法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-11
授权
授权
2013-07-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G03G5/06 申请日:20121129
实质审查的生效
2013-06-05
公开
公开
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件、生产酞菁晶体的方法、生产电子照相感光构件的方法、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体。
背景技术
目前已频繁用作电子照相设备的图像曝光单元的半导体激光器的振荡波长为例如650至820nm的长波长。所以，已推进了对具有该长波长的光具有高感光度的电子照相感光构件的开发。
酞菁颜料作为对具有在该长波长范围内的波长的光具有高感光度的电荷产生物质是有效的。特别地，氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光特性，并迄今已报道了其各种晶形。
使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优异的感光特性。然而，产生的光载流子(photocarrier)易于残留在电子照相感光构件的感光层上。因此，电子照相感光构件涉及以下问题。即，发生作为一种记忆(memory)的短期电位变化，其易于引起图像缺陷例如重影图像，并引起与重复使用相关联的长期电位变化。
日本专利申请特开2001-40237报道了，在酞菁颜料的酸溶处理(acid pasting process)时添加特定有机电子受体产生感光效果。然而，所述方法涉及以下顾虑和问题。添加剂可以化学上变化，因此难以将添加剂转化为所需的晶形。
另外，日本专利申请特开2006-72304报道了以下。当颜料和特定有机电子受体进行湿式粉碎处理时，有机电子受体在随 晶体转化的同时被引入晶体的表面，并因此改善电子照相特性。
然而，通过所述方法获得的酞菁晶体在其中不包含有机电子受体，并且受体仅处于与晶体混合的状态或仅附着到其表面。因此，所述方法的构成和效果与在其中在生产电荷产生层用涂布液时添加特定有机电子受体的分散时的所谓添加相同。
另外，日本专利申请特开2007-138153公开了将氟化芳族化合物引入酞菁晶体，日本专利申请特开2007-332052公开了将氨基化合物引入酞菁晶体。
如上所述，对电子照相感光构件已尝试了各种改进。
然而，与近年来图像品质的进一步改善相关已期望减轻由于在各种环境下感光构件中的电位变化引起的图像浓度变化。由本发明的发明人进行的研究在各日本专利申请特开2001-40237、2006-72304、2007-138153和2007-332052中所述的技术在抑制在低温、低湿环境下重复使用电子照相感光构件时的电位变化方面容易得到改善。
发明内容
鉴于上述，本发明的目的是提供电子照相感光构件，生产电子照相感光构件的方法以及各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，所述电子照相感光构件已解决了所述问题，并且不仅在常温、常湿环境下而且在低温、低湿环境作为特别恶劣的条件下可输出其图像浓度从连续打印开始到其结束改变至降低的程度的图像。
另外，本发明的目的是提供在其中包含满足特定物理性质的化合物的酞菁晶体和生产该晶体的方法。
由本发明的发明人进行的研究已发现在其中包含使汉森溶解度参数(Hansen Solubility Parameter)的极性项以及LUMO的 能级控制到落入特定范围内的化合物的酞菁晶体的使用对抑制在低温、低湿环境下重复使用电子照相感光构件时的电位变化显示优异的效果。
本发明提供电子照相感光构件，其包括：支承体；形成于所述支承体上的感光层，其中所述感光层包含酞菁晶体，在所述晶体内含有满足下式(A)和(B)的化合物：
8.9≤δP≤10.7 (A)
-3.2≤L≤-1.5 (B)
式(A)中，δP表示汉森溶解度参数的极性项，和式(B)中，L表示作为基于密度泛函计算B3LYP/6-31G的结构优化计算的结果获得的LUMO(最低未占分子轨道)的能级(eV)。
本发明还提供电子照相感光构件，其包括：支承体；和形成于所述支承体上的感光层，其中所述感光层包含酞菁晶体，在所述晶体内含有由下式(1)表示的化合物：
式(1)中：R1至R10各自独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、芳氧羰基、酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳氧基；
所述取代的烷基的取代基、所述取代的烷氧基的取代基、和所述取代的芳氧基的取代基各自为卤素原子、羟基、或烷氧基；
R1至R10中的至少一个为羟基或烷氧基；和
X1表示羰基和二羰基中之一。
本发明还提供生产酞菁晶体的方法，其包括以下步骤：将添加到溶剂的酞菁晶体和满足下式(A)和(B)的化合物进行研磨 处理(milling treatment)：
8.9≤δP≤10.7 (A)
-3.2≤L≤-1.5 (B)
式(A)中，δP表示汉森溶解度参数的极性项，和式(B)中，L表示作为基于密度泛函计算B3LYP/6-31G的结构优化计算的结果获得的LUMO的能级(eV)。
本发明还提供生产电子照相感光构件的方法，所述电子照相感光构件包括支承体和形成于所述支承体上的感光层，所述方法包括以下步骤：通过上述生产方法生产酞菁晶体；和用所生产的酞菁晶体形成感光层。
本发明还提供处理盒，其包括：上述电子照相感光构件；和选自由用于使所述电子照相感光构件的表面充电的充电单元、用于用调色剂使在所述电子照相感光构件的表面上形成的静电潜像显影从而形成调色剂图像的显影单元、和用于在将调色剂图像转印到转印材料后除去在所述电子照相感光构件的表面上的调色剂的清洁单元组成的组中的至少一个单元，所述电子照相感光构件和所述至少一个单元被一体化地支承，其中所述处理盒可拆卸地安装到电子照相设备的主体。
本发明还提供电子照相设备，其包括：上述电子照相感光构件；用于使所述电子照相感光构件的表面充电的充电单元；用于用图像曝光光照射所述电子照相感光构件的所述充电表面从而形成静电潜像的图像曝光单元；用于用调色剂使在所述电子照相感光构件的表面上形成的静电潜像显影从而形成调色剂图像的显影单元；和用于使在所述电子照相感光构件的表面上形成的所述调色剂图像转印到转印材料的转印单元。
本发明还提供酞菁晶体，在所述晶体内包含满足下式(A)和(B)的化合物：
8.9≤δP≤10.7 (A)
-3.2≤L≤-1.5 (B)
式(A)中，δP表示汉森溶解度参数的极性项，和式(B)中，L表示作为基于密度泛函计算B3LYP/6-31G的结构优化计算的结果获得的LUMO的能级(eV)。
