压电振动片、压电振子、压电振动片的制造方法、及压电振子的制造方法

摘要

本发明提供一种压电振动片、使用该压电振动片的压电振子、压电振动片的制造方法、及压电振子的制造方法。在压电振动片上，形成有至少一对激励电极，为了使所述一对激励电极与外部电极之间实现机电连接，而形成有从所述一对激励电极分别引出的至少一对引出电极。所述一对引出电极各自的前端部，具有被引出到所述压电振动片的一主面的一端部附近的连接电极。所述各个连接电极的顶面上，形成有与外部电极接合的第1金属膜。所述第1金属膜为，在其表面有两个以上的凸部，与所述各个连接电极相比，表面粗糙度更粗、面积更小，所述凸部的截面形状被形成为弯曲状。

说明书

技术领域

本发明涉及电子产品等中使用的压电振动片、使用压电振动片的压电振子、及它 们的制造方法。

背景技术

以压电振子为代表的压电振动器件广泛被应用于手机等移动通信装置等。作为压 电振子中使用的压电振动片之一，有水晶振动片。在水晶振动片的正反主面上，形成 有激励电极、和用于将这些激励电极扩展到水晶振动片的端部的引出电极等。这样的 水晶振动片，通过用导电性接合材料将上部开口的盒状封装体内部形成的端电极与水 晶振动片的引出电极的端部上形成的接合部（连接电极）接合，并用盖对所述开口部 分进行气密性密封，而构成表面安装型的晶体谐振器。

例如，专利文献1所公开的晶体谐振器为，水晶振动板与封装体之间通过金属凸 点等导电性接合材料而实现机电连接，为了增强相互的接合强度，水晶振动板上形成 的激励电极和连接电极在基底电极的材料和电极形成方法上互不相同。

然而，专利文献1中的结构不仅使电极的形成所需的制造工序增加，而且使电极 构造复杂。因而，成为造价又高、又不适合于希望简单结构的小型化压电振子的结构。 另外，在用镀凸点作为金属凸点的情况下，由于其顶面的形状平坦，所以若用ＦＣＢ 法进行超声波接合，则只是镀凸点的顶面的周边部分变形而接合，镀凸点顶面的中间 区域无法被接合，因而使有效接合区域（效率）变小。为了避免这样的问题，可以用 较强的超声波附加条件来将压电振动片接合到封装体内部，但在此情况下，要向压电 振动片施加较强的外力，因而出现会增大对压电振动片的损伤这一新的问题。

【专利文献1】：日本特开2004-104719号公报

发明内容

鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供能够以低价获得有利于小型化的压电振 动器件的接合结构的压电振动片、压电振子、压电振动片的制造方法、以及压电振子 的制造方法。

为了达到上述目的，本发明所涉及的压电振动片的特征在于：所述压电振动片上， 至少形成有一对激励电极，为了使所述一对激励电极与外部电极之间实现机电连接， 而形成有从所述一对激励电极分别引出的至少一对引出电极，所述一对引出电极各自 的前端部，有被引出到所述压电振动片的一主面的一端部附近的连接电极，所述各个 连接电极的顶面上形成有与外部电极接合的第1金属膜，所述第1金属膜在其表面有 两个以上的凸部，与所述各个连接电极相比，表面粗糙度更粗、面积更小，所述凸部 的截面形状被形成为弯曲状。

基于本发明，能够以低价获得有利于小型化的压电振动器件（压电振动片）的接 合结构。即，基于本发明，对于装载该压电振动片的压电振子等的外部构件的基板（封 装体）上形成的外部电极（端电极等）与该压电振动片的所述连接电极之间的接合， 可以不使用接合材料，而利用所述第1金属膜来进行接合。其结果，该压电振动片的 所述连接电极与更为小型化的外部电极（端电极等）之间的接合中，不会出现位置偏 离、越出的情况。

另外，基于本发明，采用比所述连接电极表面粗糙度更粗、面积更小的所述第1 金属膜，且所述第1金属膜的表面有截面形状为弯曲状的凸部，因而，所述第1金属 膜能够以较为稳定的状态机电连接在所述外部电极上。有关所述外部电极与该压电振 动片的连接电极之间的接合，例如在进行超声波接合的情况下，如果是截面形状为弯 曲状的所述凸部，则容易变形（易被压扁），在较小的压力下便能切实地变形（被压 扁），接合强度也得到提高。因而，即便是在所述一对第1金属膜之间厚度有差异， 所述凸部也能够吸收该差异，从而能使所述一对连接电极之间的接合强度平衡，构成 稳定的结构。

并且，在所述第1金属膜的表面形成有两个以上的截面为弯曲状的所述凸部，所 以，将该压电振动片的连接电极接合到所述外部电极上时，所述凸部能够向所述第1 金属膜的表面的所述凸部原本不存在的所述第1金属膜的表面的区域扩散。因此，通 过在多个所述凸部的每一个上接合外部电极，能够提高每单位面积的接合强度。

另外，有关外部电极与该压电振动片的所述连接电极之间的接合，例如在进行超 声波接合的情况下，如果是多个小的所述凸部，便容易变形（易被压扁），在较小的 压力下便能切实地变形（被压扁）而接合。其结果，能够避免对该压电振动片自身造 成损伤。同时，还能够防止所述凸部变形后无益地从所述第1金属膜的表面端部越出 的情况。因而，能够减低在进行超声波接合时，对该压电振动片的所述连接电极、所 述第1金属膜、或所述外部电极造成的损伤。另外，能够使作为所述外部电极的布线 图案变细，使布线图案间的间距变窄，从而能够对应于小型化。

在所述结构中，也可以是，在所述第1金属膜的表面，除所述第1金属膜的表面 的中心区域之外，沿所述第1金属膜的表面端部有两个以上的凸部。

在此情况下，除上述作用和效果之外，在将该压电振动片的连接电极接合到所述 外部电极上时，所述凸部能够从所述第1金属膜的表面端部向所述凸部原本不存在的 所述第1金属膜的表面的所述中心区域扩散，从而，能够以不仅覆盖所述第1金属膜 的表面端部，而且覆盖所述中心区域的状态进行接合。因此，通过在多个所述凸部的 每一个上接合外部电极，不仅能够提高每单位面积的接合强度，而且能够同时提高所 述第1金属膜的表面的所述中心区域的接合强度。换言之，不仅能够提高所述第1金 属膜的表面端部的接合强度，而且还能够提高所述中心区域的接合强度，因而，所述 第1金属膜整体与外部电极之间的接合强度能够得到飞跃性的提高。

