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一种方波触发的薄膜电容Blumlein型脉冲形成系统

摘要

本发明公布了一种方波触发的薄膜电容Blumlein型脉冲形成系统,该系统包括Blumlein型脉冲形成网络、方波触发器、主开关和负载,通过主开关将Blumlein型脉冲形成网络和方波触发器连接在一起,负载连接在Blumlein型脉冲形成网络的输出端;所述Blumlein型脉冲形成网络中各级采用的电容为薄膜电容,薄膜电容的容值为0.8-2nF,所述薄膜电容的输出端采用宽电极连接三螺钉固定输出;所述方波触发器包括储能脉冲形成线、均压电路和低抖动开关;本发明采用了低容值的薄膜电容,使得脉冲形成系统具有抗冲击性好、电气性能优良、工作温度范围宽、本身性能受环境影响小、工作寿命长等优点。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-10

    授权

    授权

  • 2013-09-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K3/013 申请日:20130618

    实质审查的生效

  • 2013-08-28

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及脉冲形成领域,特别是涉及一种方波触发的薄膜电容 Blumlein型脉冲形成系统,采用改进设计的低容值薄膜电容代替陶瓷电容。

背景技术

随着脉冲功率技术的不断发展,小型化、长寿命和模块化是高功率脉冲功 率源发展的必然趋势。然而,作为高功率微波源关键部件的高功率脉冲源,目 前都存在体积较大的问题,其中脉冲形成系统体积过大是其中亟待解决的问 题;只有实现了脉冲形成系统的小型化,才能真正意义上实现高功率脉冲源的 小型化。通常,脉冲形成系统的小型化设计包括脉冲形成线和触发系统的小型 化。高功率脉冲功率源中所用的脉冲形成线多为金属结构,尺寸较大,由此产 生了许多将脉冲形成线小型化的思想;如:选用高介电常数的介质陶瓷作为储 能材料,可大大缩小脉冲成形装置的体积;但大块陶瓷的烧结、制备难度大, 工艺不成熟,寿命短,进而严重制约了其在小型化脉冲功率源中的应用。激光 触发具有低抖动、稳定工作的优点,但系统体积庞大,对工作环境有严格要求, 难以达到小型化、实用化设计目标。因此,寻求一种抖动低、体积小、寿命长 的脉冲形成系统对脉冲功率技术的紧凑型、模块化发展具有重要意义。

薄膜电容具有抗冲击性好、电气性能优良、工作温度范围宽、本身性能受 环境影响小、工作寿命长等优点,其可满足系统长期、可靠稳定运行要求,但 是现有薄膜电容的容值过大,要形成脉宽100-200ns的方波脉冲非常困难。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有Blumlein型脉冲形成系统中陶瓷电容的长 时间、重频工作条件下的寿命问题,同时因为现有薄膜电容的容值过大,要形 成脉宽100-200ns的方波脉冲非常困难,现在提出一种改进的薄膜电容,容值 为0.8-2nF,同时采用紫铜电极连接片代替传统的螺旋形电感,来降低级电感, 最后实现Blumlein型脉冲形成系统输出脉冲宽度为100-200ns。

本发明采用如下技术方案:一种方波触发的薄膜电容Blumlein型脉冲形成 系统,该系统包括Blumlein型脉冲形成网络、方波触发器、主开关和负载,通 过主开关将Blumlein型脉冲形成网络和方波触发器连接在一起,负载连接在 Blumlein型脉冲形成网络的输出端;所述Blumlein型脉冲形成网络中各级采用 的电容为薄膜电容,薄膜电容的容值为0.8-2nF,所述薄膜电容的输出端采用 宽电极连接三螺钉固定输出;所述方波触发器包括储能脉冲形成线、均压电路 和低抖动开关,储能脉冲形成线的一端与主开关触发极相连接,另一端连接到 低抖动开关的阳极;均压电路的高压端连接在主开关阳极,均压端连接到主开 关触发极,低压端与Blumlein型脉冲形成网络的接地端相连接;低抖动开关的 阳极与储能脉冲形成线相连接,阴极接地。