根据本发明，提供电子照相感光构件、生产电子照相感光构件的方法以及各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相感光设备，所述电子照相感光构件不仅在常温、常湿环境下而且在低温、低湿环境作为特别恶劣的条件下可输出其图像浓度从连续打印开始到其结束改变至降低的程度的图像。
另外，根据本发明，提供的是具有作为电荷产生物质的优异特性的酞菁晶体。
参考附图由以下示例性实施方案的说明本发明的进一步特征变得显而易见。
附图说明
图1为说明设置有具有本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性构造的实例的图。
图2A为实施例1-1中所获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱。
图2B为实施例1-1中所使用的示例性化合物(A-1)的粉末X射线衍射图谱。
图3A为实施例1-3中所获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱。
图3B为实施例1-4中所获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱。
图4为比较例1-3中所获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线 衍射图谱。
图5A为包含比较例1-5中所获得的羟基镓酞菁晶体的混合物的粉末X射线衍射图谱。
图5B为比较例1-5中所使用的2-吗啉基蒽醌(2-morpholinoanthraquinone)的粉末X射线衍射图谱。
图6A为包含比较例1-6中所获得的羟基镓酞菁晶体的混合物的粉末X射线衍射图谱。
图6B为比较例1-6中所使用的蒽醌的粉末X射线衍射图。
具体实施方式
如上所述，本发明的电子照相感光构件为包括：支承体；和形成于所述支承体上的感光层的电子照相感光构件，其中所述感光层包含酞菁晶体，在所述晶体内含有满足下式(A)和(B)的化合物：
8.9≤δP≤10.7 (A)
-3.2≤L≤-1.5 (B)
(式(A)中，δP表示汉森溶解度参数的极性项的计算值，和式(B)中，L表示作为基于密度泛函计算B3LYP/6-31G的结构优化计算的结果获得的LUMO(最低未占分子轨道)的能级(eV))。
本发明的发明人认为包含在其中含有满足式(A)和(B)的化合物的酞菁晶体的电子照相感光构件显示与其重复使用相关的长期电位变化的优异特性的原因如下所述。汉森溶解度参数的极性项δP表示分子的偶极力(dipole force)对分子的效果，和LUMO的能级表示接受电子的容易性的指标。由上述推测当以满足式(A)的状态引入到晶体的化合物满足由式(B)表示的物理性质时，改善电子流，由此防止在酞菁晶体周围存在的残余电荷的增加。
汉森溶解度参数详细描述于Hansen,Charles(2007)。汉森溶解度参数:使用者手册,第二版.Boca Raton,Fla:CRC Press.ISBN9780849372483。
本申请中，使用Hansen Solubility Parameters in Practice(H SPiP)软件来测定汉森溶解度参数。
另外，将作为一种密度泛涵理论的B3LYP用于LUMO的能量计算，并通过借助于在6-31G水平的结构优化计算来测定稳定结构获得能量。
B3LYP详细描述于A.D.Becke,J.Chem.Phys.98,5648(1993),C.Lee,W.Yang,and R.G.Parr,Phys.Rev.B37,785(1988),and B.Miehlich,A.Savin,H.Stoll,and H.Preuss,Chem.Phys.Lett.157,200(1989)。
可适当地使用选自由具有羟基或烷氧基的缩合多环化合物、具有羟基或烷氧基的多苯基化合物和具有羟基或烷氧基的芳族酮化合物组成的组中的至少一种作为满足式(A)和(B)的化合物。
另外，可以适当地将由下式(1)表示的化合物用于本申请。
(式(1)中，R1至R10各自独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、芳氧羰基、酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳氧基；所述取代的烷基的取代基、所述取代的烷氧基的取代基和所述取代的芳氧基的取代基各自为卤素原子、羟基或烷氧基；R1至R10中的至少之一为羟基或烷氧基，和X1表示羰基和二羰基中之一。)
满足式(A)和(B)的化合物的具体实例(示例性化合物)如下 所示，和其物理性质值的计算结果示于表1中。然而，本发明不局限于此。
示例性化合物(A-1) 示例性化合物(A-2) 示例性化合物(A-3)
示例性化合物(A-4) 示例性化合物(A-5) 示例性化合物(A-6)
示例性化合物(A-7) 示例性化合物(A-8) 示例性化合物(A-9)
示例性化合物(A-10) 示例性化合物(A-11) 示例性化合物(A-12)
示例性化合物(A-13) 示例性化合物(A-14)
示例性化合物中，Me表示甲基。
表1
另外，不满足式(A)或(B)的化合物的具体实例(示例性化合物)如下所示，和其物理性质值的计算结果示于表2和表3。
示例性化合物(B-1) 示例性化合物(B-2) 示例性化合物(B-3)
示例性化合物(B-4) 示例性化合物(B-5) 示例性化合物(B-6)
示例性化合物(B-7) 示例性化合物(B-8) 示例性化合物(B-9)
示例性 示例性 示例性 示例性
化合物(B-10) 化合物(B-11) 化合物(B-12) 化合物(B-13)
示例性 示例性 示例性 示例性
化合物(B-14) 化合物(B-15) 化合物(B-16) 化合物(B-17)
示例性 示例性 示例性 示例性
化合物(B-18) 化合物(B-19) 化合物(B-20) 化合物(B-21)
表2
示例性化合物(C-1) 示例性化合物(C-2)
示例性化合物(C-3) 示例性化合物(C-4)
示例性化合物(C-5) 示例性化合物(C-6) 示例性化合物(C-7)
表3
酞菁颜料的实例包括非金属酞菁和金属酞菁。这些酞菁颜料可具有轴向配体或取代基。
酞菁颜料中，由于具有高感光度所以优选氧钛酞菁和镓酞菁。
构成本发明的在其中包含满足式(A)和(B)的化合物的酞菁晶体的酞菁的实例包括非金属酞菁和金属酞菁。这些酞菁可具 有轴向配体或取代基。其实例包括在镓酞菁分子中的镓原子处具有卤素原子、羟基或烷氧基作为轴向配体的酞菁。酞菁在其酞菁环中可具有取代基例如卤素原子。
镓酞菁晶体中，由于本发明有效地起作用所以优选各自具有优异感光度的羟基镓酞菁晶体(其中镓原子具有羟基作为轴向配体)、溴镓(bromogallium)酞菁晶体(其中镓原子具有溴原子作为轴向配体)或碘镓(iodogallium)酞菁晶体(其中镓原子具有碘原子作为轴向配体)。