另外，通过沿着所述第1金属膜的表面端部形成更多的所述凸部（不止两个，三 个或超过三个），能够从所述第1金属膜的表面端部平衡且均等地向所述第1金属膜 的所述中心区域扩散，从而，与外部电极之间的接合会更加稳定、接合强度也会更高。

在所述结构中，也可以是，在所述第1金属膜与所述连接电极之间，形成有比所 述连接电极表面粗糙度更粗、比所述第1金属膜面积更小、厚度更薄的第2金属膜。

在此情况下，除上述作用和效果之外，还能够利用所述第2金属膜的厚度差，而 在配置于所述第2金属膜上方的所述第1金属膜的表面，容易地构成截面形状为弯曲 状的所述凸部。

另外，通过在表面粗糙度没有所述第1金属膜粗的所述连接电极上接合比所述第 1金属膜厚度薄的所述第2金属膜，并在所述第2金属膜上接合所述第1金属膜，能 够使所述第1金属膜与所述第2金属膜之间的接合强度提高，金属膜整体（所述第1 金属膜及所述第2金属膜）变得稳定。另外，通过预先形成所述第2金属膜，无论所 述连接电极的材质等如何，都能稳定地形成所述第1金属膜。换言之，通过在所述第 1金属膜与所述连接电极之间至少部分地配置厚度更薄的所述第2金属膜，能够产生 锚定效应，与直接将所述第1金属膜接合到所述连接电极上相比，强度更高、更稳定。

特别是，在所述外部电极与该压电振动片的连接电极之间的接合是采用超声波接 合的情况下，如果接合用的金属膜（本发明中是所述第1金属膜）与所述连接电极之 间的相互接合强度弱，则在超声波接合时、或所述连接电极之间接合之后受到落下等 的冲击时，接合用的金属膜（本发明中是所述第1金属膜）与所述连接电极之间产生 机械应力，从而可能产生裂缝，其结果，会出现断线等问题。而本发明则不会出现这 样的问题。

为了达到上述目的，本发明所涉及的压电振子的特征在于：在作为外部电极的基 板的端电极上，接合有本发明所涉及的压电振动片。

基于本发明，能够以低价获得有利于小型化的压电振动器件（压电振子）的接合 结构。换言之，基于本发明，由于设置了所述振动片，所以具有上述作用和効果。由 于能够获得上述作用和効果的所述压电振动片的第1金属膜接合在所述基板的端电 极上，所以能够同时实现所述压电振动片的连接电极与所述基板的端电极之间的机电 上的接合强度的提高和稳定。其结果，能够以低价提供一种电学特性稳定、可靠性高、 且有利于小型化的压电振子。

为了达到上述目的，本发明所涉及的压电振动片的制造方法是制造，至少形成有 一对激励电极，为了使所述一对激励电极与外部电极之间实现机电连接，而形成有从 所述一对激励电极分别引出的至少一对引出电极，所述引出电极具有被引出到所述压 电振动片的一主面的一端部附近的连接电极的压电振动片的制造方法，其特征在于： 包括，第1工序，用蒸镀法或溅射法在所述压电振动片上形成所述激励电极和所述引 出电极；第2工序，在所述连接电极的顶面上，用施镀法形成比所述连接电极面积更 小的两个以上的第2金属膜；以及第3工序，在包括所述第2金属膜的表面的所述连 接电极的顶面上，形成比所述第2金属膜面积更大、厚度更厚的第1金属膜，并且， 以使所述两个以上的第2金属膜被配置在所述第1金属膜的中心区域之外的方式，用 施镀法在所述第2金属膜的表面形成所述第1金属膜。

基于本发明，能够以低价获得有利于小型化的压电振动器件（压电振动片）的接 合结构。即，基于本发明，相对于所述连接电极，能够容易地将所述第1金属膜与所 述第2金属膜的表面粗糙度形成得较粗。厚度薄的所述第2金属膜能够在所述连接电 极的上部稳定地形成镀膜，即使是厚度厚的所述第1金属膜，也可以通过将所述第1 金属膜形成在粗面的所述第2金属膜的上部，来减低膜边境上的镀膜成长速度差所带 来的影响，从而使镀膜稳定地成长。另外，通过形成比所述第2金属膜面积更大、厚 度更厚的所述第1金属膜，容易将所述凸部的形状形成为弯曲状。

另外，由于通过第3工序在所述第1金属膜的表面，除去所述第1金属膜的表面 的中心区域之外，沿着所述第1金属膜的表面端部形成了两个以上的所述凸部，所以， 利用所述第2金属膜所造成的连接电极上的凹凸（厚度差），能够在所述第1金属膜 的表面容易地形成截面形状为弯曲状的所述凸部。另外，在形成所述第1金属膜和所 述第2金属膜时，可以不对所述压电振动片产生机械应力负荷那样，通过批量处理来 形成，从而能够以低价制造所述压电振动片，并大大提高表面面积或形状、厚度的设 计自由度。另外，基于本发明所涉及的制造方法构成的所述压电振动片，能够获得与 上述本发明所涉及的压电振动片相同的作用和效果。

为了达到上述目的，本发明所涉及的压电振子的制造方法所要制造的压电振子 为，在作为外部电极的基板的端电极上接合有本发明所涉及的压电振动片，该制造方 法的特征在于：在所述端电极上，超声波接合经过所述第1工序至所述第3工序而制 成的所述压电振动片的所述第1金属膜。

基于本发明，能够以低价获得有利于小型化的压电振动器件（压电振子）的接合 结构。即，基于本发明，除上述作用和效果之外，还能够利用如上所述那样稳定地形 成的所述凸部，在稳定的状态下进行超声波接合，所述第1金属膜能在较为稳定的状 态下与所述外部电极进行热扩散接合。并且，能够实现稳定的机电上的接合。另外， 在进行超声波接合时，如果是这样的所述凸部，则容易变形（易被压扁），在较小的 压力下便能切实地变形（被压扁），接合强度也能得到提高。其结果，能够消除所述 外部电极、所述连接电极对周围的构件带来的损伤。

发明的效果：如上所述那样，基于本发明所涉及的压电振动片、压电振子、压电 振动片的制造方法及压电振子的制造方法，能够以低价获得有利于小型化的压电振动 器件（压电振动片、压电振子）的接合结构。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的音叉型晶体谐振器的示意性截面图。

