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一种模拟生物神经元和神经突触的单元、装置及方法

摘要

本发明公开了一种基于硫系化合物的模拟生物神经元和神经突触的单元、装置及方法,该单元包括第一电极层、功能材料层和第二电极层。模拟神经元时,器件接受一个或多个电脉冲刺激,功能材料层的电阻从高阻态转变为低阻态,模拟神经元从一个静息态转变到激发态,实现阈值激发和能量累积激发功能。模拟神经突触时,器件功能材料层的电导能根据输入信号渐变,实现突触权重调节功能;以及根据两端输入信号的时间差改变其突触权重,实现脉冲时间依赖突触可塑性STDP功能。本发明能提供构成人工神经网络的基本元器件。

著录项

  • 公开/公告号CN103078054A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201310001461.6

  • 申请日2013-01-04

  • 分类号H01L45/00;G06G7/60;

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人朱仁玲

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2024-02-19 18:48:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-03

    授权

    授权

  • 2013-06-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20130104

    实质审查的生效

  • 2013-05-01

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明属于微电子器件技术领域,更具体地,涉及一种模拟生物神经 元和神经突触的单元、装置及方法。

背景技术

基于冯诺依曼架构的传统计算机中,处理器与存储器是分立的,以总 线连接。这样的架构存在所谓的“冯诺依曼瓶颈”,难以适应信息呈爆炸式增 长的信息技术飞速发展的当今时代。

相比于冯诺依曼计算机,人脑神经信息活动具有大规模并行、分布式 存储与处理、自组织、自适应和自学习的特征。传统的人工神经网络、神 经形态工程学等领域的研究人员也一直致力于利用非线性电路、FPGA、 VLSI等手段来模拟神经元电触发、突触可塑性等神经元突触的基本生物电 特性以及更高级的模式识别、智能控制等认知功能。在这些方法中,仅模 拟一个神经元、一个突触、一个学习模块就需要数十个晶体管、电容、加 法器。然而,人的大脑中包括了多达~1011个神经元以及~1015个突触,神经 元、突触之间的连接更是混沌的、无比复杂的。这种传统的神经形态工程 办法对于模拟人类大脑,即使是小鼠大脑都是无能为力的,IBM利用“蓝色 基因”超级计算机使用了147456个处理器架构神经元网络来模拟猫的大脑 皮层认知功能。如果能在纳米器件中实现神经元的信号处理,那么模拟整 个大脑所需器件集成起来的芯片尺寸、功耗才能在可实现范围之内。

构建神经网络涉及神经元和神经突触设计和制备。中国发明名称为: 模拟生物神经元信息处理机制的信息处理方法及装置,公开号为 CN101770560A的专利申请文件中所示的装置是基于CMOS集成电路,用 多个晶体管构成一个神经元,集成密度不高,而且不涉及具有学习能力的 神经突触功能。中国发明名称为:仿神经元突触结构的柔性三极管,公开 号为CN1670963A的专利申请文件中所示的装置模拟神经元突触的结构, 并没有实现神经元、神经突触的功能。

发明内容

针对现有技术的缺陷,本发明的目的在于提供能同时模拟生物神经元 的功能和生物神经突触的功能的一种模拟神经元和神经突触的单元。

为实现上述目的,本发明提供了一种模拟生物神经元和神经突触的单 元,包括第一电极层、与所述第一电极层连接的功能材料层,与所述功能 材料层连接的第二电极层;所述第一电极层用于模拟突触后,所述第二电 极层用于模拟突触前,所述功能材料层的材料为硫系化合物,所述功能材 料层的电导用于模拟突触权重;通过给所述第一电极层施加第二脉冲信号 来模拟突触后刺激,通过给所述第二电极层施加第一脉冲信号来模拟突触 前刺激;所述功能材料层的电阻用于模拟生物神经元的激发态或静息态。

