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荧光材料、可见光发光装置与紫外光发光装置

摘要

本发明涉及荧光材料、可见光发光装置与紫外光发光装置,所提供的荧光材料具有化学式如下:M(M’1-y-zEuyMnz)(M”1-xPrx)(PO4)2;其中M为一价金属元素,且M为Li、Na、K或其组合物;M’、Eu及Mn为二价金属元素,且M’为Ca、Sr、Ba、Mg、Zn或其组合物;M”及Pr为三价金属元素,且M”为Sc、Y、La、Lu、Al、Ga、In或其组合物;0≤x≤0.2;0≤y≤0.1;0≤z≤0.2;以及x+y+z≠0。

著录项

  • 公开/公告号CN102994087A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 财团法人工业技术研究院;

    申请/专利号CN201110356915.2

  • 申请日2011-11-11

  • 分类号C09K11/81(20060101);H01L33/50(20100101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 中国台湾新竹县

  • 入库时间 2024-02-19 17:37:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-27

    授权

    授权

  • 2013-04-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/81 申请日:20111111

    实质审查的生效

  • 2013-03-27

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及一种荧光材料,更特别涉及此种材料在发光装置中的 应用。

背景技术

无机荧光材料(Phosphors),其激发与发光等特性多由“主体材料 (Host materials)”、“活化剂/发光中心(Activators)”及其它“掺杂物 (Dopants)”等组成因素决定,即不同的主体材料或掺杂物所组成的荧 光材料,可能具有不同的发光特性,而“组成”自然也成为调控荧光 材料光电特性的最重要因素。其中,无机荧光材料的主体材料多数由 硫化物(Sulfides)、氧化物(Oxides)、硫氧化物(Oxysulfides)与其 它复合氧化物(Complex oxides;Silicates、Aluminates、Phosphates etc) 所组成,近年来则有逐渐向氮化物(Nitrides)与氮氧化物(Oxynitrides) 发展的趋势。至于活化剂/发光中心则主要以过渡元素(Transition metal  elements)或稀土族元素(Rare-earth elements)的离子为主。

未来光源的应用具有低汞/无汞的环保要求,因此高效率的氙准分 子灯(Xe2*excimer lamp)与发光二极管(Light emitting diode;LED) 都可能成为未来的主要光源。然而实际应用时,为符合放射波长的特 性需求,不论氙准分子灯或发光二极管,均需搭配荧光材料进行光转 换的作用,才能实现应用的目的。氙准分子灯主要的放射波长为172nm 的真空紫外光(Vacuum ultra violet、VUV),通过适当荧光材料的光转 换作用,可放射UV-C(波长介于200nm至280nm),以应用于杀菌 (Disinfection)或净化(Purification;TOC reduction)等领域。发光二 极管具有窄波段的放射特性,倘若结合适当荧光材料的光转换作用, 则可制作白光LED而应用于照明与显示等用途。不论如何,氙准分子 灯与发光二极管对于荧光粉的需求均相当殷切。然而,目前能应用于 氙准分子灯的紫外光放射荧光粉相当少见,而能应用于LED的荧光粉 又受到现有专利的束缚,因此新型荧光粉的开发属于极重要的研究任 务。

发明内容

本发明的一个实施方式提供一种荧光材料,其具有化学式如下: M(M’1-y-zEuyMnz)(M”1-xPrx)(PO4)2;其中M为一价金属元素,且M为 Li、Na、K或其组合物;M’、Eu及Mn为二价金属元素,且M’为Ca、 Sr、Ba、Mg、Zn或其组合物;M”及Pr为三价金属元素,且M”为Sc、 Y、La、Lu、Al、Ga、In或其组合物;0≤x≤0.2;0≤y≤0.1;0≤z≤0.2; 并且x+y+z≠0。

本发明的一个实施方式提供一种紫外光发光装置,包括激发光源 以及上述荧光材料,其中激发光源的放射波长介于140nm至240nm。

本发明的一个实施方式提供一种可见光发光装置,包括激发光源 以及上述荧光材料,其中激发光源的放射波长介于250nm至450nm。

附图说明

图1为本发明的一个实施方式中紫外光发光装置的示意图;

图2为本发明的一个实施方式中可见光发光装置的示意图;

图3为本发明的一个实施方式中KCa(Y0.9Pr0.1)(PO4)2的X光射线 衍射图谱(XRD);