图2是表示本发明的实施方式的音叉型水晶振动片的一主面侧的俯视图。

图3是图2的Ａ-Ａ线上的截面图。

图4是本发明的实施方式的变形例中一部分被扩大的状态下的俯视图。

图5是表示本发明的其它实施方式的图。

图6是与图4对应的其它实施方式中一部分被扩大的状态下的俯视图。

图7是与图4对应的其它实施方式中一部分被扩大的状态下的俯视图。

图8是与图4对应的其它实施方式中一部分被扩大的状态下的俯视图。

＜附图标记说明＞

1   音叉型晶体谐振器

2   音叉型水晶振动片

21   第1脚部

211   前端部

22   第2脚部

221   前端部

23   接合部

231   短边部

232   长边部

233   前端部

234   曲折部

235   一主面

25   基础部

251   一端面

252   另一端面

253   间隙部

261   第1脚部及第2脚部的一主面

262   第1脚部及第2脚部的另一主面

27   槽部

28   侧面

291   第1激励电极

292   第2激励电极

293、294   引出电极

295、296   连接电极

3   基座

30   堤部

31   台阶部

32   电极垫

33   端电极

34   金属化层

4   水晶振动板

495、496   连接电极

5   凹陷部

Ｈ   密封构件

Ｋ1   桥部

Ｋ2   接合部

Ｍ0 （Ｍ01、Ｍ02）   中心区域

Ｍ1 （Ｍ11、Ｍ12）   第1金属膜

Ｍ2 （Ｍ21、Ｍ22）   第2金属膜

Ｍ3   调整用金属膜（频率调整用重物）

Ｓ1   振动区域

Ｓ2   保持区域

Ｓ3   凸部

Ｔ （Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3）   凸部

具体实施方式

以下，作为压电振动片，以音叉型水晶振动片为例并结合附图进行说明。本实施 方式中使用的音叉型晶体谐振器1中，基座3与未图示的盖通过密封构件Ｈ接合而构 成框体。具体而言，被构成为，音叉型水晶振动片2通过镀凸点等的第1金属膜Ｍ1 而接合在上部开口的基座3的电极垫32上，板状的盖通过密封构件Ｈ而接合在开口 的端面上，以将基座3的开口部（开口）密封。在此，本实施方式中，音叉型晶体谐 振器1的标称频率为32.768ｋＨｚ。另外，标称频率只是一例，也可采用其它 频率。

基座3是由陶瓷材料或玻璃材料构成的绝缘容器体。本实施方式中，例如，基座 3由陶瓷材料构成，且是烧制形成的。基座3在周围有堤部30，并且，上部开口的 截面视形状为凹形，基座3的内部（收纳部）形成有用于装载音叉型水晶振动片2的 台阶部31。而且在台阶部31的顶面形成有一对电极垫32（图1中只示出一个电 极垫32）。一对电极垫32通过在基座3的内部形成的未图示的布线图案，而与在 基座3的底面（背面）形成的两个以上的端电极33电连接。基座3的堤部30的周 围环状地形成有金属化层34（构成密封构件Ｈ的一部分）。电极垫32、端电极3 3、金属化层34例如是三层构造，从下开始按钨、镍、金的顺序叠层。钨是利用金 属化技术，在烧制陶瓷时一体地形成的；镍、金的各层是利用施镀技术而形成的。另 外，也可以对钨层使用钼。

未图示的盖例如由金属材料或陶瓷材料、玻璃材料等构成，并被成形为俯视为矩 形的实心板。该盖的底面上形成有密封材料（构成密封构件Ｈ的一部分）。该盖是利 用缝熔接或束熔接、加热熔融接合等手法，并通过密封材料而接合在基座3上的，盖 和基座3构成晶体谐振器1的框体。

未进行图示，但音叉型水晶振动片2是用具有Ｘ轴方向、Ｙ轴方向及Ｚ’轴方向 的结晶方向的、异向性材料的水晶Ｚ板构成的一整块晶体片成形而获得的。音叉型水 晶振动片2的外形，是利用光刻技术，将保护涂层或金属膜作为掩膜，例如通过湿法 蚀刻而一并地成形的。

音叉型水晶振动片2如图2所示那样，其外形由作为振动部的第1脚部21和第 2脚部22这两根脚部、与外部（本实施方式中是基座3的电极垫32）接合的接合 部23、凸出地设置着这些第1脚部21、第2脚部22及接合部23的基础部25 构成。

基础部25具有俯视时左右对称的形状，如图2所示那样，被形成为比振动部（第 1脚部21、第2脚部22）宽度更宽。另外，在基础部25的另一端面252付近 形成有递减台阶，以使从一端面251至另一端面252宽度逐渐变窄。因此，利用 另一端面252能够使作为振动部的第1脚部21和第2脚部22的振动所引起的 泄漏振动衰减，并能抑制泄漏振动传到接合部23，从而有益于进一步减低声学泄漏 （振动泄漏）。另外，作为基础部25的另一端面252付近的宽度递减结构，不局 限于台阶形状，也可以采用斜面形或曲面形。

第1脚部21和第2脚部22这两根脚部如图2所示那样，从基础部25的一端 面251伸出，隔着间隙部253而平排设置。另外，在此所说的间隙部253被设 置在一端面251的宽度方向的中央位置（中间区域）。该第1脚部21和第2脚部 22的前端部211、221被形成为，在与伸出方向垂直的方向上比第1脚部21 和第2脚部22的其它部位（除去第1脚部21和第2脚部22的基础部25侧的部 位）宽度更宽（以下，称为脚部的宽幅区域），并且，它们各自的角落部被形成为曲 面。通过这样将前端部211、221的宽度成形得较宽，能够有效利用前端部21 1、221（前端区域），从而有益于音叉型水晶振动片2的小型化，也有益于低频 化。另外，通过将各自的前端部211、221的角落部形成为曲面，能够防止在受 到外力时等接触到堤部等。

为了改善因音叉型水晶振动片2的小型化而变差的串联谐振电阻值（本实施方式 中是ＣＩ值，以下相同），在第1脚部21和第2脚部22这两个脚部的一主面26 1和另一主面262上，分别形成有槽部27。另外，音叉型水晶振动片2的外形中， 侧面28的一部分被成形为，相对于一主面261和另一主面262倾斜。这是因为， 对音叉型水晶振动片2进行湿法蚀刻成形时，向基板材料的结晶方向（图2所示的Ｘ、 Z’方向）的蚀刻速度不同而造成的。