更进一步地,所述第一电极层用于接收外部的第二脉冲信号,所述第 二电极层用于接收外部的第一脉冲信号;当所述第一脉冲信号的幅值与所 述第二脉冲信号的幅值之间的差值为正或负时,所述功能材料层的电导发 生改变实现了生物神经突触的突触权重调节功能的模拟;当所述第一脉冲 信号与所述第二脉冲信号之间的信号差峰值为正或负时,所述功能材料层 的电导发生改变实现了生物神经突触的脉冲时间依赖突触可塑性功能的模 拟;当所述功能材料层的电阻从高阻态转换为低阻态实现了生物神经元阈 值激发功能的模拟;当所述功能材料层的电阻从低阻态转变为高阻态实现 了生物神经元从激发态恢复到静息态功能的模拟;当所述功能材料层的电 阻从高阻态转变为低阻态的转变率增加实现了生物神经元的能量累积激发 功能的模拟。

更进一步地,所述第一电极层和所述第二电极层的材料均为惰性导电 金属。

更进一步地,所述第一电极层、所述功能材料层和所述第二电极层构 成三明治叠层结构、T型结构、I型结构或金字塔型结构。

本发明还提供了一种模拟生物神经元和神经突触的装置,包括多个阵 列排布的神经突触单元以及与所述神经突触单元连接的控制器,所述神经 突触单元为上述的单元。

更进一步地,所述控制器用于给所述第一电极层施加第二脉冲信号, 给所述第二电极层施加第一脉冲信号,并控制所述第一脉冲信号幅值与所 述第二脉冲信号幅值之间的差值为正或负,并通过控制所述第一脉冲信号 和所述第二脉冲信号的幅值大小来控制脉冲数目。

本发明还提供了一种模拟生物神经元和神经突触的方法,包括下述步 骤:

在第一电极层上施加第二脉冲信号,在第二电极层上施加第一脉冲信 号;

通过控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号使得所述功能材料层 的电阻为高阻态转换为低阻态并模拟了生物神经元的阈值激发功能;

通过控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号使得所述功能材料层 的电阻从低阻态恢复为高阻态并模拟了生物神经元从激发态恢复到静息态 的功能;

通过控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的幅值大小来改变所 述功能材料层的电阻从高阻态转变为低阻态所需的脉冲数目并模拟了生物 神经元的能量累积激发功能;

通过控制所述第一脉冲信号的幅值与所述第二脉冲信号的幅值之间的 差值的正或负来调节所述功能材料层的电导的变化并模拟生物神经突触的 突触权重调节功能;

通过控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号之间的信号差峰值为 正或负来调节所述功能材料层的电导的变化并模拟生物神经突触的脉冲时 间依赖突触可塑性功能。

更进一步地,所述模拟生物神经元的阈值激发功能具体为:当所述功 能材料层的电阻的阻值大于第一电阻阈值模拟了生物神经元的静息态功 能;当所述功能材料层的电阻的阻值小于第二电阻阈值时,模拟了生物神 经元的激发态功能。

更进一步地,所述模拟生物神经元的阈值激发功能步骤具体为:

通过控制所述第一脉冲信号的幅值与所述第二脉冲信号的幅值之间的 差值大于第一电压阈值且小于第二电压阈值,使得所述功能材料层的电阻 从高阻态转变为低阻态,模拟了生物神经元从静息态转变成激发态功能;

通过控制所述第一脉冲信号的幅值与所述第二脉冲信号的幅值之间的 差值大于第二电压阈值,使得所述功能材料层的电阻从低阻态恢复为高阻 态,模拟了生物神经元从激发态恢复到静息态功能。

更进一步地,所述模拟生物神经元的能量累积激发功能步骤具体为:

通过控制所述第一脉冲信号的幅值与所述第二脉冲信号的幅值之间的 差值小于第一电压阈值,使得所述功能材料层的电阻保持高阻态;并通过 减小所述第一脉冲信号的幅值与所述第二脉冲信号的幅值控制所述第一脉 冲信号与所述第二脉冲信号的脉冲数目增加,使得所述功能材料层的电阻 从所述高阻态下降至所述第二电阻阈值,模拟了生物神经元的能量累积激 发功能。