另外，镓酞菁晶体中，优选以下晶体：
在CuKαX射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体；
在CuKαX射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体；
在CuKαX射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.1°和28.4°处具有峰的溴镓酞菁晶体；和
在CuKαX射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为20.4°、27.1°、29.0°和33.2°处具有峰的碘镓酞菁晶体。
术语“在其中包含满足式(A)和(B)的化合物的酞菁晶体”指所述晶体在其中引入满足式(A)和(B)的化合物。描述在其中包含满足式(A)和(B)的化合物的酞菁晶体的生产方法。
本发明的在其中包含满足式(A)和(B)的化合物的酞菁晶体优选通过下述来获得，在使由酸溶法处理的低结晶性酞菁进行湿磨处理从而进行其晶型转变(crystal transformation)的工艺中，添加满足式(A)和(B)的化合物，随后用溶剂研磨处理。
本文要进行的研磨处理为例如用研磨设备例如砂磨机和球磨机与分散剂例如玻璃珠、钢珠和氧化铝球一起进行的处理。研磨时间优选为约4至48小时。特别优选的方法如下所述。每4 至8小时取样并确定晶体的布拉格角。研磨处理中分散剂的使用量基于质量优选大至酞菁晶体的10至50倍。另外，所用溶剂的实例包括：酰胺类溶剂例如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮；卤素类溶剂例如氯仿；醚类溶剂例如四氢呋喃；和亚砜类溶剂例如二甲亚砜。溶剂的使用量基于质量优选大至酞菁晶体的5至30倍。满足式(A)和(B)的化合物的使用量基于质量优选大至酞菁晶体的0.1至10倍。
通过对所得酞菁晶体的热重(TG)测量、X射线衍射测量和NMR测量数据的分析来确定本发明的酞菁晶体是否在其中包含满足式(A)和(B)的化合物。
例如，当对已添加待引入的化合物的体系和除了未添加所述化合物之外通过相同的制备获得的酞菁晶体分别进行TG测量时，在已添加待引入的化合物的体系中获得的酞菁晶体的TG测量结果可以解释为仅通过以预定比率混合单独的测量结果获得的结果，所述体系可被解释为晶体和化合物的混合物，或解释为化合物仅附着至晶体表面这样的产物。
另一方面，当在已添加待引入化合物的体系中获得的酞菁晶体的TG测量结果与待引入的化合物的TG测量结果的情况相比，在更高的温度下发生重量减少时，可以判定待引入的化合物被引入到晶体中。
另外，当体系的X射线衍射结果可被解释为仅通过以预定比例混合单独测量的结果而获得的结果时，体系可被解释为晶体与化合物的混合物，或被解释为化合物仅附着至晶体表面这样的产物。
另一方面，当不存在待引入的化合物的X射线衍射时或当所得晶形改变时，可判定待引入的化合物被引入晶体。
另外，在充分进行在用能够溶解待引入的化合物的溶剂研磨处理或研磨后的洗涤工艺的情况下，当在NMR测量中检测到待引入的化合物时，可判定待引入的化合物被引入晶体。
在以下条件下进行本发明的酞菁晶体的TG测量、X射线衍射测量和NMR测量。
(TG测量)
所用测量设备：TG/DTA同时测量设备(商品名：TG/DTA220U)，由S eiko Instruments Inc.制造
氛围：在氮气流(300m2/分钟)下
测量范围：35℃至600℃
升温速率：10℃/分钟
(粉末X射线衍射测量)
所用测量设备：X射线衍射仪RINT-TTRII，由Rigaku Corporation制造
X射线管球：Cu
管电压：50KV
管电流：300mA
扫描方法：2θ/θ扫描
扫描速度：4.0°/分钟
取样间隔：0.02°
起始角度(2θ)：5.0°
终止角度(2θ)：40.0°
附件：标准样品台(sample holder)
过滤器：不使用
入射单色：使用
计数器单色仪(Counter monochromator)：不使用
发散狭缝：开放
发散纵向限制狭缝：10.00mm
散射狭缝：开放
受光狭缝：开放
平板单色仪：使用
计数器：闪烁计数器
(NMR测量)
所用测量设备：AVANCE III500，由BRUKER制造
溶剂：氘代硫酸(D2SO4)
本发明的在其中包含满足式(A)和(B)的化合物的酞菁晶体在用作光电导体中优异，并因此应用于太阳能电池、传感器或开关元件等以及应用于电子照相感光构件。
接下来，描述将本发明的在其中包含满足式(A)和(B)的化合物的酞菁晶体用作电子照相感光构件中的电荷产生物质的情况。
感光层分为由包含电荷产生物质和电荷输送物质两者的单层形成的感光层(单层感光层)，和通过层压包含电荷产生物质的电荷产生层和包含电荷输送物质的电荷输送层而获得的感光层(层压感光层)。应注意电荷产生层可以层压到电荷输送层上，反之亦然。
用于本发明的支承体优选为具有导电性的支承体(导电性支承体)。作为支承体，可使用，例如，铝、铝合金、铜、锌、不锈钢、钒、钼、铬、钛、镍、铟、金和铂。另外，可使用：具有通过真空气相沉积法形成为膜的铝、铝合金、氧化铟、氧化锡或氧化铟-氧化锡合金的层的塑料(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、丙烯酸类树脂和聚氟乙烯)；通过用导电性颗粒(例如，铝颗粒、氧化钛颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、炭黑和银颗粒)和粘结剂树脂涂布塑料或上述支承 体获得的支承体；通过用导电性颗粒浸渍塑料或纸获得的支承体；和包含导电性聚合物的塑料等。
本发明中，可将具有阻挡功能和粘合功能的底涂层(有时称为“阻挡层”或“中间层”)设置于支承体和感光层之间。
作为底涂层用材料，可使用聚乙烯醇、聚环氧乙烷、乙基纤维素、甲基纤维素、酪蛋白、聚酰胺(例如，尼龙6、尼龙66、尼龙610、共聚物尼龙和N-烷氧基甲基化尼龙)、聚氨酯、胶、氧化铝和明胶等。底涂层的厚度为0.1至10μm，优选0.5至5μm。
当形成单层感光层时，其形成可通过下述来进行：将由根据本发明的酞菁晶体制成的电荷产生物质和电荷输送物质混合到粘结剂树脂溶液中；将混合液体施涂到支承体上；和干燥所得施涂的膜。
当形成层压感光层时，电荷产生层可通过下述来形成：施涂通过使根据本发明的酞菁晶体分散于粘结剂树脂溶液中获得的电荷产生层用涂布液；和干燥所得施涂的膜。可选地，电荷产生层可通过气相沉积来形成。
电荷输送层可通过下述来形成：施涂通过将电荷输送物质和粘结剂树脂溶解于溶剂中获得的电荷输送层用涂布液；和干燥所得施涂的膜。
电荷输送物质的实例包括三芳胺类化合物、腙类化合物、茋类化合物、吡唑啉类化合物、噁唑类化合物、噻唑类化合物和三芳基甲烷类化合物。
