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差压传感器芯片、差压发送器以及差压传感器芯片的制造方法

摘要

差压传感器芯片(2)包括:第1以及第2压力导入孔(21_1、21_2);第1以及第2膜片(23_1、23_2),其覆盖第1以及第2压力导入孔地形成;凹状的第1以及第2凹部(24_1、24_2),其隔着第1以及第2膜片而与第1以及第2压力导入孔分别面对面配置;第1连通路(25),其使第1凹部和第1膜片之间的腔室与第2凹部和第2膜片之间的腔室连通;压力传递物质导入路(26),在其一端具有开口部,其另一端与第1连通路连结;压力传递物质(27),其填充于第1连通路、两个上述腔室以及压力传递物质导入路;以及由金属构成的密封构件(7),其在形成于压力传递物质导入路的开口部的表面的金属层(9)上堵塞凹部地形成。

著录项

  • 公开/公告号CN110418951A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阿自倍尔株式会社;

    申请/专利号CN201880015958.4

  • 发明设计人 津岛鲇美;石仓义之;德田智久;

    申请日2018-01-16

  • 分类号G01L13/02(20060101);G01L13/06(20060101);

  • 代理机构31300 上海华诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人肖华

  • 地址 日本东京都千代田区丸之内2丁目7番3号

  • 入库时间 2024-02-19 16:02:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01L13/02 申请日:20180116

    实质审查的生效

  • 2019-11-05

    公开

    公开

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