接合部23如图2所示那样，用于使后述的引出电极293、294与外部电极 （是本发明所说的外部，在本实施方式中是基座3的电极垫32）之间实现机电连接。 具体而言，接合部23被形成为，从与延伸出第1脚部21和第2脚部22这两根脚 部的基础部25上的一端面251相对的另一端面252的宽度方向的中央位置（中 间区域）延伸出来。即，在正对着第1脚部21和第2脚部22这两个脚部之间所设 的间隙部253的位置上，形成有延伸出的接合部23。

接合部23由短边部231和长边部232构成，短边部231在俯视垂直方向 上相对于基础部25的另一端面252突出、且宽度比另一端面252更窄；长边部 232与短边部231的前端部并置，且在短边部231的前端部曲折成俯视直角而 在基础部25的宽度方向上延伸，接合部23的前端部233朝向基础部25的宽度 方向。即，接合部23被成形为俯视Ｌ字形，被成形为俯视Ｌ字形的曲折处的曲折部 234与短边部231的前端部对应。如此，由于被形成为与基础部25的另一端面 252相比短边部231的宽度更窄的状态，所以振动泄漏的抑制效果进一步得到提 高。

在本实施方式中，与接合部23的基端部对应的短边部231的曲折部234被 当作与外部接合的接合区域；与接合部23的前端部233对应的长边部232的前 端部被当作与外部接合的接合区域。并且，在作为接合部23的基端部的短边部23 1上，形成有从后述的第2激励电极292向短边部231的端部（一端部）引出的 引出电极294（本发明所说的连接电极），作为接合部的前端部的长边部232上 形成有，从后述的第1激励电极291向长边部232的端部（一端部）引出的引出 电极293（本发明所说的连接电极）。

在本实施方式所涉及的音叉型水晶振动片2上，同时并一体地形成有：以不同电 位构成的第1激励电极291及第2激励电极292这两个激励电极；为了使该第1 激励电极291和第2激励电极292与电极垫32电连接，而从该第1激励电极2 91和第2激励电极292引出的引出电极293、294；以及连接电极295、 296。连接电极295、296的前端部上分别形成有，后述的金属膜（第1金属 膜Ｍ1、第2金属膜Ｍ2）。另外，本实施方式所说的两个引出电极293、294 是指从第1激励电极291和第2激励电极292这两个激励电极分别引出的电极 图案。连接电极295、296被形成在引出电极293、294的前端部分的、作 为与基座3之间的接合部位的部位。

第1激励电极291及第2激励电极292这两个激励电极的一部分被形成在 槽部27的内部。因此，即便是将音叉型水晶振动片2小型化，也能够抑制第1脚部 21和第2脚部22的振动损失、并压低ＣＩ值。

第1激励电极291被形成在第1脚部21的两个主面（一主面261和另一主 面262）及第2脚部22的两个侧面28上。同样地，第2激励电极292被形成 在第2脚部22的两个主面（一主面261和另一主面262）及第1脚部21的两 个侧面28上。

下面，对音叉型水晶振动片2的制造方法进行说明。

使用由水晶Ｚ板构成的一整块晶体片，用该晶体片矩阵状地一并形成大量的音叉 型水晶振动片2，其中，所述水晶Ｚ板是由具有Ｘ轴方向、Ｙ轴方向及Ｚ’轴方向的 结晶方向的异向性材料构成的。在此情况下，音叉型水晶振动片2的外形是利用光刻 技术，用保护涂层或金属膜作为掩膜，例如通过湿法蚀刻而一并形成的。

然后，在音叉型水晶振动片2的外形成形的同时，形成第1激励电极291和第 2激励电极292；引出电极293、294；连接电极295、296。在本实施 方式中，按下述第1工序、第2工序、第3工序的顺序，来形成第1激励电极291 和第2激励电极292；引出电极293、294；连接电极295、296。

＜第1工序＞

上述音叉型水晶振动片2的第1激励电极291及第2激励电极292；引出电 极293、294；连接电极295、296是通过金属蒸镀，在第1脚部21和第 2脚部22上形成铬（Ｃｒ）层，并在该铬层上形成金（Ａｕ）层而构成的薄膜。该 薄膜是通过在采用真空蒸镀法或溅射法等方法在整个基板上形成之后，用光刻法进行 金属蚀刻以形成为所希望的形状，而一体地同时形成的。另外，第1激励电极291、 第2激励电极292及引出电极293、294是按铬（Ｃｒ）、金（Ａｕ）的顺序 形成的，但例如也可以按铬（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）的顺序；铬（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、 铬（Ｃｒ）的顺序；铬（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、铬（Ｃｒ）的顺序等。另外，也可以 是将铬（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、铬（Ｃｒ）、金（Ａｕ）等多个膜叠层而成的。作为 基底的铬（Ｃｒ）也可以是镍（Ｎｉ）、钛（Ｔｉ）、铬（Ｃｒ）与镍（Ｎｉ）的合 金构成的镍铬合金等。

在第1脚部21和第2脚部22各自的前端部211、221的一主面261和 另一主面262上，对上述第1脚部21和第2脚部22的宽幅区域几乎分别全面形 成引出电极293、294。

在接合部23的一主面235上形成的引出电极293、294的顶面中的与基 座3之间的接合部位之处，形成有比连接电极295、296表面粗糙度更粗、面积 更小的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）。第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的 俯视形状为圆形。

在该第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的表面，除了第1金属膜Ｍ1的表面的中 心区域Ｍ0（Ｍ01、Ｍ02）之外，沿着第1金属膜Ｍ1的表面端部设有两个以上的 凸部Ｔ。在本实施方式中，例如形成了俯视形状为圆形的三个凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ 3），沿着第1金属膜Ｍ1的表面端部形成了较多的凸部Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3。因而，由 于能够使凸部Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3从第1金属膜Ｍ1的表面端部平衡且均等地向第1金属 膜Ｍ1的中心区域Ｍ0（Ｍ01、Ｍ02）扩散，所以对于扩散接合后的电极垫32（图 1中只示出一个电极垫32）而言，较为稳定，同时强度也得到提高。只要凸部Ｔ为三 个以上，该效果便会增加，若凸部Ｔ增加到四个或五个，则该效果会进一步增加。但是， 作为一种在制作凸部Ｔ时容易制造、且能够在凸部Ｔ不相互干扰的状态下有效地提高接 合强度的凸部Ｔ结构，形成为三、四个左右较佳。另外，图4（图4（ａ）、图4（ｂ）） 中示出了多个凸部Ｔ，具体而言，图4（ａ）中示出了形成有两个凸部Ｔ的形态；图4 （ｂ）中示出了形成有四个凸部Ｔ的形态。另外，在图2或图4所示的实施方式中，第 1金属膜Ｍ11的凸部Ｔ的大小与第1金属膜Ｍ12的凸部Ｔ的大小完全相同，但不局 限于此，也可以是一方的凸部Ｔ比另一方的凸部Ｔ大。例如，可以使第1金属膜Ｍ11 的凸部Ｔ比第1金属膜Ｍ12的凸部Ｔ大。在此情况下，将音叉型压电振动片2接合到 基座3上时，整个接合的接合强度能够得到提高。换言之，离基础部25近的一侧的第 1金属膜（本实施方式中是第1金属膜Ｍ12）的接合，密切关系到将音叉型压电振动 片2接合到基座3上时的接合强度，提高该部分的接合强度，能够提高将音叉型压电振 动片2接合到基座3时的整个接合的接合强度。

