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通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片

摘要

本发明所设计的一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,该通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片,其在温度测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度。该滤光片50%Cut on=7550±200nm,50%Cut off=13900±400nm;7750~13400nm Tavg≥85%;2000~7000nm、14500~19000nm Tavg≤1%。

著录项

  • 公开/公告号CN103713347A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州麦乐克电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201310631573.X

  • 发明设计人 王继平;吕晶;余初旺;

    申请日2013-11-29

  • 分类号G02B5/20(20060101);G02B1/00(20060101);G01J5/08(20060101);

  • 代理机构33241 杭州斯可睿专利事务所有限公司;

  • 代理人周豪靖

  • 地址 311188 浙江省杭州市钱江经济开发区兴国路503-2-101

  • 入库时间 2024-02-19 22:49:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-18

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G02B5/20 变更前: 变更后: 申请日:20131129

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-02-10

    授权

    授权

  • 2014-05-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B5/20 申请日:20131129

    实质审查的生效

  • 2014-04-09

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及红外滤光片领域,尤其是一种通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片。 

背景技术

红外测温仪由光学系统、探测器、信号放大器及信号处理、显示输出等部分组成。光学系统汇聚其视场内的目标红外能量(热量),视场的大小由测温仪的光学零件及其位置确定。红外能量聚焦在探测器上并转变为相应的电信号。该信号经过放大器和信号处理电路,并按照仪器内的算法和目标发射率校正后转变为被测目标的温度值。 

红外测温仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键,由于各种生物所发出来的红外能量(热量)是不同的,所以在日常使用中为了观察某种特定生物的温度值,人们往往会在探测器中添加红外滤光片,通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量,保证红外测温仪的测温结果,用于测温和成像。 

但是,目前的通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片,其信噪比低,精度差,不能满足市场发展的需要。 

发明内容

本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片。 

为了达到上述目的,本发明所设计的通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:411nm厚度的Ge层、271nm厚度的ZnS层、356nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、187nm厚度的Ge层、346nm厚度的ZnS层、156nm厚度的Ge层、322nm厚度的ZnS层、159nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、194nm厚度的Ge层、293nm厚度的ZnS层、167nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、163nm厚度的Ge层、289nm厚度的ZnS层、261nm厚度的Ge层、391nm厚度的ZnS层、180nm厚度的Ge层、231nm厚度的ZnS层、 302nm厚度的Ge层、404nm厚度的ZnS层、353nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、259nm厚度的Ge层、310nm厚度的ZnS层、382nm厚度的Ge层、347nm厚度的ZnS层、373nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、276nm厚度的Ge层、331nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、390nm厚度的ZnS层、388nm厚度的Ge层、571nm厚度的ZnS层、281nm厚度的Ge层、751nm厚度的ZnS层、366nm厚度的Ge层、462nm厚度的ZnS层、439nm厚度的Ge层、806nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、963nm厚度的ZnS层、427nm厚度的Ge层、311nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、546nm厚度的Ge层和358nm厚度的ZnS层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:145nm厚度的Ge层、290nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、1953nm厚度的ZnS层、357nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、607nm厚度的Ge层、2262nm厚度的ZnS层、982nm厚度的Ge层、247nm厚度的ZnS层、247nm厚度的Ge层、631nm厚度的ZnS层、1257nm厚度的Ge层、1587nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、558nm厚度的ZnS层、292nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、134nm厚度的Ge层、2315nm厚度的ZnS层、897nm厚度的Ge层、195nm厚度的ZnS层、312nm厚度的Ge层、590nm厚度的ZnS层、1263nm厚度的Ge层、1976nm厚度的ZnS层、168nm厚度的Ge层、298nm厚度的ZnS层、477nm厚度的Ge层和1175nm厚度的ZnS层。 

上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。 

本发明所得到的通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片,其在温度测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度。该滤光片50%Cut on=7550±200nm,50%Cutoff=13900±400nm;7750~13400nm Tavg≥85%;2000~7000nm、14500~19000nmTavg≤1%。 

附图说明

图1是实施例整体结构示意图; 

图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。 

具体实施方式

下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。 

实施例1: 

如图1、图2所示,本实施例描述的通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片,包括以Si为原材料的基板2,以Ge、ZnS为第一镀膜层1和以Ge、ZnS为第二镀膜层3,且所述基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间,所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有:411nm厚度的Ge层、271nm厚度的ZnS层、356nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、187nm厚度的Ge层、346nm厚度的ZnS层、156nm厚度的Ge层、322nm厚度的ZnS层、159nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、194nm厚度的Ge层、293nm厚度的ZnS层、167nm厚度的Ge层、317nm厚度的ZnS层、163nm厚度的Ge层、289nm厚度的ZnS层、261nm厚度的Ge层、391nm厚度的ZnS层、180nm厚度的Ge层、231nm厚度的ZnS层、302nm厚度的Ge层、404nm厚度的ZnS层、353nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、259nm厚度的Ge层、310nm厚度的ZnS层、382nm厚度的Ge层、347nm厚度的ZnS层、373nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、276nm厚度的Ge层、331nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、390nm厚度的ZnS层、388nm厚度的Ge层、571nm厚度的ZnS层、281nm厚度的Ge层、751nm厚度的ZnS层、366nm厚度的Ge层、462nm厚度的ZnS层、439nm厚度的Ge层、806nm厚度的ZnS层、178nm厚度的Ge层、963nm厚度的ZnS层、427nm厚度的Ge层、311nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、489nm厚度的ZnS层、546nm厚度的Ge层和358nm厚度的ZnS层;所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:145nm厚度的Ge层、290nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、1953nm厚度的ZnS层、357nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、607nm厚度的Ge层、2262nm厚度的ZnS层、982nm厚度的Ge层、247nm厚度的ZnS层、247nm厚度的Ge层、631nm厚度的ZnS层、1257nm厚度的Ge层、1587nm厚度的ZnS层、105nm厚度的Ge层、558nm厚度的ZnS层、292nm厚度的Ge层、145nm厚度的ZnS层、134nm厚度的Ge层、2315nm厚度的ZnS层、897nm厚度的Ge层、195nm厚度的ZnS层、312nm厚度的Ge层、590nm厚度的ZnS层、1263nm厚度的Ge层、1976nm厚度的ZnS层、168nm厚度的Ge层、298nm厚度的ZnS层、477nm厚度的Ge层和1175nm厚度的ZnS层。 

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