用于各层的粘结剂树脂的实例包括例如聚酯、丙烯酸类树脂、聚乙烯咔唑、苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚砜、聚芳酯、偏二氯乙烯、丙烯腈共聚物和聚乙烯醇缩苯甲醛(polyvinyl benzal)等树脂。
可使用例如浸涂法、喷涂法、旋涂法、珠涂(bead coating) 法、刮涂法和束流涂法(beam coating method)的施涂方法作为施涂感光层的方法。
当感光层为单层型时，其厚度优选为5至40μm，更优选10至30μm。
当感光层为层压型时，电荷产生层的厚度优选为0.01至10μm，更优选0.1至3μm。另外，电荷输送层的厚度优选为5至40μm，更优选10至30μm。
当感光层为层压型时，电荷产生物质的含量相对于电荷产生层的总质量优选为20至90质量%，更优选50至80质量%。另外，电荷输送物质的含量相对于电荷输送层的总质量优选为20至80质量%，更优选30至70质量%。
当感光层为单层型时，电荷产生物质的含量相对于感光层的总质量优选为3至30质量%。另外，电荷输送物质的含量相对于感光层的总质量优选为30至70质量%。
当将根据本发明的酞菁晶体用作电荷产生物质时，所述物质在使用前可与任意其它电荷产生物质混合。在这种情况中，酞菁晶体的含量相对于全部电荷产生物质优选为50质量%以上。
根据需要可将保护层设置于感光层上。保护层可通过下述来形成：将保护层用涂布液(其通过将例如聚乙烯醇缩丁醛、聚酯、聚碳酸酯(例如，聚碳酸酯Z和改性聚碳酸酯)、尼龙、聚酰亚胺、聚芳酯、聚氨酯、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯酸类共聚物和苯乙烯-丙烯腈共聚物的树脂溶解于有机溶剂中来获得)施涂到感光层上；和干燥所得施涂的膜。
保护层的厚度优选为0.05至20μm。
可将导电性颗粒或紫外线吸收剂等引入保护层。导电性颗粒的实例包括金属氧化物颗粒例如氧化锡颗粒。
图1为说明设置有具有本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性构造的实例的图。
圆筒状(鼓状)电子照相感光构件1绕轴2沿箭头所示方向以预定圆周速度(处理速度)旋转驱动。
在旋转过程期间通过充电单元3使电子照相感光构件1的表面充电为预定的正或负电位。接下来，用来自图像曝光单元(未示出)的图像曝光光4照射电子照相感光构件1的充电表面，然后形成对应于目标图像信息的静电潜像。图像曝光光4为例如从图像曝光单元例如狭缝曝光和激光束扫描曝光输出的，并具有对应于目标图像信息的时序电数字图像信号而调整的强度的光。
形成于电子照相感光构件1表面上的静电潜像用贮存于显影单元5中的调色剂来显影(进行正常显影或反转显影)。因此，将调色剂图像形成于电子照相感光构件1的表面上。形成于电子照相感光构件1表面上的调色剂图像通过转印单元6被转印到转印材料7上。此时，将与调色剂具有的电荷的极性相反的偏压从偏置电源(未示出)施加到转印单元6。另外，当转印材料7为纸时，将转印材料7从供纸部(未示出)取出，然后与电子照相感光构件1的旋转同步地供给到电子照相感光构件1和转印单元6之间的间隙。
将已从电子照相感光构件1转印调色剂图像的转印材料7从电子照相感光构件1的表面分离，然后输送到图像定影单元8，在该图像定影单元8中使转印材料进行用于定影调色剂图像的处理。因此，将转印材料作为图像形成产物(打印件或复印件)打印出电子照相设备外。
在将调色剂图像转印到转印材料7上之后的电子照相感光构件1的表面进行通过清洁单元9使所附着物质例如调色剂(转印残余调色剂)的除去，由此被清洁。近年来已开发了无清洁器 的系统，因此可用显影设备等直接除去转印残余调色剂。另外，在重复用于图像形成之前，通过来自预曝光单元(未示出)的预曝光光10来使电子照相感光构件1的表面进行中和处理。应注意当充电单元3为使用充电辊等的接触充电单元时，预曝光单元并非必需的。
本发明中，可采用以下构造。将来自组件例如电子照相感光构件1、充电单元3、显影单元5和清洁单元9的多个组件容纳于容器中并一体化地支承从而形成处理盒，然后可将处理盒可拆卸地安装到电子照相设备的主体。例如，可采用以下构造。将选自充电单元3、显影单元5和清洁单元9的至少一个与电子照相感光构件1一体化地支承从而提供盒，然后将所述盒用作使用导向单元12例如电子照相设备主体的轨道可拆卸地安装到电子照相设备主体的处理盒11。
当电子照相设备为复印机或打印机时，图像曝光光4可以是来自原稿的反射光或透射光。可选地，所述光可以是通过根据从用传感器读取的原稿转化的信号进行的、例如用激光束扫描、LED阵列驱动或液晶快门阵列驱动照射的光。
本发明的电子照相感光构件1还广泛应用于电子照相术的应用领域例如激光束打印机、CRT打印机、LED打印机、FAX、液晶打印机和激光制版。
实施例
下文中，通过具体实施例更详细地描述本发明，条件是本发明不局限于这些实施例。应注意实施例和比较例的任一电子照相感光构件的各层的厚度使用涡电流厚度仪(Fischerscope，由Fischer Instruments制造)来测定，或由其每单位面积的质量通过比重换算测定。实施例中，“份”指“质量份”。
(实施例1-1)
在室温(23℃)下将通过与日本专利申请特开第2011-94101号中所述的合成例1随后的实施例1-1中相同的处理获得的0.5份羟基镓酞菁晶体、1.0份示例性化合物(A-1)(产品代码：159400050，由Acros Organics制造)和10份N,N-二甲基甲酰胺在球磨机中与20份各自具有0.8mm直径的玻璃珠一起进行研磨处理40小时。用N,N-二甲基甲酰胺从分散液中取出羟基镓酞菁晶体，并过滤，然后用四氢呋喃充分洗涤过滤器上的残渣。真空干燥滤渣从而产生0.45份羟基镓酞菁晶体。图2A示出所得晶体的粉末X射线衍射图谱和图2B示出本文所用示例性化合物(A-1)的粉末X射线衍射图谱。
另外，表4示出关于所得晶体和示例性化合物(A-1)的TG数据的摘录。如摘录所示，实施例1-1中获得的晶体中，重量减少量在不小于500℃的范围内增加，该温度高于单独示例性化合物(A-1)的蒸发温度(200℃至305℃)，表明示例性化合物(A-1)被引入实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-1)以0.31%引入晶体。
(实施例1-2)
除了在实施例1-1将1.0份示例性化合物(A-1)改变为2.0份示例性化合物(A-1)以外，通过与实施例1-1中相同的处理获得0.45份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A的相同。
