进一步均化高级次衍射能量分布的问题。

本发明的具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列电磁屏蔽光窗中的金属网栅5可以 采用如下的加工方法加工制作：由电子束直写等方式制作掩模，光窗透明基片4进行清洗后 镀铬或者钛作为粘接层1，其上镀金属薄膜，然后涂覆光刻胶，利用已加工好的掩模进行光 刻，最后进行干法或者湿法刻蚀，去胶后得到网栅图案。也可以省去掩模制作环节，而直接 采用激光直写的办法来制作具有两组外切圆环和子圆环的正交圆环阵列的金属网栅图案。其 它的微电子加工工艺流程或二元光学元件制作流程等也可以用来制作本发明的金属网栅结 构。

本发明所涉及的透明基片4由实际应用场合决定，可以是普通玻璃、石英玻璃、红外材 料、透明树脂材料等，本发明的基本圆环6、连接圆环7、填充圆环8与子圆环9金属结构要 根据透明基片4采取合适的加工工艺流程使之完全覆盖于透明基片4之上，并且能够和窗框 等实现可靠的电联接或密封以保证优良的电磁屏蔽功能。实际应用中，附有本发明网栅结构 的透明基片4表面可以镀增透膜来增加透光能力，也可以在网栅层表面镀保护层以防止金属 结构长期放置于空气中遭到腐蚀或氧化而降低屏蔽能力，也防止网栅层遭到划伤、磨损或其 它破坏。