具体而言，第1金属膜Ｍ11中，在接合部23的一主面235的曲折部234 的连接电极296的顶面上，形成有与第1金属膜Ｍ11材质相同、比第1金属膜Ｍ 11面积小、比连接电极296面积小、比第1金属膜Ｍ11厚度薄的第2金属膜Ｍ 21。该第2金属膜Ｍ21俯视为圆形，其被形成为，在第1金属膜Ｍ1的形成区域 中，除了其中心区域Ｍ01之外，沿着第1金属膜Ｍ1的表面端部形成三个凸部Ｔ1、 Ｔ2、Ｔ3的状态。第1金属膜Ｍ12中，在接合部23的一主面235的前端部2 33的连接电极295的顶面上，形成有与第1金属膜Ｍ12材质相同、比第1金属 膜Ｍ12面积小、比连接电极295面积小、比第1金属膜Ｍ12厚度薄的第2金属 膜Ｍ22。该第2金属膜Ｍ22俯视为圆形，其被形成为，在第1金属膜Ｍ1的形成 区域中，除其中心区域Ｍ02之外，沿着第1金属膜Ｍ1的表面端部形成三个凸部Ｔ 1、Ｔ2、Ｔ3的状态。

凸部Ｔ的截面形状为，如图3所示的、有曲率的圆弧形状（以下，称弯曲状）（本 实施方式中是半椭圆形）。在将该凸部Ｔ形成为弯曲状（圆弧形状）时，至少使凸部Ｔ 的前端部为曲面即可，但使凸部Ｔ整体为曲面（半圆形或半椭圆形）时接合强度和稳定 性更高。另外，这样的凸部Ｔ是通过在第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）与连接电极 295、296之间，形成比连接电极295、296表面粗糙度更粗、与第1金属膜 Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）材质相同、比第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）面积小且厚 度薄的第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）而构成的。另外，不局限于如本实施方式这 样，通过将两层以上的金属膜（第1金属膜Ｍ1及第2金属膜Ｍ2）叠层来构成截面形 状为弯曲状的凸部Ｔ，例如也可以采用图5所示的形态。图5包括图5（ａ）、图5（ｂ）、 图5（ｃ）及图5（ｄ），图5（ａ）是示出音叉型水晶振动片2的概要俯视图；图5 （ｂ）、（ｃ）是示出ＡＴ切等的水晶振动板4的概要俯视图；图5（ｄ）是示出ＡＴ 切等的水晶振动板4的概要截面图。特别是，如图5（ｄ）所示那样，水晶振动板4的 母材部分形成有四个凸部Ｓ3（图中示出两个凸部Ｓ3）。通过这样来形成凸部Ｓ3， 可以只用第1金属膜Ｍ1来构成截面形状为弯曲状的凸部Ｔ。

基于上述图4所示的实施方式，利用第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的厚度 差，能够在配置于第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）上方的第1金属膜Ｍ1（Ｍ1 1、Ｍ12）的表面，容易地构成截面形状为弯曲状的凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3）。

第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）被形成为厚度在第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、 Ｍ22）厚度的2倍至20倍。例如，第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）被形成为， 厚度在1～2μｍ左右；第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）被形成为，厚度在4～ 20μｍ左右。另外，超声波接合后（ＦＣＢ后），至少第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、 Ｍ12）向面方向扩散成为被压扁的状态，厚度变成约一半左右。若第1金属膜Ｍ1 （Ｍ11、Ｍ12）的厚度小于4μｍ，则音叉型水晶振动片2的连接电极295、 296与基座3的电极垫32之间的间隙变小，容易对音叉型晶体谐振器1的电学特 性产生不良影响。若第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的厚度大于20μｍ，则容 易发生音叉型水晶振动片2的倾斜或位置偏离的现象，接合强度也容易产生差异。在 此，将作为镀凸点的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的俯视形状、及作为中间镀 凸点的第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的俯视形状为圆形的结构作为例子，但也 可以相应于连接电极等的俯视形状，而自由地构成为椭圆形等其它弯曲状、或包括长 方形或正方形在内的多边形。

＜第2工序＞

有关对接合部23形成第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）和第2金属膜Ｍ2（Ｍ 21、Ｍ22），是在接合部23的各区域（连接电极295、296的顶面），用 光刻法将未图示的第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的形成部（具有比连接电极2 95、296面积更小的窗部的掩膜）形成为所希望的形状（本实施方式中是矩形窗 部），并在第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的形成部上，用电解电镀法等方法， 对第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）进行施镀形成。

＜第3工序＞

在第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的各区域（第2金属膜Ｍ2的表面），用 光刻法将未图示的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的形成部（具有比连接电极2 95、296面积小、比第2金属膜Ｍ2面积大的窗部的掩膜）形成为所希望的形状 （本实施方式中是圆形的窗部），并在第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的形成部， 用电解电镀法等方法，对第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）进行施镀形成。其后， 也可以进行退火处理。

另外，如图2所示那样，在第1脚部21和第2脚部22的一主面261上设置 的宽幅区域上形成的引出电极293、294的顶面上，一体地形成面积比引出电极 293、294小一些的调整用金属膜（频率调整用重物）Ｍ3。对于该调整用金属 膜Ｍ3，用激光束等束照射来进行金属膜的质量消减，便能调整音叉型水晶振动片2 的频率。调整用金属膜Ｍ3例如是通过，对在各宽幅区域形成的引出电极293、2 94，用光刻法形成调整用金属膜Ｍ3的形成部（所希望的形状），然后在调整用金 属膜Ｍ3的形成部，用电解电镀法等方法施镀形成调整用金属膜Ｍ3而形成的。另外， 在该施镀形成之后，也可以进行退火处理。实用上，较佳的是，在对这些调整用金属 膜Ｍ3等的金属膜进行施镀形成时，采用与上述第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12） 或第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）中至少一个以上相同的工序同时构成。第1金 属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）、第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）、调整用金属膜 Ｍ3是用相同材质的材料构成的，例如用金（Ａｕ）构成。

