公开/公告号CN110445373A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 黄山学院;
申请/专利号CN201910740392.8
申请日2019-08-12
分类号H02M3/07(20060101);H02M1/42(20070101);H02M1/088(20060101);H02M1/12(20060101);H02M1/00(20070101);H02J7/10(20060101);H05K7/20(20060101);
代理机构33316 杭州凌通知识产权代理有限公司;
代理人叶绿林
地址 245000安徽省黄山市屯溪区西海路39号
入库时间 2024-02-19 15:53:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M3/07 申请日:20190812
实质审查的生效
2019-11-12
公开
公开
机译: GaN FET PFC融合模块的PFC低电功率部分,放大器的输出部分具有GaN FET和设备配备的公共地址系统
机译: 具有低共模噪声和高功率密度的无桥PFC转换器
机译: 低共模噪声,高功率密度的无桥PFC转换器