具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法

摘要

本发明提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法。根据本发明的方法，先在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的超晶格结构的多层材料层；随后，在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si1-yGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的Si1-yGey层发生弛豫现象；最后再采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构；由此可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层的影响。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制 备方法。

背景技术

现获得较高质量SiGe材料的普遍办法有：1、厚的缓冲层技术——这种方法导致缓冲层 有几个微米厚度，并且缺陷密度仍然很高，厚的缓冲层不仅增加了生产时间，而且增加了生 产成本；2、先长后注——即先生长应变的SiGe，然后通过Hor He离子注入退火使外延层弛 豫，这种方法虽然节省可成本，但注入的离子会经过外延层，导致转移材料质量下降。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的 SGOI或sSOI的制备方法，以避免形成的SiGe缓冲层过厚导致材料质量不佳等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或 sSOI的制备方法，其至少包括以下步骤：

1)在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x形成 的超晶格结构的多层材料层；

2)在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si_1-yGe_y和/或Si后，进行退火处理，以 使表层的Si_1-yGe_y层发生弛豫现象；以及

3)采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧 层表面，经过化学腐蚀和/或抛光以形成SGOI或sSOI结构。

优选地，所述步骤1)中注入的离子包括Ar离子、Si离子及Ge中的一种或多种；更为 优选地，注入Ar离子或Si离子的注入能量为25kev、注入剂量范围为1～1.3×10¹⁵/cm²；注入 Ge离子的注入能量为40kev、注入剂量范围为0.6×10¹⁵/cm²。

优选地，接触所述单晶表面的Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x材料层的单层厚度在10nm以下。

优选地，每一Si_1-xGe_x/Ge或Si材料层的厚度在十纳米范围内。

优选地，在衬底的单晶表面外延生长3个周期以上的包含由Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x形 成的超晶格结构，以获得所述多层材料层，且使所述多层材料层总厚度不超过100nm。

如上所述，本发明的具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法，具有以下有 益效果：可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层的影 响。

附图说明

图1-图7显示为本发明的具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法的流程 图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露 的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加 以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精 神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明 的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状 及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局 型态也可能更为复杂。

如图所示，本发明提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法，所述 制备方法包括以下过程：

第一步：在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x形 成的超晶格结构的多层材料层。

例如，先在单晶Si衬底上注入Ar离子、Si离子及Ge离子中的一种或多种离子，如图1 所示，优选地，注入Ar离子或Si离子的注入能量和剂量的优选范围分别为25kev及1～1.3× 10¹⁵/cm²；注入Ge离子的注入能量和剂量的优选范围为40kev和0.6×10¹⁵/cm²；接着，再在 该已注入离子的衬底上外延生长Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x的超晶格结构的多层材料，其中 0＜x＜1。优选地，在该已注入离子的衬底上外延生长所述超晶格结构3个周期以上；更为优 选地，先在该衬底上外延生长第一层Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x材料层，其单层厚度在10nm以 下，如图2所示；随后再继续生长Ge或Si/Si_1-xGe_x的材料层，如图3所示，优选地，该Ge 或Si/Si_1-xGe_x的材料层的厚度在十纳米以下；接着，在已形成的结构表面继续外延生长Ge或 Si/Si_1-xGe_x的材料层，优选地，该继续外延出的Ge或Si/Si_1-xGe_x的材料层的厚度也在十纳米 范围内；重复外延生长Ge或Si/Si_1-xGe_x的材料层多次，如图4所示，且使每一次外延生长 Ge或Si/Si_1-xGe_x的材料层的厚度在几纳米至十纳米范围内，并使由超晶格结构组成的整个多 层材料层的总厚度不超过100nm。

第二步：在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si_1-yGe_y和/或Si后，进行退火处理， 以使表层的Si_1-yGe_y层发生弛豫现象，其中0＜y＜1。

例如，在图4所示的结构表面再以范围在400度～500度内的一低温生长Si_1-yGe_y和/或Si 后，进行退火处理，以使表层的Si_1-yGe_y层发生弛豫现象，如图5所示。优选地，所述退火处 理采用高温退火处理，例如，以800～950度范围内的一温度进行退火处理，使超晶格材料及 顶层低温生长的SiGe层发生部分或完全弛豫，进而顶层Si带有应变。

第三步：采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的 含氧层表面，经过化学腐蚀和/或抛光以形成SGOI或sSOI结构。

例如，如图6所示，对已发生弛豫现象的结构进行H离子注入，并且与另外一包含SiO₂/Si 层的氧化片进行键合，随后再通过选择性腐蚀技术或化学机械抛光技术(即CMP)来获得sSOI 结构(如图7所示)或SGOI(未予图示)。需要说明的是，本领域技术人员应该理解，可通 过控制注入的H离子的能量来调节剥离位置，在此不再予以详述。

综上所述，本发明的具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法利用超晶格结 构材料的生长来制备高质量的锗硅及应变Si材料，而且，通过先注入的离子在后续退火的作 用下，使顶层锗硅材料发生弛豫现象，再利用智能键合技术制备高质量的SGOI或sSOI衬底 材料，可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层质量的 影响。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技 术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡 所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等 效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。