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一种控制ε-HNIW晶形和窄粒度分布的重结晶方法

摘要

本发明公开了一种控制ε-HNIW晶形和窄粒度分布的重结晶方法,包括(1)将助剂溶解在反溶剂中;在结晶器内将HNIW溶于有机溶剂中制得饱和溶液,(2)将结晶器置于水浴中,边搅拌边向结晶器内滴加反溶剂;(3)继续搅拌至出现结晶;(4)过滤,洗涤、干燥;本发明通过溶剂-反溶剂重结晶控制HNIW的粒径和晶形,室温制备,并且不用筛分即可获得不同粒径、晶形规整、具有窄粒度分布的高品质ε型HNIW。避免使用机械筛分和研磨含能材料进行粒度分级存在的安全隐患,选用低度或无毒溶剂,并可以回收利用,降低了成本,同时常温重结晶工艺具有操作简单、安全可靠、绿色高效等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN102898429A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN201210348253.9

  • 申请日2012-09-18

  • 分类号C07D487/22(20060101);

  • 代理机构11218 北京思创毕升专利事务所;

  • 代理人赵宇

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2024-02-19 16:35:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-13

    授权

    授权

  • 2013-03-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C07D487/22 申请日:20120918

    实质审查的生效

  • 2013-01-30

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及笼形硝胺炸药领域,更进一步说,涉及一种控制ε-HNIW晶形 和窄粒度分布的重结晶方法。

背景技术

Hexanitrohexaazaisowurtzitane(HNIW)是由美国海军武器研究中心的尼尔 森于1987年在加利福尼亚州的China Lake首次合成的具有高能量密度的笼形硝 胺炸药,简称CL-20。作为高能量密度化合物的典型代表,其对提高武器系统的 威力,使推进剂和高能混合炸药配方的最佳化,保持国家的国防优势具有十分 重要的战略意义。

常温常压下,HNIW存在α、β、γ和ε四种晶型,其中ε型密度为2.04g/cm3, 是高能量密度化合物的代表,也最有应用价值。2004年ATK已经达到2000L 的重结晶规模,可直接制备出平均粒径224μm、188μm和29μm,且具有窄粒 度分布、99.5%纯度的高品质ε型晶体,但是重结晶工艺保密。2003年,SNPE 公司通过分子模拟HNIW的结晶过程,并用试验验证了不同晶形控制剂对 ε-HNIW晶形的影响,晶形控制剂未知;2006年,Sivabalan R.采用超声波辅助 重结晶的方法,在乙酸乙酯-正庚烷体系中,制备出平均粒径为5μm,块状 ε-HNIW微晶,撞击感度大幅度降低。2007年,Mohan N.P.采用超声分散的方 法控制HNIW在乙酸乙酯-正庚烷中重结晶,制备出不同尺寸的方形晶体。2007 年,Lee M.H.利用冷却粗料HNIW的碳酸二甲酯溶液获得β-HNIW,然后用乙酸 乙酯-二氯甲烷体系进行β→ε转晶,通过缓慢蒸发HNIW的乙酸乙酯溶液控制 ε-HNIW晶形及密度。Mandal,A.K.等人利用乙酸乙酯-正庚烷体系对合成出的 HNIW进行β→ε常温转晶,获得高品质晶体。Bayat,Y.利用乙酸乙酯-异辛烷体 系喷射细化重结晶制备纳米CL-20,但是晶型未知,粉体颗粒严重团聚。Joanna S.和Ahmed E.分别利用乙酸乙酯-三氯甲烷体系制备不同粒径和晶形的ε-HNIW 晶体,研究发现随晶体粒径减小,撞击感度降低,摩擦感度增加,粒径相当时, 晶形规则的晶体感度较低。国内,1994年首次合成CL-20,欧育湘研究ε-CL-20 重结晶时,发现在高温下形成饱和溶液冷却析晶,可以通过选择晶种粒度,制 得50~150μm的ε-CL-20,若是向ε-CL-20饱和溶液中加入不良溶剂(反溶剂) 析晶,则通过控制加入不良溶剂的速率,可制得10~150μm的ε-CL-20,如果 从ε-CL-20溶液与不良溶剂的混合物中蒸发溶剂的方法,则可制备小粒径晶粒, 也可制备大粒径晶体,这与晶种类型、粒径、蒸发速率及混合溶液的过饱和度 有关。

