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一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法

摘要

本发明公开一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法,包括以下步骤:(1)制备TiO2与Nb2O5共掺的氧化物陶瓷靶材,(2)磁控溅射法制备铌掺杂二氧化钛透明导电膜;本方法制备的铌掺杂二氧化钛透明导电膜载流子浓度大为增加,薄膜导电性能更好,折射率达2.4~2.7,比ITO、AZO高,与薄膜硅材料折射率更为匹配,有利于减小光线在两介质界面传输的损失,增加光线的透过率和电池对光的吸收率,提高电池光电转换效率,适用于硅基薄膜太阳能电池的前电极,尤其是非晶硅/微晶硅叠层电池的前电极,比ITO、FTO、AZO在高还原性气体的气氛中更为稳定,不会被还原而影响其性能,从而保持了透明导电膜作为前电极的光电性能。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20130213 申请日:20121120

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-05-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20121120

    实质审查的生效

  • 2013-02-13

    公开

    公开

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