一种双波长输出光混频产生太赫兹波的半导体激光器及制造方法

摘要

本发明涉及一种双波长输出光混频产生太赫兹波的半导体激光器及制造方法。该半导体激光器包括衬底、下限制层Ⅰ、下波导层Ⅰ、有源层Ⅰ、上波导层Ⅰ、上限制层Ⅰ、再生机构、下限制层Ⅱ、下波导层Ⅱ、有源层Ⅱ、上波导层Ⅱ、电流阻挡层、上限制层Ⅱ、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构。其中沿半导体激光器纵轴两侧，用湿法氧化法或质子轰击的方法，形成一层电流阻挡层，有效地抑制了有源区Ⅱ的电流扩展效应。本发明双波长输出的光混频产生的太赫兹波较方便、易实现且经过光腔耦合输出的光是同轴的，实现了同步控制；同轴双波长半导体激光器源使得太赫兹源结构简单、成本降低、连续输出功率大且能在室温下工作。