具有用于目标阈值电压调谐的极化层超晶格的晶体管

摘要

公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；超晶格，所述超晶格包括在所述衬底上方的交替材料的多个层，其中所述多个层中的每一个均对应于阈值电压；栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸到所述超晶格中至所述超晶格结构的所述多个层中的预定层；以及位于所述沟槽的底部和侧壁上的高k层，所述高k层接触交替材料的所述多个层中的一个的蚀刻停止层。栅极位于在所述高k层之上的所述沟槽中。