另外，表4示出关于所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所示，重量减少量在不小于305℃的范围内增加，该温度高于单独示例性化合物(A-1)的蒸发温度(200℃至305℃)，表明示例性化合物(A-1)被引入实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-1)以0.82%引入晶体。
(实施例1-3)
除了在实施例1-1中，将10份N,N-二甲基甲酰胺改变为10份二甲亚砜以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得0.35份羟基镓酞菁晶体。图3A示出所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-1)以0.83%引入晶体。
(实施例1-4)
除了在实施例1-1中，将10份N,N-二甲基甲酰胺改变为10份N-甲基-2-吡咯烷酮以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得0.42份羟基镓酞菁晶体。图3B示出所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-1)以1.67%引入晶体。
(实施例1-5)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为0.5份示例性化合物(A-2)(产品代码：H0470，由TOKYO CHEMICALINDUSTRY CO.,LTD.制造)以外，通过与实施例1-1中的相同处理来获得0.46份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-2)以0.16%引入晶体。
(实施例1-6)
除了在实施例1-3中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-2)以外，通过与实施例1-3中相同的处理来获得0.37份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-2)以0.30%引入晶体。
(实施例1-7)
除了在实施例1-4中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为0.5份示例性化合物(A-2)以外，通过与实施例1-4中相同的处理来获 得0.46份羟基镓酞菁晶体。图4示出所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-2)以0.49%引入晶体。
(实施例1-8)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-7)(产品代码：D0577，由TOKYO CHEMICAL INDUS TRY CO.,LTD.制造)以外，通过与实施例1-1中的相同处理来获得0.43份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-7)以0.29%引入晶体。
(实施例1-9)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-5)(产品代码：D3347，由TOKYO CHEMICAL INDUS TRY CO.,LTD.制造)以外，通过与实施例1-1中的相同处理来获得0.43份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-5)以0.30%引入晶体。
(实施例1-10)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-4)(产品代码：D0573，由TOKYO CHEMICAL INDUS TRY CO.,LTD.制造)以外，通过与实施例1-1中的相同处理来获得0.43份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-4)以0.25%引入晶体。
(实施例1-11)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-8)(产品代码：D1099，由TOKYO CHEMICAL INDUS TRY CO.,LTD.制造)以外，通过与实施例1-1中的相同处理来获得0.43份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-8)以0.29%引入晶体。
(实施例1-12)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-6)(产品代码：T0996，由TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)以外，通过与实施例1-1中的相同处理来获得0.43份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-6)以0.31%引入晶体。
(实施例1-13)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-10)(产品代码：D0765，由TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)以外，通过与实施例1-1中的相同处理来获得0.38份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，表4示出关于所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所示，重量减少量在不小于450℃的范围内增加，该温度为高于显示由示例性化合物(A-10)的蒸发引起的重量减少的170℃至300℃范围的温度，表明示例性化合物(A-10)被引入实施例1-13中获得的羟基镓酞菁晶体。
(实施例1-14)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-11)(产品代码：12124-1A，由TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)以外，通过与实施例1-1中的相同处理来获得0.38份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁 晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，表4示出关于所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所示，重量减少量在不小于450℃的范围内增加，该温度为高于显示由示例性化合物(A-11)的蒸发引起的重量减少的140℃至270℃范围的温度，表明示例性化合物(A-11)被引入实施例1-14中获得的羟基镓酞菁晶体。