如上所述那样构成的音叉型水晶振动片2在上述晶片状态时，对各个音叉型水晶 振动片2的频率进行测量之后，通过束照射等，使各个音叉型水晶振动片2的调整用 金属膜Ｍ3减少、或通过部分蒸镀使其增加，来进行频率的粗调整。

进行了频率粗调整之后，从晶片取出的单片的音叉型水晶振动片2通过使其一主 面261侧的连接电极295、296的顶面上所形成的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、 Ｍ12）与基座3的电极垫32之间采用ＦＣＢ法实现超声波接合，而被装载在基座 3上。另外，在将音叉型水晶振动片2装载到基座3上时，对基座3的装载部等进行 灰化，以使音叉型水晶振动片2和基座3的接合界面（第1金属膜Ｍ1等）活性化。 另外，有关灰化处理，也可以在晶片的状态下实施。然后，在进行了接合部位的活性 化处理的状态下，施加压力将第1金属膜Ｍ1的一部分（凸部Ｔ）压扁，从而将音叉 型水晶振动片2接合到基座3上。此时，相对基座3的框体内部的底面，音叉型水晶 振动片2的主面朝向同一方向，或者将音叉型水晶振动片2的主面倾斜配置。如此， 通过施加压力将凸部Ｔ压扁来进行接合，能够抑制因接合而引起构成第1金属Ｍ1的 材料过分扩散的情况。另外，这样的効果与第1金属膜Ｍ等金属膜是施镀形成的有关， 由于将凸部Ｔ压扁来进行接合，所以能减少第1金属膜Ｍ等金属膜的过分扩散或损 伤，其结果，能够抑制该晶体谐振器1落下时等冲击时发生膜剥离。另外，基于该膜 形成的制造方法，即便是施镀形成的金属膜，也能够稳定地被压扁。

对装载到基座3上的音叉型水晶振动片2再次进行了频率测定之后，根据测定结 果，利用束照射或离子减薄（Ion milling）等，使音叉型水晶振动片2的调整用金属 膜Ｍ3减少，来进行频率的微调整，从而进行最终的频率调整。

其后，采用加热熔融接合等方法，将未图示的盖通过密封构件Ｈ而接合到装载了 进行过最终的频率调整的音叉型水晶振动片2的基座3上，从而将音叉型水晶振动片 2气密性密封于基座3和未图示的盖所构成的框体的内部。另外，作为上述气密性密 封方法，有缝熔接、束熔接、气氛加热等方法。

基于如上所述的结构，采用设置了本实施方式所涉及的音叉型水晶振动片2的音 叉型晶体谐振器1，由于使用作为镀凸点的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）作为 接合材料，所以即便是对于小型化的电极垫32或连接电极295、296也不会发 生位置偏离或越出的情况。另外，能够通过第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12），将 音叉型水晶振动片2稳定地机电连接在基座3上。具体而言，通过采用作为镀凸点的 第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12），能够在将音叉型水晶振动片2装载于外部（基 座3）之前，便在音叉型水晶振动片2上形成作为镀凸点的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、 Ｍ12）。其结果，由于一直能在所希望的形成位置上形成作为镀凸点的第1金属膜 Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12），所以，例如即便是音叉型水晶振动片2在外部（基座3） 的装载位置偏离了所希望的位置，也能够防止音叉型水晶振动片2以凸点偏离的状态 被装载于外部（基座3）的情况，从而能够稳定地在基座3上装载音叉型水晶振动片 2。

另外，由于使用比连接电极295、296表面粗糙度更粗、面积更小的第1金属 膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12），所以，第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）能够以较稳定 的状态热扩散接合到电极垫32上，从而机电上的接合较为稳定。并且，利用第2金属 膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的厚度差，能够容易地在第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12） 的表面构成截面形状为弯曲状的凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3）。由于该弯曲状的凸部Ｔ （Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3），超声波接合时，该凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3）容易变形（易 被压扁），在较小的压力下便能切实地变形（被压扁），且接合强度也得到提高。并且， 还能够消除对音叉型水晶振动片2自身的损伤。另外，即便是第1金属膜Ｍ11与第1 金属膜Ｍ12之间厚度有差异，该凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3）也可以吸收差异，使连 接电极295与连接电极296之间的接合强度平衡、稳定性提高。

而且，除了第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的表面的中心区域Ｍ0（Ｍ01， Ｍ02）之外，沿着第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的表面端部形成有两个以上 的上述截面为弯曲状的凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3），因而，在将音叉型水晶振动片 2超声波接合在基座3上时变形了的凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3）能够从第1金属膜 Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的表面端部向原本凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3）不存在的第 1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的表面的中心区域Ｍ0（Ｍ01，Ｍ02）扩散， 从而变形后不仅覆盖第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的表面端部，而且还能覆盖 中心区域Ｍ0（Ｍ01、Ｍ02）地进行扩散接合，所以，第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、 Ｍ12）的表面的中心区域Ｍ0（Ｍ01、Ｍ02）的接合强度也能够得到提高。换 言之，不仅第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的表面端部的接合强度得到提高，而 且中心区域Ｍ0（Ｍ01、Ｍ02）的接合强度也得到提高，从而，第1金属膜Ｍ1 （Ｍ11、Ｍ12）相对电极垫32的整体的接合强度得到飞越性的提高。特别是在 压电振动片是音叉型水晶振动片2的情况下，音叉型水晶振动片2的连接电极29 5、296与基座3的电极垫32之间在机电上接合时，不仅第1金属膜Ｍ1（Ｍ1 1、Ｍ12）的表面端部的接合强度得到提高，而且中心区域Ｍ0（Ｍ01、Ｍ02） 的接合强度也得到提高，所以，能够飞跃性地减低振动泄漏（声学泄漏）的发生，消 除音叉型晶体谐振器1的电学特性变差的问题。

另外，由于还能同时抑制凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3）从第1金属膜Ｍ1（Ｍ1 1、Ｍ12）的表面端部不必要地越出而变形的情况，所以，在超声波接合时，不容 易对音叉型水晶振动片2的连接电极295、296或第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ 12）、或电极垫32（只图示出一部分）造成损伤。

