一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法

摘要

本发明涉及一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法，包括以下过程：（1）清洗半导体作为衬底；（2）取金属氧化物粉末和硫粉末；（3）将半导体衬底放在装有金属氧化物的陶瓷舟上，并将陶瓷舟置于真空管式炉中间，随后将装有硫粉的陶瓷舟放置在距离真空管式炉中间上游的15cm处。（4）用真空泵将真空管式炉的石英管内的压强抽至7.5×10