首页> 中国专利> 铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯

铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯

摘要

本发明涉及铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。该铋掺杂的钒酸钇光催化剂成本低、光催化活性高,稳定性好,能够在模拟太阳光辐照下,固定床和流动床高效光催化降解乙烯,同时该光催化剂很容易收集回收利用,具有很好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN103585884A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN201310579355.6

  • 发明设计人 易志国;张耀红;江琳沁;陈绪兴;

    申请日2013-11-18

  • 分类号B01D53/86;B01D53/72;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号

  • 入库时间 2024-02-19 21:10:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-26

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B01D53/86 申请公布日:20140219 申请日:20131118

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01D53/86 申请日:20131118

    实质审查的生效

  • 2014-02-19

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号