(实施例1-15)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-12)(产品代码：5091，由Rieke Metals,Inc.制造)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得0.38份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，表4示出关于所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所示，重量减少量在不小于360℃的范围内增加，该温度为高于显示由示例性化合物(A-12)的蒸发引起的重量减少的190℃至280℃范围的温度，表明示例性化合物(A-12)被引入实施例1-15中获得的羟基镓酞菁晶体。
(实施例1-16)
除了在实施例1-3中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(A-3)以外，通过与实施例1-3中相同的处理来获得0.38份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，NMR测量确认示例性化合物(A-3)以0.30%引入晶体。
(比较例1-1)
除了在实施例1-1中，不添加1.0份示例性化合物(A-1)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得0.4份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，表4示出关于所得晶体的TG数据的摘录。
(比较例1-2)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(B-2)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得0.38份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，表4示出关于所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所示，重量减少量在不小于450℃的范围内增加，该温度为高于显示由示例性化合物(B-2)的蒸发引起的重量减少的170℃至300℃范围的温度，表明示例性化合物(B-2)被引入比较例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体。
(比较例1-3)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(C-1)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得0.4份羟基镓酞菁晶体。图4示出所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱。
另外，表4示出关于所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所示，重量减少量在不小于360℃的范围内增加，该温度为高于显示由示例性化合物(C-1)的蒸发引起的重量减少的220℃至330℃范围的温度，表明示例性化合物(C-1)被引入比较例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体。
(比较例1-4)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(B-1)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得0.14份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图谱与图2A相同。
另外，表4示出关于所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所 示，重量减少量在不小于360℃的范围内增加，该温度为高于显示由示例性化合物(B-1)的蒸发引起的重量减少的100℃至226℃范围的温度，表明示例性化合物(B-1)被引入比较例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体。
(比较例1-5)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(B-9)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得羟基镓酞菁晶体和2-吗啉基蒽醌晶体的1.0份混合物，其中羟基镓酞菁晶体在CuKα特性X射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰和2-吗啉基蒽醌晶体在CuKα特性X射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.0°、13.9°、17.1°、23.8°、25.1°和26.8°处具有峰。图5A示出所得混合物的粉末X射线衍射图谱，和图5B示出此处添加的示例性化合物(B-9)的粉末X射线衍射图谱。
另外，表4示出关于所得混合物的TG数据的摘录。如摘录所示，在显示由示例性化合物(B-9)的蒸发引起的重量减少的200℃至350℃的范围内观察到重量减少量的增加，但在更高的温度下观察到重量减少量未增加。因此，可以判定混合物仅为示例性化合物(B-9)未被引入羟基镓酞菁晶体的混合物。由TG数据可计算“羟基镓酞菁：示例性化合物(B-9)”的混合比为约4:6。
(比较例1-6)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(B-7)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得羟基镓酞菁晶体和示例性化合物(B-7)晶体的0.8份混合物，其中羟基镓酞菁晶体在CuKα特性X射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰和示例性化合物(B-7)晶体在CuKα特性X射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为11.5°、14.4°、23.1°、25.2°和26.5°处具有峰。图6A示出所得混合物的粉末X射线衍射图谱，和图 6B示出此处添加的示例性化合物(B-7)的粉末X射线衍射图谱。