图4为本发明的一个实施方式中KCa(Y0.9Pr0.1)(PO4)2的激发光谱及 放射光谱(PLE/PL);

图5为本发明的一个实施方式中KCa(Y1-xPrx)(PO4)2在不同Pr3+活 化剂掺杂比例(x分别为0.01、0.02、0.05、0.1及0.15)下的放射光谱 图;

图6为本发明的一个实施方式中KCa(Y1-xPrx)(PO4)2在不同Pr3+活 化剂掺杂比例及波长为172nm的激发光源下,在253nm的放射强度分 布图;

图7为本发明的一个实施方式中KCa(Y0.9Pr0.1)(PO4)2在波长为 172nm的激发光源下的大波长范围内的放射光谱;

图8为本发明的一个实施方式中KCa(M”0.9Pr0.1)(PO4)2(M”=Y、 La或Lu)与CYP的放射光谱比较图;

图9为本发明的一个实施方式中KSr(M”0.9Pr0.1)(PO4)2(M”=Y、La 或Lu)的放射光谱比较图;

图10为本发明的一个实施方式中NaCa(Y0.9Pr0.1)(PO4)2的放射光谱 比较图;

图11为本发明的一个实施方式中K(Ca0.98Eu0.01Mn0.01)Y(PO4)2的X 光射线衍射图谱(XRD);

图12为本发明的一个实施方式中K(Ca0.99Eu0.01)Y(PO4)2的激发光 谱及放射光谱(PLE/PL);

图13为本发明的一个实施方式中K(Ca1-y-zEuyMnz)Y(PO4)2的Eu2+放射光谱与Mn2+激发光谱图;

图14为本发明的一个实施方式中K(Ca0.99-zEu0.01Mnz)Y(PO4)2在不 同Mn2+活化剂掺杂比例下的放射光谱比较图;

图15为本发明的一个实施方式中K(Ca0.99-zEu0.01Mnz)Y(PO4)2在不 同Mn2+活化剂掺杂比例下的色度坐标图;以及

图16为本发明的一个实施方式中K(Ca0.94Eu0.01Mn0.05)Y(PO4)2结合 放射380nm的near-UV LED芯片所制作的白光LED的放射光谱图。

【主要组件符号说明】

1、2、3、4、5、6、7~荧光粉编号;

10、100~发光装置;

12~灯管;

14、106~荧光材料;

16、102~激发光源;

18~电极;

104~导线架;

108~透明树脂;

110~封装材料。

具体实施方式

一般而言,磷酸盐类主体材料多数具有宽能隙的特性,可以搭配 不同活化剂而展现出各种不同的激发与放射特征,可谓是多功能性的 主体材料系统。本发明的实施方式选择较罕见的MM’M”(PO4)2为主体 材料系统,并搭配Pr3+、Eu2+及Mn2+为活化剂。M为一价金属元素如 Li、Na、K或其组合物。M’为二价金属元素如Ca、Sr、Ba、Mg、Zn 或其组合物。M”为Sc、Y、La、Lu、Al、Ga、In或其组合物。其中 Pr3+离子因具有放射UV-C的适当能阶,结合MM’M”(PO4)2磷酸盐类主 体材料可以作为紫外光放射荧光材料,可结合Xe2*准分子灯而制作无 汞的UV-C紫外光光源。另一方面,Eu2+与Mn2+为敏化配对,共掺杂 时具有能量传输效应。改变Eu2+与Mn2+在MM’M”(PO4)2中的相对掺杂 浓度可变化放射的可见光光色,可作为光色可调控的荧光材料以制作 白光LED,以应用于照明及显示用途。

本发明的实施例所提出的磷酸盐类荧光粉材料,其化学式如下:

M(M’1-y-zEuyMnz)(M”1-xPrx)(PO4)2        (式1)

在式1中,M为一价金属元素如Li、Na、K或其组合物。M’、Eu 及Mn为二价金属元素,且M为Ca、Sr、Ba、Mg、Zn或其组合物。 M”及Pr为三价金属元素,且M”为Sc、Y、La、Lu、Al、Ga、In或其 组合物。0≤x≤0.2,0≤y≤0.1,0≤z≤0.2,且x+y+z≠0。

