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一种应用于5G通信的高隔离度宽带毫米波混频器

摘要

本发明属于无线通信技术领域,涉及混频器,具体为一种应用于5G通信的高隔离度宽带毫米波混频器,包括:跨导级单元1、电磁耦合单元2、开关级单元3、负载级单元4和缓冲级单元5。本发明为基于CMOS工艺的电磁耦合式共栅结构混频器,采用共栅的输入跨导级有利于系统级设计,无需额外的匹配网络就能实现宽带匹配;中间引入的变压器网络,标准电感LP能够抵消级间寄生电容,从而减少噪声,提高增益,差分电感LS能够匹配以及构成反馈需要,进一步提高增益;同时,电路结构对称可以在实际版图实施时做到很好的对称这有益于混频器的隔离度。

著录项

  • 公开/公告号CN110535441A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201910840856.2

  • 申请日2019-09-06

  • 分类号H03D7/16(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人甘茂

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2024-02-19 16:44:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03D7/16 申请日:20190906

    实质审查的生效

  • 2019-12-03

    公开

    公开

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