在上述技术方案中,所述储能脉冲形成线的电长度可调。

在上述技术方案中,所述均压电路的电路参数可调。

在上述技术方案中,增加所述薄膜电容的内部子模块的数量,降低电容的 容值。

在上述技术方案中,增加所述子模块两个电极之间的距离,降低子模块的 容值。

脉冲形成网络形成波形脉宽由级电容、级电感以及级数综合确定;此处, 以均匀型脉冲形成网络加以说明。如:当采用n节均匀网络时,每节级电感 L0(即紫铜电极连接片与电容内感之和)一般在几十~百nH,电容内感在20nH 左右,紫铜电极连接片电感由矩形截面导线电感计算公式 确定,l为电极连接片长度,b、c分别为矩形电 极连接片截面边长。级电容为C0,大小0.8~2nF。每级网络对脉宽 的贡献约为10~30ns,具体数值由选择的电容容值及设计的 紫铜电极连接片电感确定;阻抗一般为几欧~十几欧。n节脉冲形 成网络的脉冲宽度τ与阻抗Z分别由公式确定。

方波触发器基于脉冲形成线储能与均压技术,均压电路选用对直流信号和 脉冲信号都有较好响应的阻容均压。当薄膜电容Blumlein型脉冲形成网络充电 至设定电压V0,方波触发器储能脉冲形成线充电电压为V0/2。此时,方波触 发器中低抖动开关对地导通,一个幅值为-V0/2,脉宽为的2τ0(τ0为方波触发 器储能脉冲形成线电长度)方波信号向主开关触发极传播。当触发信号到达触 发极时,主开关电场强烈畸变,开关导通。

本发明的优点在于:通过本发明中的脉冲形成系统,采用了低容值的薄膜 电容,使得脉冲形成系统具有抗冲击性好、电气性能优良、工作温度范围宽、 本身性能受环境影响小、工作寿命长,可长时间重频工作而不影响系统;方波 触发器中采用了均压电路和低抖动开关,使得其能稳定触发脉冲形成网路,实 现最终输出的脉冲方波抖动更低、波形幅度更平稳。

附图说明

本发明将通过实施例并参照附图的方式说明,其中:

图1是本发明的系统结构框图;

图2是本发明Blumlein型脉冲形成网络具体连接图;

图3是Blumlein型脉冲形成网络放电曲线图;

图4是本发明的一个脉冲波形图;

其中:1是薄膜电容、2是紫铜连接片、3是薄膜电容输出端、4是储能脉 冲形成线、5是均压电路。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步的说明。

如图1所示,整个脉冲形成系统包括Blumlein型脉冲网络、方波触发器、 主开关和连接在Blumlein型脉冲网络输出端的负载,本方案中的Blumlein型 脉冲形成网络采用改进后的薄膜电容1,薄膜电容1的容值为0.8-2nF,最终输 出的脉冲波形脉宽为100-200ns;采用方波触发器对Blumlein型脉冲网络进行 触发,方波触发器包括储能脉冲形成线4、均匀电路5和低抖动开关,该触发 器具有触发电压维持时间长、触发抖动低的优点。储能脉冲形成线4的一端与 主开关触发极相连接,另一端连接到低抖动开关的阳极;均压电路5的高压端 连接Blumlein型脉冲形成网络的主开关阳极,均压端连接到主开关触发极, 低压端与脉冲形成网络的接地端相连接;低抖动开关的阳极与储能脉冲形成线 相连接,阴极接地。储能脉冲形成线4的电长度是可调的,均匀电路5的各项 电路参数也能根据实际需要进行调动,采用低抖动开关为Blumlein型脉冲网 络的低抖动、稳定工作奠定基础。

在本方案中,为了实现0.8-2nF的薄膜电容1,将传统的薄膜电容进行改 进,优化薄膜电容1内部子模块,增加子模块的数量,并将子模块依次串联起 来,由C0=C/n(C0为整体电容,C为子模块的电容,n为子模块的个数)可知, 整体电容的容值和串联的子模块数量成反比;同时优化子模块内部结构,增加 两个电极之间的相互距离,使得两个电极间的介质厚度增加,子模块的容值也 就相应的降低。由C0=C/n可以得到,C减小n增加,那么整个薄膜电容1的 容值也就必然降低。