更进一步地,所述模拟生物神经突触的突触权重调节功能步骤具体为:

通过控制所述第一脉冲信号的幅值与所述第二脉冲信号的幅值之间的 差值为正,使得所述功能材料层的电导减小,模拟了生物神经突触的突触 权重下降功能;

通过控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号之间的差值为负,使 得所述功能材料层的电导增大,模拟了生物神经突触的突触权重上升功能。

更进一步地,所述模拟生物神经突触的突触权重调节功能步骤还包括:

通过控制所述第一脉冲信号的幅值与所述第二脉冲信号的幅值之间的 正差值的幅值增强,使得所述功能材料层的电导减小得越慢,模拟了生物 神经突触的突触权重下降得越慢的功能;

通过控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号之间的负差值的幅值 增强,使得所述功能材料层的电导的增大得越快,模拟了生物神经突触的 突触权重上升得越快的功能。

更进一步地,所述模拟生物神经突触的脉冲时间依赖突触可塑性功能 步骤包括:

控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的时间差大于零并调整所 述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号的形状,使得所述第一脉冲信号与所 述第二脉冲信号之间的信号差峰值为负,所述功能材料层的电导增大,模 拟了生物神经突触的突触权重增大的功能;

控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的时间差小于零并调整所 述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号的形状,使得所述第一脉冲信号与所 述第二脉冲信号之间的信号差峰值为正,所述功能材料层的电导减小,模 拟了生物神经突触的突触权重较小的功能。

更进一步地,所述模拟生物神经突触的脉冲时间依赖突触可塑性功能 步骤包括:

控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的时间差大于零并调整所 述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号的形状,使得所述第一脉冲信号与所 述第二脉冲信号之间的信号差峰值为正,所述功能材料层的电导减小,模 拟了生物神经突触的突触权重减小的功能;

控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的时间差小于零并调整所 述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号的形状,使得所述第一脉冲信号与所 述第二脉冲信号之间的信号差峰值为负,所述功能材料层的电导增大,模 拟了生物神经突触的突触权重增大的功能。

更进一步地,所述模拟生物神经突触的脉冲时间依赖突触可塑性功能 步骤包括:

控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的时间差的绝对值小于所 述第二脉冲信号宽度的四分之一并调整所述第一脉冲信号和所述第二脉冲 信号的形状,使得所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号之间的信号差峰 值为负,所述功能材料层的电导增大,模拟了生物神经突触的突触权重增 大的功能;

控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的时间差的绝对值大于等 于所述第二脉冲信号宽度的四分之一并调整所述第一脉冲信号和所述第二 脉冲信号的形状,使得所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号之间的信号 差峰值为正,所述功能材料层的电导减小,模拟了生物神经突触的突触权 重减小的功能。

更进一步地,所述模拟生物神经突触的脉冲时间依赖突触可塑性功能 步骤包括:

控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的时间差的绝对值小于所 述第二脉冲信号宽度的二分之一并调整所述第一脉冲信号和所述第二脉冲 信号的形状,使得所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号之间的信号差峰 值大于所述第一脉冲信号的峰值,所述功能材料层的电导减小,模拟了生 物神经突触的突触权重减小的功能;

控制所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的时间差的绝对值大于等 于所述第二脉冲信号宽度的二分之一并调整所述第一脉冲信号和所述第二 脉冲信号的形状,使得所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号之间的信号 差峰值为小于等于所述第一脉冲信号的峰值,所述功能材料层的电导不变, 模拟了生物神经突触的突触权重不变的功能。

本发明提供的模拟生物神经元和神经突触的单元能很好的模拟生物神 经元的阈值激发功能、从激发态恢复到静息态的功能和能量累积激发功能, 以及生物神经突触的突触权重调节功能和脉冲时间依赖突触可塑性功能; 且在单一器件内同时实现神经元和神经突触的功能,为构建神经网络提供 功耗低、尺寸小的基本元件。

附图说明

图1是本发明实施例提供的模拟生物神经元和神经突触的装置的结构 示意图;

