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利用射频溅射所形成的磁穿隧接面的介电封装层

摘要

一种用于磁随机存取存储器(MRAM)科技的磁性装置,包括垂直磁化磁穿隧接面(p‑MTJs,11a、11b),各具有形成于底电极(10a)与顶电极(14a、14b)之间的侧壁(11s1、11s2)。第一介电层(12)包括B、Ge、合金或前述化合物的组合,以及/或硅或金属的氧化物、氮化物、氮化物、氮氧化物或碳氮化物形成于侧壁上,其优选为利用射频溅射所形成以利用垂直磁化磁穿隧接面建立热稳定界面。金属氧化物、氮化物、氮化物、氮氧化物或碳氮化物的第二介电层(13)形成于第一层上并填充垂直磁化磁穿隧接面间的开口,第二介电层优选包括MgO、SiO

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/08 申请日:20180307

    实质审查的生效

  • 2019-11-22

    公开

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