通常选用乙酸乙酯-氯仿体系对CL-20进行重结晶,氯仿作为反溶剂可以制 备ε-CL-20晶体。但是,使用氯仿容易造成晶体结构缺陷(如空隙、多棱角、团 聚),而且采用蒸馏也很难将乙酸乙酯-氯仿有效分离开。氯仿有毒也不能回收 重复使用,造成污染。因此,减少氯代烃的污染和毒害使制备ε-CL-20晶体的关 键条件。

美国专利(U.S.5874574)提出一种替代氯代烃的重结晶方法,Johnston等 人选用乙酸乙酯作为CL-20溶剂,反溶剂选用低密度的芳香烃,例如苯、甲苯 和短碳链的烷烃。此工艺的缺点是重结晶出的CL-20晶体棱角多、粒度分布较 宽、晶体粘度大,不利于提高火炸药的固相含量。

美国专利(U.S.5973149)介绍的一种溶剂反溶剂重结晶工艺,CL-20溶剂 选用酯、亚硝酸、醚或酮(除丙酮),反溶剂选择脂肪烃、芳香烃或二者混合 物。通过向CL-20饱和溶液中加入ε-CL-20晶种,然后蒸发溶液结晶,即可获 得10~100μm的晶体。该方法制备的小晶体燃速相对较低,不能作为具有成型 工艺和弹道特性的二元或三元配方。

美国专利(U.S.7288646B2)介绍一种高温(60~94℃)重结晶的工艺, CL-20溶剂选用乙酸乙酯,反溶剂选用乙酸苄酯或甲酸苄酯,反溶剂的助剂选用 环烷油或者石蜡油。将CL-20饱和溶液加热至60℃以上,加入ε-CL-20晶种, 注入反溶剂使CL-20从溶液中析出,然后减压蒸发溶液分离溶剂与反溶剂。此 工艺获得的ε-CL-20粒径在30~300μm,粒径分布较宽。

发明内容

为解决现有技术中粗料HNIW多晶型、晶形复杂、粒度分布宽的问题,本 发明提供了一种ε-HNIW晶形和窄粒度分布的重结晶方法。通过溶剂-反溶剂重 结晶工艺,调节结晶工艺过程中的参数,可以控制粒径与晶体形貌,获得具有 窄粒度分布的高品质ε-HNIW晶体。

本发明的目的是提供一种控制ε-HNIW晶形和窄粒度分布的重结晶方法。

包括:

(1)将助剂溶解在反溶剂中;在结晶器内将HNIW溶于有机溶剂中制得饱 和溶液,

(2)将结晶器置于水浴中,边搅拌边向结晶器内滴加反溶剂;

(3)继续搅拌至出现结晶;

当制备粒径大于100μm大颗粒晶体时,当溶液出现浑浊时,加入晶种,晶 种为粒径<5μm的ε-HNIW;

(4)过滤,洗涤、干燥;

所述有机溶剂为乙酸甲酯或磷酸三乙脂;优选为乙酸甲酯;

所述反溶剂为二氯甲烷、三氯甲烷中的一种或组合;优选为二氯甲烷和三氯 甲烷;

溶剂和反溶剂的沸点相差至少10℃;所用溶剂和反溶剂密度、黏度、极性 相差(±10%);

所述助剂为非极性的芳香烃;优选为液体石蜡或石油醚。

所述水浴温度为15~45℃;

没有出现结晶时,搅拌速率小于60rpm,出现结晶时,搅拌速率为60~1000 rpm。

所述助剂的体积与反溶剂体积比在0.05~0.12。

步骤(1)中,反溶剂中还可以加入晶形控制剂,所述晶形控制剂是可溶于 反溶剂的高分子表面活性剂,如羧甲基纤维素钠、糊精、环糊精、司班80、司 班60、聚乙烯醇、十二烷基苯磺酸钠等;