图2(a)是本发明实施例1提供的模拟生物神经元和神经突触的单元 的结构示意图;

图2(b)是本发明实施例1提供的模拟生物神经元受激发和恢复静息 测试;

图2(c)、图2(d)是本发明实施例1提供的模拟生物神经元受多个 阈值下刺激受激发测试;

图2(e)是本发明实施例1提供的模拟生物神经突触权重调节测试;

图2(f)、图2(g)是本发明实施例1提供的模拟生物神经突触奇对 称Ⅰ型STDP功能测试;

图2(h)、图2(i)是本发明实施例1提供的模拟生物神经突触奇对 称Ⅱ型STDP功能测试;

图2(j)、图2(k)是本发明实施例1提供的模拟生物神经突触偶对 称ⅠSTDP功能测试;

图2(l)、图2(m)是本发明实施例1提供的模拟生物神经突触偶对 称Ⅱ型STDP功能测试;

图3(a)本发明实施例2提供的模拟生物神经元和神经突触的单元的 结构示意图;

图3(b)本发明实施例2提供的模拟生物神经元受激发和恢复静息测 试;

图3(c)本发明实施例2提供的模拟生物神经突触权重调节测试;

图4(a)本发明实施例3提供的模拟生物神经元和神经突触单元的结 构示意图;

图4(b)本发明实施例3提供的模拟神经元受激发和恢复静息测试;

图4(c)本发明实施例3提供的模拟神经突触权重调节测试。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图 及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体 实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

本发明提供了一种基于硫系化合物的纳米器件,能够作为人工神经元 以及人工神经突触应用于人工神经网络电路或认知存储技术。该器件作为 人工神经元作用时,能模拟实现生物神经元的阈值激发功能;作为人工神 经突触作用时,能模拟实现生物神经突触的突触可塑性调节功能。

硫系化合物作为一种存储介质,能够在外界施加的光脉冲、电脉冲作 用下,在非晶态与晶态之间可逆转变,两态间的反射率差异和电阻率差异 用于存储“0”和“1”,已被广泛成熟地研究于应用于相变光盘和相变随机存储 器,具有非挥发性、操作速度快、功耗小、可靠性高和易于与COMS电路 集成等优点。非晶态的硫系化合物所具有的能量累积阈值相变特性可以用 来模拟神经元的阈值激发特性类似;硫系化合物随电脉冲刺激的阻值渐变 特性又可以用来模拟神经突触的权重调节。

本发明的神经元器件能模拟生物神经元的功能,包括(1)该神经元能对 多种不同的输入作出相应的响应;(2)对于超过阈值(0.5~3V)的输入,该 神经元能受激发;(3)对于不超过阈值的输入,当多个不超过阈值的输入累 积超过阈值时,该神经元能受激发;(4)该神经元能从激发态恢复到静息态。 同时还能模拟生物神经突触的功能,包括(1)能调节突触的权重;(2)突触权 重可根据突触前后脉冲的时间差改变,即实现脉冲时间依赖的可塑性(STDP) 功能。

本发明实施例提供的模拟生物神经元和神经突触的单元包括第一电极 层、与所述第一电极层连接的功能材料层,与所述功能材料层连接的第二 电极层;所述第一电极层用于模拟突触前,所述第二电极层用于模拟突触 后,所述功能材料层的电导用于模拟突触权重;通过给所述第一电极层施 加第二脉冲信号来模拟突触前刺激,通过给所述第二电极层施加第一脉冲 信号来模拟突触后刺激;所述第一电极层用于接收外部的第二脉冲信号, 所述第二电极层用于接收外部的第一脉冲信号;当所述第二脉冲信号的幅 值与所述第一脉冲信号的幅值之间的差值为正或负时,所述功能材料层的 电导发生改变实现了生物神经突触的突触权重调节功能的模拟;当所述第 二脉冲信号与所述第一脉冲信号之间的信号差峰值为正或负时,所述功能 材料层的电导发生改变实现了生物神经突触的脉冲时间依赖突触可塑性 (STDP)功能的模拟;当所述功能材料层的电阻为高阻态或低阻态实现了 生物神经元的阈值激发功能的模拟;当所述功能材料层的电阻从高阻态转 变为低阻态或从低阻态恢复为高阻态实现了生物神经元从激发态恢复到静 息态功能的模拟;当所述功能材料层的电阻从高阻态转变为低阻态的转变 率增加实现了生物神经元的能量累积激发功能的模拟。

