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一种以Zn膜为基材直接制备N掺杂ZnO薄膜的方法

摘要

本发明公开一种以Zn膜为基材直接制备N掺杂ZnO薄膜的方法,包括以下步骤:选用清洁Si片作为衬底材料,以纯度99.99%的金属锌作为溅射靶材;当溅射腔室中真空度达到1.0×10

著录项

  • 公开/公告号CN102925856A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201210469096.7

  • 发明设计人 彭寿;王芸;沈洪雪;彭程;

    申请日2012-11-20

  • 分类号C23C14/08;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58;H01L21/203;H01L33/00;

  • 代理机构安徽省蚌埠博源专利商标事务所;

  • 代理人倪波

  • 地址 233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

  • 入库时间 2024-02-19 17:13:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/08 申请公布日:20130213 申请日:20121120

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-05-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/08 申请日:20121120

    实质审查的生效

  • 2013-02-13

    公开

    公开

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