双等离子体源的灯加热式等离子体腔室

摘要

本发明描述用于处理半导体基板的方法和设备。处理腔室包括基板支撑件和原位等离子体源，该原位等离子体源可为电感应式波源、电容波源、微波波源或毫米波源，该原位等离子体源面对该基板支撑件和辐射加热源，该辐射加热源可为与该基板支撑件分隔的一排加热灯。该支撑件可位于该原位等离子体源与该辐射加热源之间，且该支撑件可转动。一种处理基板的方法包括以下步骤：通过将该基板暴露至在处理腔室中产生的等离子体而形成氧化层；在该腔室中的该基板上执行等离子体氮化工艺；当将该基板暴露至形成在该腔室外侧的氧自由基时，使用设置在该腔室中的辐射加热源而热处理该基板；和通过将该基板暴露至产生在该腔室中的等离子体而形成电极。