首页> 中国专利> 一种载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的合成方法

一种载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的合成方法

摘要

本发明公开了一种新型的合成载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的方法。它是在常温下将铁盐磨入未去除嵌段共聚物的短孔道介孔硅中,氮气气氛下高温煅烧后得到该材料。嵌段共聚物在合成过程中起着两方面的作用:一方面,它作为模板与硅孔壁形成密闭空间使得大量活性硅羟基能和铁盐形成氢键,让铁盐很好地附着在孔壁内;另一方面,它高温碳化后可部分还原氧化铁形成氧化铁/零价铁不同铁状态的负载。该法与传统的水热合成、浸渍负载相比,方法新颖独特,且能够调控载入氧化铁与零价铁的状态,在芬顿、类芬顿等水处理上有较高的应用价值。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B33/18 申请公布日:20140205 申请日:20131014

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/18 申请日:20131014

    实质审查的生效

  • 2014-02-05

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号