如图2所示,本发明中薄膜电容1之间的连接采用紫铜连接片2固定在薄 膜电容输出端3上,将数个电容连接在一起,薄膜电容输出端3采用宽电极连 接三螺钉固定输出。为了增加连接接触面,采用双螺钉将紫铜连接片2固定在 薄膜电容输出端3上。紫铜连接片2相隔较远,距离一般在几十~百毫米,利 用毕奥-萨伐尔定律可推导出两电极连接片之间的互感为:

M=μ04π[(a+b+d)ln(a+b+d)+dlnd-(a+d)ln(a+d)-(b+d)ln(b+d)],其中a、b分别 为相邻两连接片长度,d为两连接片间距离。通过计算,可知两电极连接片间 的互感可基本忽略。

本系统的工作过程为,当电源给Blumlein型脉冲形成网络充电至电压V0时,方波触发器中低抖动开关对地导通,一个幅值-V0/2、脉宽2τ0的方波信号 向主开关的触发极传播。延时τ0后,主开关中电场强烈畸变,进而发展导通, Blumlein型脉冲形成网络通过其对负载放电。当负载与Blumlein型脉冲形成网 络阻抗匹配时,可在匹配负载上获得幅值为V0,脉宽为τ高压脉冲。近负载的 电容C1通过电感L1、L11(L1为电极连接片电感,L11为电容内感)向负载放 电;经过第一级网络的放电延迟时间后,C2经过L1,L11,L2, L22向负载开始放电,依次类推。得到每级电容通过电感对负载放电的曲线如 图3中实线所示。每级电容的充电电压相同,而由于电容、电感的不同使得放 电时间常数不同,因此每级电容对负载放电的电压幅度也不同。通过对每级电 容放电波形进行叠加,获得整个脉冲形成网络的脉冲形成波形,如图3中虚线 所示。

具体实施例:

制一个输出电压20kV、脉宽160ns的方波触发的薄膜电容Blumlein型脉 冲形成系统,Blumlein系统特征阻抗14Ω。

低容值、低电感薄膜电容容量为1.5nF,电极连接片长60mm、宽48mm、 厚2mm。紫铜电极连接片上通孔孔径为7mm,固定到同一电容上的两孔间距 为30mm,通孔距离电极连接片边缘9mm。

根据计算,得到每级电极连接片电感为52nH,考虑电容内感20nH;计算 得到脉冲形成网络阻抗z~7Ω,每级脉冲形成网络对脉宽的贡献为20ns,160ns 脉宽需要的脉冲形成网络级数为8。

方波触发器储能脉冲形成线电长度为50ns,即触发脉冲宽度为100ns。均 压电路为对直流信号与脉冲信号都有较好响应的阻容均压;均压电阻不仅要起 均压作用,而且不能让初级储能通过其较快漏掉,此处选为10MΩ;初级充电 电源通过均压电阻放电的同时也对均压电容充电,为保证均压电容对能量的传 输效率没有大的影响,均压电容需远小于Blumlein型脉冲形成网络电容24nF, 此处选定为525pF。低抖动开关为辉光放电触发赝火花开关。

薄膜电容Blumlein型脉冲形成网络充电20kV,在方波触发器触发下;8 级Blumlein型脉冲形成网络在匹配负载14Ω上可输出电压20kV,脉宽160ns 的脉冲。所设计的准方波触发的薄膜电容Blumlein型脉冲形成系统模块尺寸 为:600mm×100mm×320mm,体积约0.019m3

为验证发明的方波触发的薄膜电容Blumlein型脉冲形成系统的脉冲形成 特性,对其进行了仿真分析。结果表明其能够形成较好的脉冲方波,脉冲宽度 约160ns,如图4所示。

本说明书中公开的所有特征,除了互相排斥的特征以外,均可以以任何方 式组合。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发 明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明 的保护范围之内。

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