作为本发明的一个实施例,第一电极层和第二电极层的材料均为惰性 导电金属,如铂(Pt)、钛钨(TiW)和钽(Ta)等;功能材料层的材料为 硫系化合物,如Ge2Sb2Te5、Sb2Te3、GeTe、BiTe和AgInSbTe等。由第一 电极层、功能材料层和第二电极层构成的单元可以为三明治叠层结构、T 型结构、I型结构或金字塔型结构。

在本发明实施例中,该神经元器件为一两端电阻器件,应该至少具有 一个(高电阻态)静息态和一个(低电阻态)激发态。当该神经元从静息 态转变为激发态时,通过该神经元器件的电流迅速增大,该神经元器件被 激发。该神经元器件能一直保持高电阻,处于静息态,直到被施加一个能 量足够大、超过阈值的电信号输入,该神经元转变到激发态。该神经元处 于静息态,当被施加一个能量不超过阈值的电信号时,该神经元仍然保持 在静息态;当若干个如此的电信号作用于该神经元后,能量积累达到阈值, 该神经元从静息态转变为激发态,电阻明显下降。该神经元处于在静息态, 当被施加一系列能量相同,但均不超过阈值的电信号时,单个电信号能量 越小,该神经元从静息态转变到激发态所需的电信号个数越多。该神经元 器件能实现生物神经元的阈值激发功能,和能量累积激发功能。该神经突 触器件具有多个阻态,其电阻值根据通过它的电流的方向而改变,正向电 流使其电阻上升,反向电流使其电阻下降。但当电流小于一定阈值时,其 电阻不发生变化。可以通过设计突触前后脉冲信号,实现四种 STDP(spike-timing dependent plasticity刺激时间依赖突触可塑性)功能。该神 经突触器件能实现生物神经突触的权重调节功能和STDP功能。

在本发明实施例中,神经突触器件的第二电极是突触前,第一电极是 突触后。施加在突触前的刺激信号为突触前刺激,施加在突触后的刺激信 号为突触后刺激。Δt为前后突触刺激的时间差,当前突触刺激先于后突触 刺激,Δt>0;当前突触刺激后于后突出,Δt<0。突触权重W=1/R,R为神 经突触器件的电阻,ΔW为刺激作用前后,突触权重的改变量。

图1示出了本发明实施例提供的模拟生物神经元和神经突触的装置的 结构,该装置包括多个阵列排布的神经突触单元以及与所述神经突触单元 连接的控制器,神经突触单元为上述的单元,控制器用于给第一电极层施 加第二脉冲信号,给第二电极层施加第一脉冲信号,并控制第二脉冲信号 幅值与所述第一脉冲信号幅值之间的差值为正或负,控制第二脉冲信号与 所述第一脉冲信号之间的信号差峰值为正或负;并控制第二脉冲信号和第 一脉冲信号的脉冲数目。

为了更进一步地说明本发明实施例提供的模拟生物神经元和神经突触 的单元,现以具体实例并结合附图详述如下:

图2(a)示出了本发明实施例1提供的模拟生物神经元和神经突触的 单元的结构;参考图2(a),本发明提供的神经元器件包括第一电极101、 第二电极103和第一电极101和第二电极103之间硫系化合物材料102。第 一电极101和硫系化合物材料102、硫系化合物材料102和第二电极103形 成电接触。其中第一电极101和第二电极103为钛钨(TiW),硫系化合物 材料102为锗锑碲(Ge2Sb2Te5)。