若式1中的荧光材料化学式中的y=z=0,上述荧光材料的化学式为 MM’(M”1-xPrx)(PO4)2,且x≠0。经140nm至240nm的波长的光激发后, 上述荧光材料放射紫外光,且该紫外光的主放射波峰介于240nm至 320nm之间。上述荧光材料MM’(M”1-xPrx)(PO4)2可应用于紫外光发光 装置。在本发明的一个实施方式中,紫外光发光装置10具有灯管12、 激发光源16、电极18及涂布在灯管12内壁上的荧光材料14 (MM’(M”1-xPrx)(PO4)2),如图1所示。激发光源16可为氙准分子灯 (Xenon excimer lamp)或其它放射类似波长(140nm至240nm)的光 源。

若式1中的荧光材料x=0,上述荧光材料的化学式为 M(M’1-y-zEuyMnz)M”(PO4)2,且y+z≠0。经250nm至450nm的波长的 光激发后,上述荧光材料放射可见光,且可见光的主放射波峰介于 450nm至750nm之间。上述荧光材料M(M’1-y-zEuyMnz)M”(PO4)2可应 用于可见光发光装置。在本发明的一个实施方式中,可见光发光装置 100具有激发光源102,其正极与负极分别连接至相反电位的导线架 104。将荧光材料106(M(M’1-y-zEuyMnz)M”(PO4)2)混入透明树脂108后, 包覆激发光源102。最后再以封装材料110封住上述结构,即形成图2 所示的可见光发光装置。激发光源102可为发光二极管、雷射二极管 或其它放射类似波长(250nm至450nm)的光源。

此外,本发明还提供上述磷酸盐荧光材料的制造方法,包括以下 步骤:首先,混合以下成分得到混合物:(1)具有M的含氧化合物;(2) 具有M’的含氧化合物;(3)磷酸氢二铵((NH4)2HPO4)或磷酸二氢铵 ((NH4)H2PO4);以及(4)具有Pr(或Eu及Mn)的含氧化合物。接着 对混合物进行烧结,且烧结温度介于950℃-1250℃之间。当混合物升 温至烧结温度后,维持在烧结温度下8至32小时,以烧结混合物。根 据本发明的实施例,该(1)具有M的含氧化合物可为具有Li、Na或K 的金属氧化物、金属碳酸化合物或金属硝酸化合物。另外,除磷酸氢 二铵((NH4)2HPO4)或磷酸二氢铵((NH4)H2PO4)外,Pr或Eu及Mn 的含氧化合物可为金属氧化物或金属硝酸化合物。

为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂,下 文特举数个实施方式配合附图,作详细说明如下:

【实施例】

实施例1

依化学剂量比例取碳酸钾、碳酸钙、氧化钇、氧化镨及磷酸氢二 铵,均匀混合后研磨10分钟,并放入坩锅,置入高温炉,在空气下950 ℃~1250℃烧结,以制备不同Y/Pr比例的KCa(Y1-xPrx)(PO4)2。其中x 分别为0.01、0.02、0.05、0.1及0.15。

图3为KCa(Y0.9Pr0.1)(PO4)2的X光射线衍射图谱(XRD),显示其 结晶特性良好,少量的Pr3+掺杂并未影响其晶体结构。

图4为KCa(Y0.9Pr0.1)(PO4)2的激发光谱及放射光谱(PLE/PL)。由 图4可知其激发波段介于140到240nm,放射波段从240nm到320nm。

图5为KCa(Y1-xPrx)(PO4)2在不同Pr3+活化剂掺杂比例(x分别为 0.01、0.02、0.05、0.1及0.15)下的放射光谱图。

图6为KCa(Y1-xPrx)(PO4)2在不同Pr3+活化剂掺杂比例及波长为 172nm的激发光源下,在253nm的放射强度分布图。图6显示Pr3+活 化剂的最佳掺杂比例约为10%左右。

为确认KCa(Y1-xPrx)(PO4)2为良好的紫外光放射荧光材料,同时进 行大波长范围的放射光谱分析。图7为KCa(Y0.9Pr0.1)(PO4)2在波长为 172nm的激发光源下的大波长范围的放射光谱,显示其除了在550nm 波长附近具有微量可见光的放射之外,其余放射皆为介于240nm至 320nm之间的紫外光,显示其为特性良好的紫外光放射荧光材料。