另外，由于是在表面粗糙度没有第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）粗的连接电 极295、296上接合厚度比第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）薄的第2金属膜 Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22），并在第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）上接合第1金属 膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12），所以，第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）与第2金属 膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的接合强度也得到提高，金属膜整体变得稳定。特别是， 在本实施方式中，第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）与第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、 Ｍ22）采用相同材质，所以，在接合强度方面和施镀形成方面都较为理想。换言之， 由于在第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）与连接电极295、296之间，至少一 部分配置有厚度较薄的第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22），所以能产生锚定效应， 与第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）直接与连接电极295、296接合相比，强 度更高、更加稳定。特别是，如果第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）与连接电极2 95、296之间的相互的接合强度弱的话，在超声波接合时、或与连接电极295、 296接合之后受到落下等的冲击时，第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）与连接电 极295、296之间会产生机械应力，从而可能产生裂缝、断线等问题，然而，本 实施方式则不会出现上述问题。

另外，由于是在被当成接合区域的接合部23的基端部，即短边部231上，通 过光刻法来形成第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）及第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ 22），所以，在音叉型水晶振动片2上形成第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）及 第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）时，定位精度得到提高，即使在音叉型水晶振动 片2的接合部23变小的情况下，也能够将第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）作为 接合构件而形成在音叉型水晶振动片2的合适的位置上。另外，第1金属膜Ｍ1（Ｍ 11、Ｍ12）、或第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的至少一个以上的形成能与 音叉型水晶振动片2的其它金属材料的形成一并进行。尤其，对于音叉型水晶振动片 2而言，如果在第1脚部21和第2脚部22的前端形成后述的调整用金属膜Ｍ3 时，同时形成第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）或第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ2 2）的至少一个以上，则不用增加多余的工序，可以提高生产效率。

另外，经过如上所述的第1工序～第3工序，相对于连接电极295、296， 第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）和第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的表面粗 糙度容易被形成得较粗。厚度较薄的第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）能够在表面 粗糙度不太粗的连接电极295、296的上部稳定地形成镀膜；即使是厚度较厚的 第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12），由于是形成在粗面的第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、 Ｍ22）的上部，所以也能够减少膜边境上的镀膜的成长速度差的影响而稳定地使镀 膜成长。另外，在第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的表面，除第1金属膜Ｍ1（Ｍ 11、Ｍ12）的表面的中心区域Ｍ0（Ｍ01、Ｍ02）之外，沿着第1金属膜Ｍ 1（Ｍ11、Ｍ12）的表面端部能形成三个凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3），由于第 2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）发挥锚定作用，所以使第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、 Ｍ12）与连接电极295、296之间的最终的接合强度得到提高，变得稳定。进 一步，通过采用这样的中间配置有许多第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）的多点锚 定，其接合强度能得到进一步提高。另外，利用第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22） 的厚度差，能够容易地在第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的表面构成截面形状为 弯曲状的凸部Ｔ（Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3）。另外，在形成第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ 12）和第2金属膜Ｍ2（Ｍ21、Ｍ22）时，对音叉型水晶振动片2不会产生机 械应力负荷，并能进行批量处理，所以能够实现低价制作，且表面面积或形状、厚度 的设计自由度得到极大提高。

另外，通过利用能获得上述作用及効果的音叉型水晶振动片2的第1金属膜Ｍ1 （Ｍ11、Ｍ12）来实现与基座3的电极垫32之间的超声波接合，音叉型水晶振 动片2的连接电极295、296与基座3的电极垫32之间的机电上的接合强度及 稳定性能同时得到提高。其结果，能够以低价提供电学特性稳定且可靠性高的、有利 于小型化的音叉型晶体谐振器1。特别是，在压电振动片是音叉型水晶振动片2的情 况下，音叉型水晶振动片2的连接电极295、296与基座3的电极垫32之间的 机电上的接合强度如果不稳定，则会发生振动泄漏（声学泄漏），使音叉型晶体谐振 器1的电学特性变差，或出现音叉型水晶振动片2因受到外力作用而作为音叉型晶体 谐振器1的振荡频率发生偏差等情况，然而，基于本发明，则能够大大减少这样的问 题。

下面，结合图5对本发明的其它实施方式进行说明。在图5（ａ）的俯视图中，采用 的是在各脚部的主面上没有形成槽部，各脚部的前端部没有形成宽幅区域，并取消了接合 部的、竖直形状的音叉型水晶振动片2。如此构成的音叉型水晶振动片2被用于尺寸较大 的音叉型水晶振动片等的情况较多，对于上述音叉型水晶振动片2，可以采用较为简单且 低价的结构。本发明也适用于这样的构造简单的音叉型水晶振动片2。在图5（ａ）所示 的实施方式中，具有比基础部的主面的连接电极295、296表面粗糙度更粗、面积更 小的第1金属膜Ｍ1。该第1金属膜Ｍ1的俯视形状为圆形。另外，在第1金属膜Ｍ1的 表面形成有，例如俯视形状为圆形、截面形状为弯曲状的四个凸部Ｔ。

另外，本实施方式不局限于进行弯曲振动的音叉型压电振动片，也适用于ＡＴ切 等的厚度剪切振动系或其它振动模式的压电振动片，或平板形状、倒台面形状等其它 形状的压电振动片。在图5（ｂ）的俯视图中，使用的是ＡＴ切等进行厚度剪切振动 的矩形平板形状的水晶振动板4。在图5（ｂ）所示的实施方式中，具有比在水晶振 动板4的主面端部上形成的连接电极495、496表面粗糙度更粗、面积更小的第 1金属膜Ｍ1。该第1金属膜Ｍ1的俯视形状为圆形。另外，在第1金属膜Ｍ1的表 面上形成有，例如俯视形状为圆形、截面形状为弯曲状的四个凸部Ｔ。

在图5（ｃ）的俯视图中，使用的是在ＡＴ切等构成的矩形平板形状的水晶振动 板4上构成有宽度较窄的桥部Ｋ1的结构。在图5（ｃ）所示的实施方式中，具有比 在水晶振动板4的桥部Ｋ1的前端部的接合部Ｋ2上形成的连接电极495、496 表面粗糙度更粗、面积更小的第1金属膜Ｍ1。该第1金属膜Ｍ1的俯视形状为圆形。 另外，第1金属膜Ｍ1的表面上形成有，例如俯视形状为圆形、截面形状为弯曲状的 四个凸部Ｔ。另外，图5（ｃ）的结构可被作为，利用宽度较窄的桥部Ｋ1抑制从接 合部Ｋ2向振动区域Ｋ3传递不需要的应力等的结构。在这样的结构中，桥部Ｋ1的 机械强度容易降低，但如果形成具备本实施方式的凸部Ｔ的第1金属膜Ｍ1，则例如 在进行超声波接合时，由于能以较小的压力切实地进行接合，所以能避免对该桥部Ｋ 1造成损伤。换言之，能避免桥部Ｋ1的破裂或断裂。