图2(b)是示出根据本实施例的测试,实现神经元的阈值激发功能, 以及从激发态恢复到静息态的功能。其中输入信号施加在第二电极103上, 第一电极101接地,电阻202为第一电极101与第二电极103之间的电阻。 参考图2(b),神经元器件的电阻至少包括两个态,第一个是非晶态高阻 态,其电阻值大于第一电阻阈值(100kΩ),模拟神经元的静息态;第一个 是晶态低阻态,其电阻值小于第二电阻阈值(10kΩ),模拟神经元的激发态。 当输入的脉冲信号超过第一电压阈值(1V)而低于第二电压阈值(2V), 如脉冲信号201,电阻从高阻态转变成低阻态;当输入的脉冲信号超过第二 阈值,如脉冲信号202,电阻从低阻态转变成高阻态。神经元器件受到超过 阈值的刺激,从静息态(高阻态)转变成激发态(低阻态),并且能从激发 态(低阻态)恢复到静息态(高阻态),实现生物神经元阈值激发功能,和 恢复静息态的功能。

图2(c)和图2(d)是示出根据本实施例的另一测试,实现神经元的 能量积累激发功能。其中输入信号施加在第二电极103上,第一电极101 接地,电阻为第一电极101与第二电极103之间的电阻。参考图2(c),神 经元器件原本处于静息态(高阻态),其电阻值大于第一电阻阈值。当输入 的脉冲信号小于第一电压阈值时,神经元器件的电阻不会明显变化,能维 持在高阻态。当小于第一电压阈值的脉冲信号达到一定数目后,神经元器 件的电阻迅速下降至小于第二电阻阈值的低阻态,即能模拟神经元被激发。 参考图2(d),当输入的脉冲信号进一步减小时,使神经元器件从高阻态转 变成低阻态所需的脉冲数目增加。实现生物神经元的能量累积激发功能。

图2(e)是示出根据本实施例的另一测试,实现神经突触的突触权重 调节功能。其中输入信号施加在第二电极103上,第一电极101接地,电 阻为第一电极101与第二电极103之间的电阻。参考图2(e),表示神经突 触权重的电阻有多个电阻值,能随输入信号而改变。当输入脉冲信号为正, 电阻增大;当输入脉冲信号为负,电阻减小。正脉冲信号幅值越大,电阻 越大;负脉冲信号越小,电阻越小。电阻增大即突触权重减小,电阻减小 即突触权重增大。实现生物神经突触的突触权重调节功能。

图2(f)和图2(g)是示出根据本实施例的另一测试,实现神经突触 奇对称Ⅰ型STDP功能。其中突触前刺激信号施加在第二电极103上,突 触后刺激信号施加在第一电极101上,突触前后信号差为第二电极103与 第一电极101之间的信号差。参考图2(f),当Δt>0,突触前刺激与突触后 刺激之差的峰值301为负,在此组突触前后刺激作用下,神经突触器件的 电阻下降,突触权重上升。当Δt<0,突触前刺激与突触后刺激之差的峰值 302为正,在此组突触前后刺激作用下,神经突触器件的电阻上升,突触权 重下降。参考图图2(g),在突触前后刺激的共同作用下,当Δt>0时,器 件电阻下降,突触权重上升,ΔW>0,并且ΔW随Δt指数衰减;当Δt<0时, 器件电阻上升,突触权重下降,ΔW<0,并且ΔW随Δt指数衰减。实现生 物神经突触奇对称Ⅰ型STDP功能。

图2(h)和图2(i)是示出根据本实施例的另一测试,实现神经突触 的奇对称Ⅱ型STDP功能。其中突触前刺激信号施加在第二电极103上, 突触后刺激信号施加在第一电极101上,突触前后信号差为第二电极103 与第一电极101之间的信号差。参考图2(h),当Δt>0,突触前刺激与突 触后刺激之差的峰值303为正,在此组突触前后刺激作用下,神经突触器 件的电阻上升,突触权重下降。当Δt<0,突触前刺激与突触后刺激之差的 峰值304为负,在此组突触前后刺激作用下,神经突触器件的电阻下降, 突触权重上升。参考图图2(i),在突触前后刺激的共同作用下,当Δt>0 时,器件电阻上升,突触权重下降,ΔW<0,并且ΔW随Δt指数衰减;当 Δt<0时,器件电阻下降,突触权重上升,ΔW>0,并且ΔW随Δt指数衰减。 实现生物神经突触的奇对称Ⅱ型STDP功能。