同样地,MM’(M”1-xPrx)(PO4)2的合成也可以改变原料种类,各依 化学剂量比例及相同合成方式,研制其它具有不同阳离子的紫外光放 射荧光粉,因此除了KCa(Y1-xPrx)(PO4)2之外,其他如 KCa(La1-xPrx)(PO4)2、KCa(Lu1-xPrx)(PO4)2、KSr(Y1-xPrx)(PO4)2、 KSr(La1-xPrx)(PO4)2、KSr(Lu1-xPrx)(PO4)2或NaCa(Y1-xPrx)(PO4)2等,皆 可以应用相同方式合成获得。图8为KCa(M”0.9Pr0.1)(PO4)2(M”=Y、 La或Lu)与CYP(Ca9(Y1-xPrx)(PO4)7,见中国台湾专利申请号98134483 的实施例23)的放射光谱比较图。图9为KSr(M”0.9Pr0.1)(PO4)2(M”=Y、 La或Lu)的放射光谱比较图。图10为NaCa(Y0.9Pr0.1)(PO4)2的放射光 谱比较图。由图8-10可知,KCa(Lu0.9Pr0.1)(PO4)2及KSr(Y0.9Pr0.1)(PO4)2, 也是与KCa(Y0.9Pr0.1)(PO4)2效能相当的紫外光放射荧光粉。

实施例2

依化学剂量比例取碳酸钾、碳酸钙、氧化钇、氧化铕、氧化锰及 磷酸氢二铵,均匀混合后研磨10分钟后放入坩锅,置入高温炉在空气 下950℃~1250℃烧结,以制备不同掺杂比例的 K(Ca0.99-zEu0.01Mnz)Y(PO4)2,其中z分别为0、0.01、0.02、0.04、0.05、 0.07及0.10。

图11为K(Ca0.98Eu0.01Mn0.01)Y(PO4)2的X光射线衍射图谱(XRD), 显示其结晶特性良好,少量的Eu2+、Mn2+掺杂并未影响其晶体结构。

图12为K(Ca0.99Eu0.01)Y(PO4)2的激发光谱及放射光谱(PLE/PL), 由图12可知其激发波段介于250nm到450nm,放射波段从425nm到 700nm,放射波峰则为480nm左右。

图13为K(Ca1-y-zEuyMnz)Y(PO4)2的Eu2+放射光谱与Mn2+激发光谱 图,其中y+z≠0。由图13可知,Eu2+放射光谱与Mn2+激发光谱具有 重叠现象,即存在能量传递(Energy transfer)。换言之,Eu2+可作为 Mn2+的敏化剂。

图14为K(Ca0.99-zEu0.01Mnz)Y(PO4)2在不同Mn2+活化剂掺杂比例下 的放射光谱比较图,显示在1%Eu2+的状况下,调控Mn2+活化剂不同掺 杂比例的放射光谱变化。

图15为K(Ca0.99-zEu0.01Mnz)Y(PO4)2在不同Mn2+活化剂掺杂比例下 的色度坐标图,显示在1%Eu2+的状况下,增加Mn2+活化剂不同掺杂比 例,其色度坐标会由蓝绿色往红紫色方向位移,至于详细的色度坐标 变化,则如表1所示:

表1

  编号   组成   CIE(x,y)   1   K(Ca0.99Eu0.01)Y(PO4)2  (0.1853,0.2627)   2   K(Ca0.98Eu0.01Mn0.01)Y(PO4)2  (0.2107,0.2796)   3   K(Ca0.97Eu0.01Mn0.02)Y(PO4)2  (0.2399,0.3032)   4   K(Ca0.95Eu0.01Mn0.04)Y(PO4)2  (0.3001,0.3102)   5   K(Ca0.94Eu0.01Mn0.05)Y(PO4)2  (0.3350,0.3203)   6   K(Ca0.92Eu0.01Mn0.07)Y(PO4)2  (0.3810,0.2951)   7   K(Ca0.89Eu0.01Mn0.1)Y(PO4)2  (0.3919,0.2867)

图16则为K(Ca0.94Eu0.01Mn0.05)Y(PO4)2结合放射380nm的near-UV  LED芯片所制作的白光LED及其放射光谱的说明图,显示利用具有双 放射波峰的单一K(Ca0.94Eu0.01Mn0.05)Y(PO4)2荧光材料结合近紫外光 LED芯片,即可制作具有7325K色温及色度坐标为(0.314,0.277)的 白光LED。

虽然本发明已由以上数个优选实施方式揭露,然而其并非用以限 定本发明,任何所属技术领域的技术人员,在不脱离本发明的主题和 范围内,当可作任意的改动与修饰,因此本发明的保护范围应当视权 利要求所界定的范围为准。

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