结晶器形状底部优选为球缺形,搅拌桨为三叶螺旋桨式。所述结晶器底部设 置有鼓泡装置。

搅拌速率越大,结晶颗粒越小,制备大颗粒时,搅拌速率可优选为120~ 150rpm;制备小颗粒时,搅拌速率可优选为600~1000rpm。

根据HNIW的特点,采用溶剂-反溶剂重结晶工艺制备ε-HNIW,其中溶剂 与反溶剂性质、过饱和度、温度、搅拌速率和时间、结晶器形貌都将影响晶体 的品质。

HNIW的溶解度几乎不受温度的影响,若采用缓慢蒸发溶剂重结晶工艺, 将引起晶体缺陷,形貌与粒径得不到有效控制。选用溶剂-反溶剂重结晶工艺是 制备高品质ε-HNIW的唯一途径,HNIW的溶剂应具有无毒、沸点低、易挥发、 价格低等特点,乙酸甲酯(沸点57℃,黏度0.385mPa·s,偶极矩1.61D)可作为 溶剂的最佳选择,反溶剂宜选用易与乙酸甲酯分离的溶剂。在此溶液体系内, HNIW分子在乙酸甲酯溶液中的状态,具有“笼蔽效应”,HNIW被周围溶剂分子 包围,反溶剂沸点应与乙酸甲酯间隔10℃以上,例如正庚烷(沸点99℃,黏度 0.409mPa,偶极矩0)、二氯甲烷(沸点39℃,低毒,黏度0.425mPa·s,偶极 矩1.14D)、三氯甲烷(沸点60℃,有毒,黏度0.563mPa·s,偶极矩1.15D)、 氯代正丁烷(沸点78℃,有毒,黏度0.469mPa·s,偶极矩1.9D)。本发明优选 采用乙酸甲酯作为HNIW的溶剂,二氯甲烷和三氯甲烷作为反溶剂,液体石蜡 作为反溶剂助剂。[D=3.335×10-30C·m]

过饱和度与温度的影响。过饱和度是结晶的推动力,维持一定的过饱和度 是制备高密度结晶的基础,向饱和HNIW溶液中加入一定量的反溶剂,当晶体 未析出时,溶液中溶质质量保持不变,较低的饱和度环境利于晶体的成长,因 为在较低的过饱和度溶液中,晶体生长速率>>晶核生长速率,所得晶体较大, 晶形较完整。温度直接决定着晶体是否能够发生和长大,HNIW在64℃以上的 溶液中容易发生转晶,因此,结晶温度宜在60℃以下,液固相界面的宽度将影 响结晶的品质,适宜在30~40℃。溶剂-反溶剂体系的过饱和度由反溶剂的加入 速率控制,在高过饱和度溶液内形成的晶体呈针状棱角较多,而在极低的过饱 和度时形成的晶体具有较多的晶面,晶体近似呈球形,过饱和度还影响晶体的 均匀性,对于高质密的CL-20晶体,选择合适的过饱和度至关重要,同时,研 究不同温度时,成核速率和成长速率对晶体品质的影响,对于HNIW,温度过 高会引起转晶,温度过低,晶体生长呈细长的针状,造成二次成核的骸晶及枝 晶。本工艺基于大量试验发现,对于不同类型的反溶剂,使饱和HNIW乙酸乙 酯溶液达到“析晶点”的用量也不同,即混合溶液的过饱和度。三氯甲烷用量为 0.3(HNIW的乙酸甲酯饱和溶液体积为1计),二氯甲烷用量为0.4,正庚烷为 1.3,四氯化碳为1.5。在达到析晶点之前,反溶剂的加入速率不影响最终结晶品 质,反溶剂加入量决定一次结晶得率,例如,加入2倍体积的三氯甲烷,一次 溶液析晶得率为90%,加入2.2倍体积的三氯甲烷,一次溶液析晶得率为90%; 加入3倍体积的二氯甲烷,一次溶液析晶得率为70%,加入4倍体积的二氯甲 烷,一次溶液析晶得率为75%;加入两者混合物,按主体成分计算。结晶温度 控制在30℃为宜,温度越高,溶液析出晶体的粒径越大。