图2(j)和图2(k)是示出根据本实施例的另一测试,实现神经突触 的偶对称Ⅰ型STDP功能。其中突触前刺激信号施加在第二电极103上, 突触后刺激信号施加在第一电极101上,突触前后信号差为第二电极103 与第一电极101之间的信号差。参考图2(j),当Δt较大(Δt的绝对值大 于突触后刺激脉冲宽度的一半),突触前刺激与突触后刺激之差的峰值305 为正,在此组突触前后刺激作用下,神经突触器件的电阻上升,突触权重 下降。当Δt较小(Δt的绝对值小于等于突触后刺激脉冲宽度的一半),突 触前刺激与突触后刺激之差的峰值306为正,在此组突触前后刺激作用下, 神经突触器件的电阻下降,突触权重上升。参考图图2(k),在突触前后刺 激的共同作用下,当Δt较大时时,器件电阻上升,突触权重下降,ΔW<0; 当Δt较小时,器件电阻下降,突触权重上升,ΔW>0。并且ΔW随Δt呈垂 直平移正态分布。实现生物神经突触偶对称Ⅰ型STDP功能。

图2(l)和图2(m)是示出根据本实施例的另一测试,实现神经突触 的偶对称Ⅱ型STDP功能。其中突触前刺激信号施加在第二电极103上, 突触后刺激信号施加在第一电极101上,突触前后信号差为第二电极103 与第一电极101之间的信号差。参考图2(l),当Δt较大(Δt的绝对值大 于突触后刺激脉冲宽度的四分之一),突触前刺激与突触后刺激之差的峰值 307小于突触前刺激脉冲峰值的1.5倍,在此组突触前后刺激作用下,神经 突触器件的电阻不变,突触权重不变。当Δt较小(Δt的绝对值小于等于突 触后刺激脉冲宽度的四分之一),突触前刺激与突触后刺激之差的峰值308 大于突触前刺激脉冲峰值的1.5倍,在此组突触前后刺激作用下,神经突触 器件的电阻上升,突触权重下降。参考图图2(m),在突触前后刺激的共 同作用下,当Δt较大时时,器件电阻不变,突触权重不变;当Δt较小时, 器件电阻上升,突触权重下降,ΔW<0。并且ΔW随Δt呈负向正态分布。 实现生物神经突触偶对称Ⅱ型STDP功能。

图3(a)示出了本发明实施例2提供的模拟生物神经元和神经突触的 单元的结构;参考图3(a),本发明的神经元器件包括第一电极101、第二 电极103、绝缘层104和第一电极101和第二电极103之间硫系化合物材料 102第一电极101和硫系化合物材料102、硫系化合物材料102和第二电极 103形成电接触。其中第一电极101和第二电极103为铂(Pt),硫系化合 物材料102为碲化锗(GeTe),绝缘层104材料为二氧化硅(SiO2)。器件 结构呈T型。

图3(b)是示出根据实施例2的测试,实现神经元的阈值激发功能, 以及从激发态恢复到静息态的功能。其中输入信号施加在第二电极103上, 第一电极101接地,电阻202为第一电极101与第二电极103之间的电阻。 参考图3(b),神经元器件的电阻至少包括两个态,第一个是非晶态高阻态, 其电阻值大于第一电阻阈值(110kΩ),模拟神经元的静息态;第一个是晶 态低阻态,其电阻值小于第二电阻阈值(11kΩ),模拟神经元的激发态。当 输入的脉冲信号超过第一电压阈值(1.2V)而低于第二电压阈值(2.5V), 如脉冲信号501,电阻从高阻态转变成低阻态;当输入的脉冲信号超过第二 电压阈值,如脉冲信号502,电阻从低阻态转变成高阻态。神经元器件受到 超过阈值的刺激,从静息态(高阻态)转变成激发态(低阻态),并且能从 激发态(低阻态)恢复到静息态(高阻态),实现生物神经元阈值激发功能, 和恢复静息态的功能。同理,本实施例2也能实现神经元的能量积累激发 功能,在此不再赘述。

