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一种磁电阻薄膜的制备及平面霍尔效应提高的方法

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一种磁电阻薄膜的制备及平面霍尔效应提高的方法，属于磁性薄膜领域。其特征是在基片/NiFe或NiCo和NiFe或NiCo/Ta界面上插入MgO、Al

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公开/公告号CN103194727A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-07-10

原文格式PDF
申请/专利权人北京科技大学;
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申请/专利号CN201310082139.0
发明设计人李明华;于广华;马琳;冯春;
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申请日2013-03-14
分类号C23C14/35;C23C14/58;C23C14/08;C23C14/14;H01L43/14;
代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司;
代理人皋吉甫
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
入库时间 2024-02-19 18:43:12

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-09-02

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/35 申请公布日:20130710 申请日:20130314

发明专利申请公布后的驳回
2013-08-07

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20130314

实质审查的生效
2013-07-10

公开

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