用于熔融的多层非晶硒传感器的制造方法

摘要

包括非晶硒（a‑Se）的层和至少一个电荷阻挡层的传感器通过在沉积非晶硒之前将电荷阻挡层沉积在基板之上来形成，从而使得电荷阻挡层能够以升高的温度来形成。这种工艺不受a‑Se的结晶化温度所限制，从而导致有效的电荷阻挡层的形成，其能够实现所得到器件的改进信号放大。可以通过在分离的基板之上形成第一和第二非晶硒层，然后以相对低的温度熔融a‑Se层来制造传感器。