另外，表4示出关于所得混合物的TG数据的摘录。如摘录所示，在显示由示例性化合物(B-7)的蒸发引起的重量减少的180℃至280℃的范围内观察到重量减少量的增加，但在更高的温度下观察到重量减少量未增加。因此，可以判定混合物仅为示例性化合物(B-7)未引入羟基镓酞菁晶体的混合物。由TG数据可计算“羟基镓酞菁：示例性化合物(B-7)”的混合比为约4:6。
(比较例1-7)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(C-2)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得羟基镓酞菁晶体和示例性化合物(C-2)的晶体的0.41份混合物。
(比较例1-8)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(C-3)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得羟基镓酞菁晶体和示例性化合物(C-3)的晶体的0.39份混合物。
(比较例1-9)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(C-4)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得羟基镓酞菁晶体和示例性化合物(C-4)的晶体的0.40份混合物。
(比较例1-10)
除了在实施例1-1中，将1.0份示例性化合物(A-1)改变为1.0份示例性化合物(B-19)以外，通过与实施例1-1中相同的处理来获得羟基镓酞菁晶体和示例性化合物(B-19)的晶体的0.42份混合物。
(实施例2-1)
将由60份涂有氧化锡的硫酸钡颗粒(商品名：Passtran PC1，由MITSUI MINING&SMELTING CO.,LTD.制造)、15份氧化钛颗粒(商品名：TITANIX JR，由TAYCA CORPORATION制造)、43份甲阶型酚醛树脂(resole phenol resin)(商品名：Phenolite J-325，由DIC CORPORATION制造，固成分：70质量%)、0.015份硅油(商品名：SH28PA，由Dow Corning Toray CO.,LTD.制造)、3.6份硅酮树脂(商品名：Tospearl120，由Momentive Performance Materials Inc.制造)、50份2-甲氧基-1-丙醇和50份甲醇形成的溶液在球磨机中进行分散处理20小时。由此，制备导电层用涂布液。
通过浸渍将导电层用涂布液施涂到作为支承体的铝圆筒(具有24mm的直径)上，然后在140℃下干燥所得施涂的膜30分钟。因此，形成具有15μm厚度的导电层。
接下来，将10份共聚物尼龙树脂(商品名：Amilan CM8000，由Toray Industries,Inc.制造)和30份甲氧甲基化6-尼龙树脂(商品名：Toresin EF-30T，由Nagase ChemteX Corporation制造)溶解于400份甲醇和200份正丁醇的混合溶剂中。由此，制备底涂层用涂布液。
通过浸渍将底涂层用涂布液施涂到导电层上，然后干燥所得施涂膜。由此，形成具有0.5μm厚度的底涂层。
接下来，将10份实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体(电荷产生物质)、5份聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BX-1，由SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD.制造)和250份环己酮投入使用各自具有1mm直径的玻璃珠的砂磨机中，然后进行分散处理1小时。用250份乙酸乙酯稀释处理的产物。由此，制备电荷产生层用涂布液。
通过浸渍将电荷产生层用涂布液施涂到底涂层上，然后在100℃下干燥所得施涂的膜10分钟。由此，形成具有0.16μm厚度的电荷产生层。
接下来，将8份由下式(2)表示的化合物(电荷输送物质)和10份由下式(3)表示的共聚型聚芳酯树脂(共聚比m:n=7:3，重均分子量：130,000)溶解于70份一氯苯。由此，制备电荷输送层用涂布液。
通过浸渍将电荷输送层用涂布液施涂到电荷产生层上，然后在110℃下干燥所得施涂的膜1小时。由此，形成具有23μm厚度的电荷输送层。
由此，生产实施例2-1的圆筒状(鼓状)电子照相感光构件。
(实施例2-2)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-2的电子照相感光构件。
(实施例2-3)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体以外， 以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-3的电子照相感光构件。
(实施例2-4)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-4的电子照相感光构件。
(实施例2-5)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-5的电子照相感光构件。
(实施例2-6)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-6的电子照相感光构件。
(实施例2-7)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-7的电子照相感光构件。
(实施例2-8)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-8中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-8的电子照相感光构件。
(实施例2-9)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-9中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-9的电子照相感光构件。
(实施例2-10)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-10中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-10的电子照相感光构件。
(实施例2-11)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-11中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-11的电子照相感光构件。
