布线简便的DDR1匹配电阻的匹配方法

摘要

本发明提供一种布线简便的DDR1匹配电阻的匹配方法。目前为了获得波形良好的数据信号，一般做法是在DDR1SDRAM所有信号线接上拉至VTT的匹配电阻，信号线上串接10~35欧姆匹配电阻。此种做法将会使PCB布线困难，单板的BOM成本增加。本发明的方法包括采用DDR1控制器同时控制一组16位宽DDR1SDRAM，地址线和命令线共用，数据线单独使用；在PCB布线时，保证DDR1控制器和DDR1SDRAM之间的所有连接线的布线长度小于2000mil；在DDR1控制器和DDR1SDRAM的所有信号布线中间串接10-35欧姆匹配电阻。本发明不需要单独设计VTT电源，减少单板的BOM成本，同时能够获得良好的信号波形。