图3(c)是示出根据实施例2的另一测试,实现神经突触的突触权重 调节功能。其中输入信号施加在第二电极103上,第一电极101接地,电 阻为第一电极101与第二电极103之间的电阻。参考图3(c),表示神经突 触权重的电阻有多个电阻值,能随输入信号而改变。当输入脉冲信号为正, 电阻增大;当输入脉冲信号为负,电阻减小。正脉冲信号幅值越大,电阻 越大;负脉冲信号越小,电阻越小。电阻增大即突触权重减小,电阻减小 即突触权重增大。实现生物神经突触的突触权重调节功能。同理,本实施 例也能实现神经突触的STDP功能,在此不再赘述。

图4(a)示出了本发明实施例3提供的模拟生物神经元和神经突触的 的单元的结构;参考图4(a),本发明的神经元器件包括第一电极101、第 二电极103、绝缘层104和第一电极101和第二电极103之间硫系化合物材 料102第一电极101和硫系化合物材料102、硫系化合物材料102和第二电 极103形成电接触。其中第一电极101和第二电极103为钽(Ta),硫系化 合物材料102为碲化锑(Sb2Te3),绝缘层104材料为二氧化硅(SiO2)。器 件结构呈I型。

图4(b)是示出根据实施例3的测试,实现神经元的阈值激发功能, 以及从激发态恢复到静息态的功能。其中输入信号施加在第二电极103上, 第一电极101接地,电阻202为第一电极101与第二电极103之间的电阻。 参考图4(b),神经元器件的电阻至少包括两个态,第一个是非晶态高阻态, 其电阻值大于第一电阻阈值(90kΩ),模拟神经元的静息态;第一个是晶态 低阻态,其电阻值小于第二电阻阈值(9kΩ),模拟神经元的激发态。当输 入的脉冲信号超过第一电压阈值(0.8V)而低于第二电压阈值(1.5V),如 脉冲信号801,电阻从高阻态转变成低阻态;当输入的脉冲信号超过第二电 压阈值,如脉冲信号802,电阻从低阻态转变成高阻态。神经元器件受到超 过阈值的刺激,从静息态(高阻态)转变成激发态(低阻态),并且能从激 发态(低阻态)恢复到静息态(高阻态),实现生物神经元阈值激发功能, 和恢复静息态的功能。同理,本实施例也能实现神经元的能量积累激发功 能,在此不再赘述。

图4(c)是示出根据实施例3的另一测试,实现神经突触的突触权重 调节功能。其中输入信号施加在第二电极103上,第一电极101接地,电 阻为第一电极101与第二电极103之间的电阻。参考图4(c),表示神经突 触权重的电阻有多个电阻值,能随输入信号而改变。当输入脉冲信号为正, 电阻增大;当输入脉冲信号为负,电阻减小。正脉冲信号幅值越大,电阻 越大;负脉冲信号越小,电阻越小。电阻增大即突触权重减小,电阻减小 即突触权重增大。实现生物神经突触的突触权重调节功能。同理,本实施 例也能实现神经突触的STDP功能,在此不再赘述。

本发明实施例提供的模拟生物神经突触的单元还可以模拟神经突触的 脉冲时间依赖突触可塑性功能的其它多种STDP功能,在此不再一一详述。

本发明提供的单元、装置和方法均能很好的模拟生物神经元的阈值激 发功能、从激发态恢复到静息态的功能和能量累积激发功能,以及生物神 经突触的突触权重调节功能和脉冲时间依赖突触可塑性功能。为了节省篇 幅,在此不再一一穷举。

本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本发明的较佳实施例而已, 并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等 同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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