搅拌速率和时间的影响。正加法溶剂-反溶剂重结晶(反溶剂滴加到溶液中) 实质就是反溶剂在溶剂中的扩散过程,与两种溶剂的互溶性有关,搅拌为此扩 散互溶过程提供动力,若不搅拌,反溶剂分子在溶剂中扩散速率很慢且分布不 均,造成结晶不均匀。适当的搅拌有助于反溶剂与溶剂的均匀混合,使混合溶 液保持均匀的过饱和度,使HNIW在均匀缓和的液相环境中自由成核,然后通 过“液-固”界面的传质过程,不断生长成晶粒,晶体在搅拌的作用下,在母液中 不断旋转浮动,颗粒间相互摩擦,结构趋于密实,晶形臻于规则。若获得大颗 粒结晶,在“析晶点”之前,搅拌速率一定要慢,保持在50~60rpm,即液面不起 “波澜”,在达到析晶点时,搅拌适当加快,调节至120~150rpm,根据反溶剂的 滴加速率适当调节,保证析出的HNIW晶粒不能沉入结晶器底部。若要制备细 颗粒结晶,搅拌速率要快,在析晶点时保持搅拌200rpm,随着晶体析出量增加, 搅拌调节至1000rpm。例如,搅拌时间为20h,三氯甲烷做反溶剂,慢速搅拌制 备出平均粒径160μm,快速搅拌可获得平均粒径25μm;二氯甲烷作为反溶剂, 慢速搅拌获得平均粒径32μm,快速搅拌可获得平均粒径15μm。搅拌时间也影 响晶体的粒径,搅拌时间越长,晶体的平均粒径越大,与反溶剂类型无关,但 是,晶体粒径不可能无限生长,300μm以上晶体就很难继续长大。对于HNIW 重结晶,搅拌时间与结晶量级对应,例如,10g量级搅拌15~20h,100g量级 搅拌24~30h,1000g量级搅拌48~50h,10000g量级搅拌70~75h。

结晶器类型优化。结晶器底部容易形成结晶沉积,造成团聚聚晶,在底部应 加入鼓泡装置,使结晶体不断向上翻滚,在搅拌的作用下,在溶液中不断碰撞、 摩擦、冲刷,随着不断搅拌,彼此间消磨棱角而使表面圆滑。搅拌桨以能有效 搅拌为宜,可采用现有技术中搅拌效果较好的搅拌桨,如:锚式搅拌桨、浆式 搅拌桨、螺旋桨式搅拌桨等。

在大型结晶器底部应加入一鼓泡装置,当析出晶体沉入容器底部时,搅拌 桨难以将其翻起,鼓入气泡就能将底部晶体吹起,随浆液一起搅拌,有效防止 晶体结块堵塞出料口。

本发明通过溶剂-反溶剂重结晶控制HNIW的粒径和晶形,室温制备,并且 不用筛分即可获得不同粒径、晶形规整、具有窄粒度分布的高品质ε型HNIW。 避免使用机械筛分和研磨含能材料进行粒度分级存在的安全隐患,选用低度或 无毒溶剂,并可以回收利用,降低了成本,同时常温重结晶工艺具有操作简单、 安全可靠、绿色高效等优点。

附图说明

图1本发明的重结晶方法流程图

图2实施例1-5所得到五种粒径的X射线衍射图谱【XRD谱图】

图3实施例1,3,5的三种HNIW的FT-IR谱图(1为125μm,2为15μm, 3为0.48μm)

图4-1实施例1的扫描电镜图

图4-2实施例1的粒度分布图

图5-1实施例2的扫描电镜图

图5-2实施例2的粒度分布图

图6-1实施例3的扫描电镜图

图6-2实施例3的粒度分布图

图7-1实施例4的扫描电镜图

图7-2实施例4的粒度分布图

图8-1实施例5的扫描电镜图

图8-2实施例5的粒度分布图

具体实施方式

下面结合实施例,进一步说明本发明。

实施例1:

10g HNIW溶于25mL乙酸甲酯,室温下配置成饱和溶液,倒入250mL三 口烧瓶内,开启水浴控温(30℃)和搅拌(60rpm),搅拌0.5h,然后将50mL 三氯甲烷、22mL二氯甲烷、3mL液体石蜡均匀混合,通过横流泵加入到三口 瓶内,滴加速率0.1mL/min,加入10mL时,溶液开始出现浑浊,加入晶种,此 时,调节搅拌速率至150rpm,直至反溶剂滴加完毕,搅拌12h,过滤分离母液 和晶体,用无水乙醇洗涤晶体2h,过滤干燥,得到9g HNIW(得率90%)。XRD 谱图(如图2所示)、红外光谱(如图3所示)、扫描电镜和粒度分析显示(如 图4所示),所得晶体为ε型HNIW,平均粒径125μm。

实施例2:

10g HNIW溶于25mL乙酸甲酯,室温下配置成饱和溶液,倒入250mL三 口烧瓶内,开启水浴控温(30℃)和搅拌(60rpm),搅拌0.5h,然后将50mL 二氯甲烷、50mL四氯化碳、5mL液体石蜡均匀混合,通过横流泵加入到三口 瓶内,滴加速率0.1mL/min,加入20mL时,溶液开始出现浑浊,此时,调节 搅拌速率至150rpm,直至反溶剂滴加完毕,搅拌4h,过滤分离母液和晶体,用 无水乙醇洗涤晶体2h,过滤干燥,得到8g HNIW(得率80%)。扫描电镜和粒度 分析显示(如图5所示),所得晶体为ε型HNIW(如图2所示),平均粒径 28.6μm。

实施例3:

1000g HNIW溶于2500mL乙酸甲酯,室温下配置成饱和溶液,倒入10L 反应釜内,开启水浴控温(30℃)和搅拌(80rpm),搅拌0.5h,然后将5000mL 二氯甲烷、1000mL三氯甲烷、500mL液体石蜡和30g羧甲基纤维素钠均匀混 合,通过横流泵加入到三口瓶内,滴加速率50mL/h,加入1200mL时,溶液开 始出现浑浊,此时,调节搅拌速率至500rpm,开启反应釜底的鼓泡装置,直至 反溶剂滴加完毕,搅拌10h,过滤分离母液和晶体,用无水乙醇洗涤晶体5h, 用水洗涤3h,再用无水乙醇祛水,过滤干燥,得到880g HNIW(得率88%),母 液在45℃,负压(-0.02MPa)蒸馏分离乙酸甲酯和反溶剂。

扫描电镜和粒度分析显示,所得晶体为ε型HNIW(如图2和图3所示), 平均粒径15μm(如图6所示)。

实施例4:

10g HNIW溶于30mL磷酸三乙酯,室温下配置成饱和溶液,倒入250mL 三口烧瓶内,开启水浴控温(30℃)和搅拌(60rpm),搅拌0.5h,然后将100mL 二氯甲烷和5mL液体石蜡均匀混合,通过横流泵加入到三口瓶内,滴加速率0.1 mL/min,加入30mL时,溶液开始出现浑浊,此时,调节搅拌速率至300rpm, 直至反溶剂滴加完毕,搅拌4h,过滤分离母液和晶体,用无水乙醇洗涤晶体2h, 过滤干燥,得到7.8g HNIW(得率78%)。扫描电镜和粒度分析显示,所得晶体 为ε型HNIW(如图2所示),平均粒径3μm(如图7所示)。

实施例5:

10g HNIW溶于25mL乙酸甲酯,室温下配置成饱和溶液,先将70mL三氯 甲烷和5mL液体石蜡倒入250mL三口烧瓶内,开启水浴控温(30℃)和搅拌 (300rpm),然后,通过横流泵将HNIW饱和溶液加入到三口瓶内,滴加速率 0.1mL/min,加入一滴时,溶液立即出现浑浊,此时,调节搅拌速率至800rpm, 直至反溶剂滴加完毕,搅拌4h,过滤分离母液和晶体,用无水乙醇洗涤晶体2h, 过滤干燥,得到9.2g HNIW(得率92%)。扫描电镜和粒度分析显示,所得晶体 为ε型HNIW(如图2和图3所示),平均粒径0.48μm(如图8所示)。

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