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透过优化的重置状态降低储存元件中的泄漏

摘要

本发明提供各种方法以透过优化的重置状态降低泄漏并提升储存元件的性能。该些方法包括选择储存元件,其中,该储存元件包括经尺寸设置以降低静态漏电流的至少一储存元件组件或经调整以增加该储存元件的速度或性能的至少其中一者的至少一储存元件组件。该些方法还要求确定该储存元件的优选重置状态,其中,该优选重置状态至少基于静态漏电流的降低或该储存元件的速度或性能。该些方法还要求设置该储存元件重置状态为该优选重置状态。另一种方法要求确定储存元件是否在静态中至少花费预定时间量,以及至少基于该储存元件于其中至少花费该预定时间量的该静态确定该储存元件的优选重置状态。另一种方法还要求至少基于该储存元件于其中至少花费该预定时间量的该静态设置优选重置状态。

著录项

  • 公开/公告号CN103430180A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 先进微装置公司;

    申请/专利号CN201180065210.3

  • 发明设计人 A·K·古纳塞卡;

    申请日2011-11-15

  • 分类号G06F17/50;

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 21:57:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-12

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20131204 申请日:20111115

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-12-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20111115

    实质审查的生效

  • 2013-12-04

    公开

    公开

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