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适用于大功率SiCMOSFET的保护电路

摘要

本发明涉及SiCMOSFET的保护电路,具体为适用于大功率SiCMOSFET的保护电路。解决现有大功率器件保护电路短路故障响应速度慢,过压抑制响应速度慢的问题。该保护电路包括短路保护电路和过压抑制保护电路;短路保护电路包括由多个电阻串联而成的电阻支路,电阻支路的一端与SiCMOSFET的D极连接、另一端与电容C1的一端连接并把该端作为短路信号输出端VDS,电容C1的另一端与-4V电源连接;过压抑制保护电路包括由多个TVS管单向串联而成的TVS管支路,TVS管支路中的每个TVS管两端并联一个电容,TVS管支路的负极端与SiCMOSFET的D极连接,TVS管支路的正极端作为抑制过压信号输出端ACL。

著录项

  • 公开/公告号CN110492439A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中车永济电机有限公司;

    申请/专利号CN201910610038.3

  • 申请日2019-07-08

  • 分类号H02H7/12(20060101);

  • 代理机构14100 太原科卫专利事务所(普通合伙);

  • 代理人朱源

  • 地址 044500 山西省运城市永济市电机大街18号

  • 入库时间 2024-02-19 16:54:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02H7/12 申请日:20190708

    实质审查的生效

  • 2019-11-22

    公开

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