半导体工艺中制作细长型孤立线条图形的方法

摘要

本发明公开了一种半导体工艺中制作细长型孤立线条图形的方法，包括如下步骤：(1)提供一需要制作细长型孤立线条图形的基片；(2)在所述基片上进行可显影底部抗反射材料的旋涂和烘烤；(3)进行光刻胶的旋涂和烘烤；(4)曝光及显影，形成类T字形上宽下窄的光刻胶和可显影底部抗反射材料的组合图形；(5)使用低温淀积或低温溅射的方法生长一层薄膜层；(6)使用光刻胶剥离液去除光刻胶和可显影底部抗反射材料，同时去除光刻胶上面的薄膜层，而保留基片上的薄膜层，形成细长型孤立线条。本发明可解决用传统光刻和刻蚀方法制作细长型孤立线条时容易发生的图形倒塌问题，可获得长宽比＞30，且线宽＜0.6微米的细长型孤立线条。