在图5（ｄ）的截面图中，使用的是在由ＡＴ切等构成的矩形平板形状的水晶振 动板4上，形成有一部分厚度较薄的振动区域Ｓ1和厚度较厚的保持区域Ｓ2的、所 谓倒台面结构。在图5（ｄ）所示的实施方式中，具有比在水晶振动板4的保持区域 Ｓ2上形成的连接电极495、496（对496未进行图示）表面粗糙度更粗、面 积更小的第1金属膜Ｍ1。另外，在第1金属膜Ｍ1的表面形成有截面形状为弯曲状 的凸部Ｔ。在该实施方式中，是在水晶振动板4的保持区域Ｓ2的一部分，通过对水 晶振动板的母材本体进行蚀刻等而形成了凸部Ｓ3、Ｓ3，由于是在该凸部的上部构 成第1金属膜Ｍ1，所以，在构成截面形状为弯曲状的凸部Ｔ之处与上述实施方式不 同。在图5（ｄ）的结构中，通过将振动区域Ｓ1构成得较薄，从而获得能对应较高 频率的结构。在这样的结构中，厚度薄的振动区域Ｓ1与厚度厚的保持区域Ｓ2之间 的连接区域Ｓ4的机械强度容易降低，但如果形成具备本实施方式的凸部Ｔ的第1金 属膜Ｍ1，则例如在进行超声波接合时，由于能以较小的压力切实地进行接合，所以 能够避免对该连接区域Ｓ4造成损伤。换言之，能够避免连接区域Ｓ3的破裂或断裂。

另外，在上述本实施方式中，如图2、4所示那样，形成了俯视形状为圆形、且 具有凸部Ｔ的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12），但不局限于此，也可以采用如图 6所示那样的Ｘ轴方向为长边方向、Ｚ’轴方向为短边方向的、俯视为椭圆形的第1 金属膜Ｍ1；或如图7所示那样的长边沿Ｘ轴方向和短边沿Ｚ’轴方向的、俯视为长 方形的第1金属膜Ｍ1。在这些图6、7所示的第1金属膜Ｍ1中，具有沿Ｘ轴方向 四行、沿Ｚ’轴方向两列的、共计八个（Ｘ轴方向×Ｙ轴方向＝4×2）凸部Ｔ。另外， 可以任意设定图6、7所示的凸部Ｔ的个数，只要是布置在Ｘ轴方向的凸部Ｔ的个数 多于布置在Ｚ’轴方向的凸部Ｔ的个数，则图6、7所示的第1金属膜Ｍ1的形状所 产生的作用和効果便较为显著。

基于上述图6、7所示的实施方式，由于第1金属膜Ｍ1是将Ｘ轴方向作为长边 方向、Ｚ’轴方向作为短边方向的俯视为椭圆形或俯视为长方形的金属膜，所以，音 叉型水晶振动片2在基座3上进行了超声波接合后，即使在音叉型水晶振动片2的 Ｚ’轴方向的振动发生时，起镀凸点作用的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的长 边方向（Ｘ轴方向）的脊线也能接受该振动，从而使隔着该镀凸点的基座3与音叉型 水晶振动片2之间的接合部的损伤得到分散。其结果，还能够抑制与镀凸点接合的连 接电极295、296的膜剥离等的发生，提高接合强度。另外，在将音叉型水晶振 动片2超声波接合时，起镀凸点作用的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的长边方 向（Ｘ轴方向）的脊线能接受该超声波振动，所以能够抑制在第1金属膜的厚度方向 （Ｙ方向）过分被压扁的情况。

另外，在上述本实施方式中，如图2、4所示那样，形成了俯视形状为圆形、具 有凸部Ｔ的第1金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12），但不局限于此，也可以采用图8所 示那样的Ｘ轴方向为长边方向、Ｚ’轴方向为短边方向的俯视为椭圆形的第1金属膜 Ｍ1。该图8所示的第1金属膜Ｍ1为，中心区域中的（长边方向的中央部分的）短 边的长度短，中心区域有凹陷部5。另外，在长边方向的两端部的区域中，分别布置 有一个凸部Ｔ。

基于具有图8所示的凹陷部5的第1金属膜Ｍ1，与图6、7所示的实施方式相 同，由于是由Ｘ轴方向作为长边方向、Ｚ’轴方向作为短边方向的俯视为椭圆形或俯 视为长方形的金属膜构成的，所以，音叉型水晶振动片2在基座3上进行超声波接合 后，即使在音叉型水晶振动片2的Ｚ’轴方向的振动发生时，起镀凸点的作用的第1 金属膜Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的长边方向（Ｘ轴方向）的脊线也能接受该振动，从 而使隔着该镀凸点的基座3与音叉型水晶振动片2之间的接合部的损伤得到分散。其 结果，还能够抑制与镀凸点接合的连接电极295、296的膜剥离等的发生，提高 接合的强度。另外，图8所示的第1金属膜Ｍ1具有形成平缓的曲线的凹陷部5，该 凹陷部5可被大致视为短线区域连续的区域。因此，不仅在音叉型水晶振动片2的Ｚ’ 轴方向，而且在从Ｚ’轴倾斜到Ｘ轴方向的轴方向的振动发生时（例如，从Ｚ’轴向Ｘ 轴方向倾斜了的轴方向为落下方向的落下发生时等），起镀凸点的作用的第1金属膜 Ｍ1（Ｍ11、Ｍ12）的边缘、即凹陷部5的边缘处（形成凹陷部5的外形的线上 的任一点）也能接受该振动，从而能使隔着该镀凸点的基座3与音叉型水晶振动片2 之间的接合部的厚度方向（Ｙ轴方向）产生的损伤得到分散。其结果，能够实现音叉 型水晶振动片2在基座3上的接合状态的稳定。

另外，本发明可以在不超越其构思或主要特征的范围内用其它各种各样的形式来 实施。因此，上述实施方式只不过是各方面的示例而已，不能将其作为限定来解释。 本发明的范围是权利要求书所表达的范围，说明书中不存在任何限定。而且，属于本 权利要求书的同等范围内的变形或变更均在本发明的范围之内。

另外，本申请要求基于2011年2月25日向日本提出了申请的特愿2011 -039414号的优先权。因而，其所有内容被导入本申请。

工业实用性

本发明能够适用于晶体谐振器等的压电振动器件。