(实施例2-12)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-12中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-12的电子照相感光构件。
(实施例2-13)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-13中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-13的电子照相感光构件。
(实施例2-14)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟 基镓酞菁晶体改变为实施例1-14中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-14的电子照相感光构件。
(实施例2-15)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-15中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-15的电子照相感光构件。
(实施例2-16)
以与实施例2-2中相同的方式在支承体上形成导电层、底涂层和电荷产生层。接下来，将10份由下式(4)表示的化合物(电荷输送物质)和10份由式(3)表示的共聚型聚芳酯树脂(共聚比m:n=7:3，重均分子量：130,000)溶解于100份一氯苯中。由此，制备电荷输送层用涂布液。
通过浸渍将电荷输送层用涂布液施涂到电荷产生层上，然后在150℃下干燥所得施涂的膜30分钟。由此，形成具有15μm厚度的电荷输送层。
由此，生产实施例2-16的电子照相感光构件。
(比较例2-1)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体以外， 以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-1的电子照相感光构件。
(比较例2-2)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-2的电子照相感光构件。
(比较例2-3)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-3的电子照相感光构件。
(比较例2-4)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-4的电子照相感光构件。
(比较例2-5)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-5中获得的混合物以外，以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-5的电子照相感光构件。
(比较例2-6)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-6中获得的混合物以外，以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-6的电子照相感光构件。
(比较例2-7)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟 基镓酞菁晶体改变为比较例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-7的电子照相感光构件。
(比较例2-8)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-8中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-8的电子照相感光构件。
(比较例2-9)
除了在实施例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-9中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-9的电子照相感光构件。
(比较例2-10)
除了在比较例2-1中，将用于制备电荷产生层用涂布液的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-10中获得的羟基镓酞菁晶体以外，以与比较例2-1相同的方式生产比较例2-10的电子照相感光构件。
(实施例2-1至2-16和比较例2-1至2-10的评价)
评价在重复使用感光构件后实施例2-1至2-16和比较例2-1至2-10的电子照相感光构件的电位变化。
用作评价用电子照相设备的是改造为以可变的充电条件和图像曝光值运行的由Hewlett-Packard Japan,Ltd.制造的激光束打印机(商品名：Color Laser Jet CP3525dn)。另外，将打印机改造为当将生产的电子照相感光构件安装到青色用处理盒上并将所述盒安装于青色处理盒的位置，并且在打印机主体上不安装任何其它颜色用处理盒时运行。
图像输出时，仅将青色用处理盒安装到主体，并输出仅用青色调色剂形成的单色图像。
在温度为15℃和相对湿度为10%RH的低温、低湿环境下将电子照相感光构件与评价用电子照相设备一起静置3天。此后，将充电条件和图像曝光值调整为在初始阶段的暗区电位和亮区电位分别为-500V和-100V。如下所述测量在设置电位时鼓状电子照相感光构件的表面电位。改造所述盒，将电位探针(商品名：model6000B-8，由TREK JAPAN制造)安装于显影位置，并用表面电位计(商品名：model344，由TREK JAPAN制造)测量圆筒状电子照相感光构件中央部的电位。
此后，进行1,000张重复使用试验，并在1,000张重复使用试验后立即测量电位。表5示出重复使用前后电位的变化量。
应注意在单独用青色以1%打印率在A4大小的普通纸上打印E字母图像这样的条件下进行重复使用试验。
从表5可以看出，当使用包含在其中含有本申请的满足式(A)和(B)的化合物的酞菁晶体的电子照相感光构件时，与其中不使用该电子照相感光构件的实施例相比，可以显著地减缓与电子照相感光构件的重复使用相关的长期电位变化。
表4
TG测量结果
表5
电位变化的测量结果
虽然参考示例性实施方案已描述了本发明，但应理解本发明并不局限于公开的示例性实施方案。以下权利要求书的范围符合最宽泛的解释以便包含所有此类改进以及等同结构和功能。
机译： 电子照相感光构件，酞菁晶体的制造方法，电子照相感光构件的制造方法，处理盒，电子照相设备和酞菁晶体
机译： 电子照相感光构件，酞菁晶体的制造方法，电子照相感光构件的制造方法，处理盒，电子照相设备和酞菁晶体
机译： 电子照相感光构件，电子照相感光元件的制造方法，处理盒和电子照相设备，酞菁晶体和酞菁晶体的制造方法
